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1. 发明专利

TW201803038A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201803038A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105133336
申请日：2016-10-14
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L23/16 , H01L23/18 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0332 , H01L2224/03416 , H01L2224/0361 , H01L2224/0391 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05551 , H01L2224/05557 , H01L2224/05564 , H01L2224/05572 , H01L2224/05578 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/0569 , H01L2224/10126 , H01L2224/1112 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13011 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13022 , H01L2224/13078 , H01L2224/1319 , H01L2224/13191 , H01L2224/13541 , H01L2224/13553 , H01L2224/1356 , H01L2224/13561 , H01L2224/13562 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/13624 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/13666 , H01L2224/13684 , H01L2224/1369 , H01L2924/06 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2924/0715 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要：一種半導體結構包含一基板；設置該基板上方的一接墊；設置該基板上方且暴露該接墊之一暴露部分的一保護層；以及設置該接墊之該暴露部分上方的一凸塊。該凸塊包含一緩衝件及一導電層，該緩衝件位於該接墊之該暴露部分上方，該導電層環繞該緩衝件且電連接至該接墊。
简体摘要：一种半导体结构包含一基板；设置该基板上方的一接垫；设置该基板上方且暴露该接垫之一暴露部分的一保护层；以及设置该接垫之该暴露部分上方的一凸块。该凸块包含一缓冲件及一导电层，该缓冲件位于该接垫之该暴露部分上方，该导电层环绕该缓冲件且电连接至该接垫。

3. 发明专利

TW201724568A 用於晶片接合之基準標記审中-公开
简体标题：用于芯片接合之基准标记
公开(公告)号：TW201724568A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128244
申请日：2016-09-01
申请人： 3M新設資產公司 , 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
发明人：符祥心 , FOO, SIANG SIN , 那瑞葛艾利珍卓艾爾德瑞二世阿卡歐力 , NARAG, ALEJANDRO ALDRIN II AGCAOILI , 小杉浩充 , KOSUGI, HIROMITSU , 潘菈尼西娃萊維 , PALANISWAMY, RAVI
IPC分类号： H01L33/48 , H01L23/00 , H05K1/02 , H05K1/18
CPC分类号： H05K1/0269 , H01L23/49827 , H01L23/4985 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L33/62 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/10175 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/26175 , H01L2224/2919 , H01L2224/81132 , H01L2224/81385 , H01L2224/83132 , H01L2224/83385 , H01L2224/85132 , H01L2224/85385 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H05K1/111 , H05K1/189 , H05K3/321 , H05K3/3436 , H05K2201/09745 , H05K2201/09918 , H05K2201/10106 , H01L2224/45099 , H01L2924/014
摘要：一種用於安裝一發光半導體裝置(LESD)之撓性多層構造，其包括一具有一LESD安裝區之撓性介電基材、設置於該LESD安裝區中之第一及第二導電墊(用於電氣連接至一受納在該LESD安裝區中之LESD的對應第一及第二導電端子)、及一用於一LESD在該LESD安裝區中之精確布局的第一對齊基準標記。該第一對齊基準標記設置於該LESD安裝區內。
简体摘要：一种用于安装一发光半导体设备(LESD)之挠性多层构造，其包括一具有一LESD安装区之挠性介电基材、设置于该LESD安装区中之第一及第二导电垫(用于电气连接至一受纳在该LESD安装区中之LESD的对应第一及第二导电端子)、及一用于一LESD在该LESD安装区中之精确布局的第一对齐基准标记。该第一对齐基准标记设置于该LESD安装区内。

4. 发明专利

TW201703208A 用於電子產品的熱成型塑料罩和相關的製造方法审中-公开
简体标题：用于电子产品的热成型塑料罩和相关的制造方法
公开(公告)号：TW201703208A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105115510
申请日：2016-05-19
申请人：塔克圖科技有限公司 , TACTOTEK OY
发明人：海肯南米可 , HEIKKINEN, MIKKO , 賽斯奇賈莫 , SAASKI, JARMO , 托菲南賈可 , TORVINEN, JARKKO
IPC分类号： H01L23/31 , H05K1/18 , H01L21/56
CPC分类号： H05K1/186 , H01L23/4985 , H01L23/5387 , H01L33/52 , H01L51/0097 , H01L2224/1319 , H01L2933/005 , H05K1/0274 , H05K1/0298 , H05K1/189 , H05K3/284 , H05K2201/0129 , H05K2201/05 , H05K2201/09872 , H05K2201/10106 , H05K2201/10151 , H05K2203/1316 , H05K2203/1322
摘要：用於電子裝置的多層結構，其包括：可撓性基底膜(202)，其容納電子產品(204)；至少一電子構件(204)，其提供在該基底膜(202)上；以及多條導電線路(206)，其提供在該基底膜(202)上以供電給和/或連接包括該至少一電子構件(204)的電子產品，其中較佳而言為熱成型的至少一罩(210)附接於該基底膜(202)而在該至少一電子構件(204)的頂部上，至少一熱成型罩(210)和容納電子產品(204)的基底膜(202)是藉由熱塑性材料(208)而被覆蓋模製成型。本發明也有關用於電子裝置之多層結構的製造方法。
简体摘要：用于电子设备的多层结构，其包括：可挠性基底膜(202)，其容纳电子产品(204)；至少一电子构件(204)，其提供在该基底膜(202)上；以及多条导电线路(206)，其提供在该基底膜(202)上以供电给和/或连接包括该至少一电子构件(204)的电子产品，其中较佳而言为热成型的至少一罩(210)附接于该基底膜(202)而在该至少一电子构件(204)的顶部上，至少一热成型罩(210)和容纳电子产品(204)的基底膜(202)是借由热塑性材料(208)而被覆盖模制成型。本发明也有关用于电子设备之多层结构的制造方法。

