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1. 发明专利

TW201123354A 半導體積體電路及ＩＣ卡审中-公开
简体标题：半导体集成电路及ＩＣ卡
公开(公告)号：TW201123354A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099145882
申请日：2003-12-03
申请人：瑞薩電子股份有限公司
发明人：奧田裕一
IPC分类号： H01L , G06K
CPC分类号： H01L23/576 , G06K19/073 , G06K19/07372 , G11C11/412 , G11C11/4125 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種可防禦藉由光照射積極引起錯誤動作，而不正當獲得保密資訊之卡入侵之半導體積體電路。本發明對IC卡微電腦等半導體積體電路，以標準邏輯處理構成，並搭載與其他電路不易區別，待用電力極小之光檢測器。光檢測器例如具備以初始化動作於靜態閂鎖(120)時保持第一狀態，在構成第一狀態之靜態閂鎖之非導通狀態之半導體元件(112,113)上照射光，而反轉成第二狀態之構造，在記憶胞陣列內配置多數個光檢測器。藉由將靜態閂鎖型之光檢測器放入記憶胞陣列內，可將其隱密配置。可有效防止光照射之反向施工。
简体摘要：本发明提供一种可防御借由光照射积极引起错误动作，而不正当获得保密信息之卡入侵之半导体集成电路。本发明对IC卡微电脑等半导体集成电路，以标准逻辑处理构成，并搭载与其他电路不易区别，待用电力极小之光检测器。光检测器例如具备以初始化动作于静态闩锁(120)时保持第一状态，在构成第一状态之静态闩锁之非导通状态之半导体组件(112,113)上照射光，而反转成第二状态之构造，在记忆胞数组内配置多数个光检测器。借由将静态闩锁型之光检测器放入记忆胞数组内，可将其隐密配置。可有效防止光照射之反向施工。

2. 发明专利

TW200502961A 用於磁阻隨機存取記憶體裝置防止干預之方法及裝置 METHOD AND DEVICE FOR PROTECTION OF AN MRAM DEVICE AGAINST TAMPERING 审中-公开
简体标题：用于磁阻随机存取内存设备防止干预之方法及设备 METHOD AND DEVICE FOR PROTECTION OF AN MRAM DEVICE AGAINST TAMPERING
公开(公告)号：TW200502961A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW092135380
申请日：2003-12-15
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：卡爾斯麥可郝柏特蘭森 LENSSEN, KARS-MICHIEL HUBERT , 喬臣森羅柏 JOCHEMSEN, ROBERT
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L23/57 , G06F21/79 , G06K19/07372 , G11C8/20 , G11C11/1695 , H01L2924/0002 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種防止由未經授權人士誤用或讀出儲存於磁阻隨機存取記憶體單元(12)中的資料之方法及裝置。本發明提供磁阻隨機存取記憶體單元(12)之一陣列(10)，該陣列具有一安全裝置(14)，用以當該等磁阻隨機存取記憶體單元(12)受到干預時銷毀儲存於該等單元中的資料。達到此點係藉由放置一永久磁鐵(16)在近於與一軟磁通量封閉層(18)結合的該磁阻隨機存取記憶體陣列(10)處。只要該軟磁性層(18)出現，則來自永久磁鐵(16)的磁場線(20)受到偏離並且流經此軟磁性層(18)。當某人(例如藉由反向工程)干預該磁阻隨機存取記憶體單元(10)，而且該磁通量封閉層(18)得以移除時，則該磁通量不再受到偏離並且影響該附近的磁阻隨機存取記憶體陣列(10)，從而銷毀儲存於該等磁阻隨機存取記憶體單元(12)中的該等資料。
简体摘要：本发明揭示一种防止由未经授权人士误用或读出存储于磁阻随机存取内存单元(12)中的数据之方法及设备。本发明提供磁阻随机存取内存单元(12)之一数组(10)，该数组具有一安全设备(14)，用以当该等磁阻随机存取内存单元(12)受到干预时销毁存储于该等单元中的数据。达到此点系借由放置一永久磁铁(16)在近于与一软磁通量封闭层(18)结合的该磁阻随机存取内存数组(10)处。只要该软磁性层(18)出现，则来自永久磁铁(16)的磁场线(20)受到偏离并且流经此软磁性层(18)。当某人(例如借由反向工程)干预该磁阻随机存取内存单元(10)，而且该磁通量封闭层(18)得以移除时，则该磁通量不再受到偏离并且影响该附近的磁阻随机存取内存数组(10)，从而销毁存储于该等磁阻随机存取内存单元(12)中的该等数据。

3. 发明专利

TW200306676A 半導體裝置、載體、讀卡器、初始化及檢查確實性之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE, CARRIER, CARD READER, METHODS FO INITIALIZING AND CHECKING THE AUTHENTICITY 失效
简体标题：半导体设备、载体、读卡器、初始化及检查确实性之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE, CARRIER, CARD READER, METHODS FO INITIALIZING AND CHECKING THE AUTHENTICITY
公开(公告)号：TW200306676A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW092108124
申请日：2003-04-09
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：佩卓依莉莎白狄鍾 PETRA ELISABETH DE JONGH , 雷因德寇胡恩 REINDER COEHOORN , 南克安馬汀維赫 NYNKE ANNE MARTINE VERGAEGH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G06K19/07372 , H01L23/576 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置，其具有含有埋植磁顆粒之安全塗料以及磁阻式感測器。此裝置可測量出由磁阻式感測器及安全塗料所界定之安全元件的阻抗。如果已儲存該阻抗的初始值的話，可將實際數值與該初始值作比較，以便查看該裝置是否尚未經過電探測或修改。利用此比較結果便可檢查該裝置的確實性。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，其具有含有埋植磁颗粒之安全涂料以及磁阻式传感器。此设备可测量出由磁阻式传感器及安全涂料所界定之安全组件的阻抗。如果已存储该阻抗的初始值的话，可将实际数值与该初始值作比较，以便查看该设备是否尚未经过电探测或修改。利用此比较结果便可检查该设备的确实性。

4. 发明专利

TW471144B 防止侵入電子電路之方法失效
简体标题：防止侵入电子电路之方法
公开(公告)号：TW471144B
公开(公告)日：2002-01-01
申请号：TW084114065
申请日：1995-12-28
申请人：英特爾公司
发明人：哈瑞.A.庫漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/576 , G06K19/07372 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49171 , H01L2924/00
摘要：一種積體電路封裝，其有有覆蓋積體電路之可撓性電路。該可撓性電路包含一導電線路，其防止探針近接該積體電路。可撓性電路之導電線路可附著到電力線路、同步線路、記憶抹除線路或任何其他線路，如果可撓性電路導電線路損壞、則其可去能、抹除、或者防止近接到積體電路。積體電路可安裝在印刷電路板上，印刷電路板、積體電路及可撓性電路可封包在一封裝內。
简体摘要：一种集成电路封装，其有有覆盖集成电路之可挠性电路。该可挠性电路包含一导电线路，其防止探针近接该集成电路。可挠性电路之导电线路可附着到电力线路、同步线路、记忆抹除线路或任何其他线路，如果可挠性电路导电线路损坏、则其可去能、抹除、或者防止近接到集成电路。集成电路可安装在印刷电路板上，印刷电路板、集成电路及可挠性电路可封包在一封装内。

5. 发明专利

TW201701194A 多頻率轉頻器审中-公开
简体标题：多频率转频器
公开(公告)号：TW201701194A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105105503
申请日：2016-02-24
申请人：艾姆微體電子馬林公司 , EM MICROELECTRONIC-MARIN S. A.
发明人：柯曼吉里 , KOLMAN, JIRI , 庫比斯詹 , KUBIS, JAN , 史普林格詹姆斯 , SPRINGER, JAMES
IPC分类号： G06K19/07 , G06K19/077 , H04L29/06
CPC分类号： G06K19/0724 , G06K19/0723 , G06K19/07372 , G06K19/07767
摘要：本發明涉及一種用於在根據第一通訊協定之第一頻率以及在根據第二通訊協定之第二不同頻率通訊的多頻率轉頻器。該轉頻器包含用儲存該第一通訊協定之第一資料的第一實體記憶體；用於儲存該第二通訊協定之不同於第一資料之第二資料的第二實體記憶體；以及用於存取第一和第二實體記憶體之邏輯單元。邏輯單元包含用於處理根據第一協定之通訊的第一控制單元以及用於處理根據第二協定之通訊的第二控制單元。轉頻器包含用以儲存第一或第二實體記憶體之邏輯記憶體映射之映射記憶體。邏輯記憶體映射包含使第一或第二控制單元存取在第一和第二實體記憶體中的資料項目之映射資訊。
简体摘要：本发明涉及一种用于在根据第一通信协定之第一频率以及在根据第二通信协定之第二不同频率通信的多频率转频器。该转频器包含用存储该第一通信协定之第一数据的第一物理内存；用于存储该第二通信协定之不同于第一数据之第二数据的第二物理内存；以及用于存取第一和第二物理内存之逻辑单元。逻辑单元包含用于处理根据第一协定之通信的第一控制单元以及用于处理根据第二协定之通信的第二控制单元。转频器包含用以存储第一或第二物理内存之逻辑内存映射之映射内存。逻辑内存映射包含使第一或第二控制单元存取在第一和第二物理内存中的数据项目之映射信息。

6. 发明专利

TWI341569B 半導體積體電路及ＩＣ卡有权
简体标题：半导体集成电路及ＩＣ卡
公开(公告)号：TWI341569B
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW092134024
申请日：2003-12-03
申请人：瑞薩電子股份有限公司
发明人：奧田裕一
IPC分类号： H01L , G06K
CPC分类号： H01L23/576 , G06K19/073 , G06K19/07372 , G11C11/412 , G11C11/4125 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種可防禦藉由光照射積極引起錯誤動作，而不正當獲得保密資訊之卡入侵之半導體積體電路。本發明對IC卡微電腦等半導體積體電路，以標準邏輯處理構成，並搭載與其他電路不易區別，待用電力極小之光檢測器。光檢測器例如具備以初始化動作於靜態閂鎖(120)時保持第一狀態，在構成第一狀態之靜態閂鎖之非導通狀態之半導體元件(112, 113)上照射光，而反轉成第二狀態之構造，在記憶胞陣列內配置多數個光檢測器。藉由將靜態閂鎖型之光檢測器放入記憶胞陣列內，可將其隱密配置。可有效防止光照射之反向施工。
简体摘要：本发明提供一种可防御借由光照射积极引起错误动作，而不正当获得保密信息之卡入侵之半导体集成电路。本发明对IC卡微电脑等半导体集成电路，以标准逻辑处理构成，并搭载与其他电路不易区别，待用电力极小之光检测器。光检测器例如具备以初始化动作于静态闩锁(120)时保持第一状态，在构成第一状态之静态闩锁之非导通状态之半导体组件(112, 113)上照射光，而反转成第二状态之构造，在记忆胞数组内配置多数个光检测器。借由将静态闩锁型之光检测器放入记忆胞数组内，可将其隐密配置。可有效防止光照射之反向施工。

7. 发明专利

TW484101B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW484101B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW088121011
申请日：1999-12-01
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：宇佐美光雄 , 和隆 , 齊藤武志 , 佐藤朗 , 鮫島賢二 , 寶木和夫 , 安信千津子
IPC分类号： G06K
CPC分类号： B42D25/30 , B42D25/29 , B42D2033/46 , D21H21/48 , G06K7/0008 , G06K19/073 , G06K19/07363 , G06K19/07372 , G06K19/07728 , G06K19/07749 , G06K19/07779 , G06K19/07783 , H01L21/6835 , H01L23/3171 , H01L23/49855 , H01L23/576 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68322 , H01L2221/6835 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2223/6677 , H01L2224/05001 , H01L2224/16 , H01L2224/2518 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/29293 , H01L2224/29298 , H01L2224/73204 , H01L2224/7565 , H01L2224/8319 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01Q1/2208 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要：本發明係提供一種有效的防止紙或薄片狀之媒體之偽造之方法。該解決之手段之例為：在媒體中埋入0.5 mm角以下之薄型之備有天線之半導體晶片，該半導體晶片之側壁係由氧化膜所形成，且以蝕刻而以半導體晶片分離，由於將半導體晶片之尺寸限定為0.5mm以下，由而可以對於彎曲及集中過重有所改善，又由於藉由蝕刻分離而可以成為不會有龜裂破壞之半導體晶片，又由側壁之氧化膜而在於與天線之接著時可防止邊緣部份之短路由而回採用簡單的過程。
简体摘要：本发明系提供一种有效的防止纸或薄片状之媒体之伪造之方法。该解决之手段之例为：在媒体中埋入0.5 mm角以下之薄型之备有天线之半导体芯片，该半导体芯片之侧壁系由氧化膜所形成，且以蚀刻而以半导体芯片分离，由于将半导体芯片之尺寸限定为0.5mm以下，由而可以对于弯曲及集中过重有所改善，又由于借由蚀刻分离而可以成为不会有龟裂破坏之半导体芯片，又由侧壁之氧化膜而在于与天线之接着时可防止边缘部份之短路由而回采用简单的过程。

8. 发明专利

TW473689B 用以安全地決定商品多方面歷史之方法及裝置有权
简体标题：用以安全地决定商品多方面历史之方法及设备
公开(公告)号：TW473689B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW088122767
申请日：1999-12-23
申请人：萬國商業機器公司
发明人：提摩西約瑟夫千諾 , 克勞德 A. 葛雷恩高德 , 威廉普利白蘭克 , 查爾斯 P. 楚埃瑟 , 帢伊 W. 吳
IPC分类号： G06K
CPC分类号： G06K19/07381 , A61M5/5086 , A61M2205/27 , A61M2205/273 , A61M2205/6054 , G06K19/0717 , G06K19/0723 , G06K19/073 , G06K19/07372 , G07F9/02 , G07G1/0054
摘要：本發明提供方法與裝置以檢測並可靠地記錄商品的實體歷史，包括因下列諸因素中的一個或更多個因素引起的影響：1)產品使用2)處理3)擅改及4)產品環境(因為諸如極端的溫度、濕度、或衝擊等環境變化會造成商品的價值降低)。該裝置包括「智慧卡」(smartcard)-或更廣泛地包括「智慧標記」(smarttoken)-與一個或更多個感測器併用，以記錄對商品及/或環境的外部影響並以加密的形式記錄那些變化。然後此資訊可由任何備有一(可能為公眾所知的)解密鑰匙的人驗證，但修改此資訊之能力則根據應用的需要侷限於那些對加密鑰匙擁有存取權的人。此外，該裝置包含有可被可靠地驗證的認證資訊，尤其是要確認該裝置的確是附加到其應該要附加到的商品上。
简体摘要：本发明提供方法与设备以检测并可靠地记录商品的实体历史，包括因下列诸因素中的一个或更多个因素引起的影响：1)产品使用2)处理3)擅改及4)产品环境(因为诸如极端的温度、湿度、或冲击等环境变化会造成商品的价值降低)。该设备包括“智能卡”(smartcard)-或更广泛地包括“智能标记”(smarttoken)-与一个或更多个传感器并用，以记录对商品及/或环境的外部影响并以加密的形式记录那些变化。然后此信息可由任何备有一(可能为公众所知的)解密钥匙的人验证，但修改此信息之能力则根据应用的需要局限于那些对加密钥匙拥有存取权的人。此外，该设备包含有可被可靠地验证的认证信息，尤其是要确认该设备的确是附加到其应该要附加到的商品上。

9. 发明专利

TWI330845B 用於磁阻隨機存取記憶體裝置防止干預之方法及裝置 METHOD AND DEVICE FOR PROTECTION OF AN MRAM DEVICE AGAINST TAMPERING 有权
简体标题：用于磁阻随机存取内存设备防止干预之方法及设备 METHOD AND DEVICE FOR PROTECTION OF AN MRAM DEVICE AGAINST TAMPERING
公开(公告)号：TWI330845B
公开(公告)日：2010-09-21
申请号：TW092135380
申请日：2003-12-15
申请人：恩智浦股份有限公司
发明人：卡爾斯麥可郝柏特蘭森 , 喬臣森羅柏
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L23/57 , G06F21/79 , G06K19/07372 , G11C8/20 , G11C11/1695 , H01L2924/0002 , Y10S257/922 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種防止由未經授權人士誤用或讀出儲存於磁阻隨機存取記憶體單元(12)中的資料之方法及裝置。
本發明提供磁阻隨機存取記憶體單元(12)之一陣列(10)，該陣列具有一安全裝置(14)，用以當該等磁阻隨機存取記憶體單元(12)受到干預時銷毀儲存於該等單元中的資料。達到此點係藉由放置一永久磁鐵(16)在近於與一軟磁通量封閉層(18)結合的該磁阻隨機存取記憶體陣列(10)處。只要該軟磁性層(18)出現，則來自永久磁鐵(16)的磁場線(20)受到偏離並且流經此軟磁性層(18)。當某人(例如藉由反向工程)干預該磁阻隨機存取記憶體單元(10)，而且該磁通量封閉層(18)得以移除時，則該磁通量不再受到偏離並且影響該附近的磁阻隨機存取記憶體陣列(10)，從而銷毀儲存於該等磁阻隨機存取記憶體單元(12)中的該等資料。
简体摘要：本发明揭示一种防止由未经授权人士误用或读出存储于磁阻随机存取内存单元(12)中的数据之方法及设备。本发明提供磁阻随机存取内存单元(12)之一数组(10)，该数组具有一安全设备(14)，用以当该等磁阻随机存取内存单元(12)受到干预时销毁存储于该等单元中的数据。达到此点系借由放置一永久磁铁(16)在近于与一软磁通量封闭层(18)结合的该磁阻随机存取内存数组(10)处。只要该软磁性层(18)出现，则来自永久磁铁(16)的磁场线(20)受到偏离并且流经此软磁性层(18)。当某人(例如借由反向工程)干预该磁阻随机存取内存单元(10)，而且该磁通量封闭层(18)得以移除时，则该磁通量不再受到偏离并且影响该附近的磁阻随机存取内存数组(10)，从而销毁存储于该等磁阻随机存取内存单元(12)中的该等数据。

10. 发明专利

TWI308297B 射頻辨識標籤 RFID TAG 有权
简体标题：射频辨识标签 RFID TAG
公开(公告)号：TWI308297B
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW094137815
申请日：2005-10-28
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：山城尚志 YAMAGAJO, TAKASHI , 馬庭透 MANIWA, TORU , 甲斐學 KAI, MANABU , 馬場俊二 BABA, SHUNJI , 中西裕一 NAKANISHI, YUICHI
IPC分类号： G06K
CPC分类号： G06K19/07749 , G06K19/07372 , G06K19/0775 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/01087 , H01L2924/3011
摘要：藉由包含有一發射及接收天線、形成在天線周邊之一偵測區塊、以及連接到此天線與偵測區塊以偵測此偵測區塊的破裂之一電子元件的一種射頻辨識(RFID)標籤,可防止非法使用;在標籤天線與IC晶片間的匹配亦可在包含偵測裝置的情況下達成,並且在不令天線增益惡化的情況下亦可獲得天線較高的輻射及接收特性。再者,此RFID標籤對維持安全係非常有效的,因為此標籤可防止透過將此RFID標籤再次黏著至一物品上之非法使用。
简体摘要：借由包含有一发射及接收天线、形成在天线周边之一侦测区块、以及连接到此天线与侦测区块以侦测此侦测区块的破裂之一电子组件的一种射频辨识(RFID)标签,可防止非法使用;在标签天线与IC芯片间的匹配亦可在包含侦测设备的情况下达成,并且在不令天线增益恶化的情况下亦可获得天线较高的辐射及接收特性。再者,此RFID标签对维持安全系非常有效的,因为此标签可防止透过将此RFID标签再次黏着至一物品上之非法使用。

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