5. 发明专利

TW201639116A 多層基板审中-公开
简体标题：多层基板
公开(公告)号：TW201639116A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105101042
申请日：2016-01-13
申请人：迪睿合股份有限公司 , DEXERIALS CORPORATION
发明人：篠原誠一郎 , SHINOHARA, SEIICHIRO , 阿久津恭志 , AKUTSU, YASUSHI , 石松朋之 , ISHIMATSU, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/46
CPC分类号： H01L24/27 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/13078 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/13164 , H01L2224/1319 , H01L2224/133 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/1403 , H01L2224/16058 , H01L2224/16059 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/17107 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27515 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81101 , H01L2224/81122 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83122 , H01L2224/83203 , H01L2224/83856 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/00015 , H01L2924/3841 , H01L2224/83851 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432
摘要：本發明提供一種多層基板，其係將具有內表面形成有鍍膜之貫通孔(以下，稱為通孔)之半導體基板積層而成者，導通特性優異，且可低成本地製造。於多層基板之俯視時，導電粒子選擇性地存在於通孔對向之位置。多層基板具有對向之通孔藉由導電粒子而連接，且形成有該通孔之半導體基板彼此藉由絕緣接著劑而接著之連接構造。
简体摘要：本发明提供一种多层基板，其系将具有内表面形成有镀膜之贯通孔(以下，称为通孔)之半导体基板积层而成者，导通特性优异，且可低成本地制造。于多层基板之俯视时，导电粒子选择性地存在于通孔对向之位置。多层基板具有对向之通孔借由导电粒子而连接，且形成有该通孔之半导体基板彼此借由绝缘接着剂而接着之连接构造。

6. 发明专利

TWI531437B 包覆焊料之球體及其製造方法有权
简体标题：包覆焊料之球体及其制造方法
公开(公告)号：TWI531437B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102110059
申请日：2013-03-21
申请人：日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人：淺田賢 , ASADA, KEN , 西村絢子 , NISHIMURA, JUNKO
IPC分类号： B23K35/02 , B23K35/26 , C25D5/00 , C25D5/12
CPC分类号： B23K35/262 , B22F1/025 , B23K35/0244 , B23K35/264 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25D7/00 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/11334 , H01L2224/13147 , H01L2224/1316 , H01L2224/1319 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13655 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/01322 , H01L2924/3651 , H05K3/3478 , H05K2203/041 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201603223A 於半導體裝置中形成為金屬線互連之凸塊連結审中-公开
简体标题：于半导体设备中形成为金属线互连之凸块链接
公开(公告)号：TW201603223A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104116554
申请日：2015-05-22
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：迪克斯葛瑞格 , DIX, GREG , 梅爾雀羅傑 , MELCHER, ROGER , 克林哈洛德 , KLINE, HAROLD
IPC分类号： H01L23/498
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/4824 , H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/528 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13028 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/14133 , H01L2224/1613 , H01L2224/16245 , H01L2224/48245 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/19107 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要：本發明揭示一種半導體功率晶片，其具有形成於一半導體晶粒上之一半導體功率裝置；其中該半導體功率裝置包括：一導電接觸元件陣列；一鈍化層，其形成於該複數個導電接觸元件上方，該鈍化層包括複數個該等導電接觸元件上方之鈍化開口；及一導電凸塊陣列，其包含一或多個互連凸塊，其中每一互連凸塊形成於該鈍化層上方並延伸至該等鈍化開口中之至少兩者中且與至少兩個下伏導電接觸元件接觸，以藉此提供該至少兩個下伏導電接觸元件之間的一導電耦合。
简体摘要：本发明揭示一种半导体功率芯片，其具有形成于一半导体晶粒上之一半导体功率设备；其中该半导体功率设备包括：一导电接触组件数组；一钝化层，其形成于该复数个导电接触组件上方，该钝化层包括复数个该等导电接触组件上方之钝化开口；及一导电凸块数组，其包含一或多个互连凸块，其中每一互连凸块形成于该钝化层上方并延伸至该等钝化开口中之至少两者中且与至少两个下伏导电接触组件接触，以借此提供该至少两个下伏导电接触组件之间的一导电耦合。

9. 发明专利

TWI326121B 電子基板與其製造方法、光電裝置及電子機器 ELECTRONIC BOARD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS 有权
简体标题：电子基板与其制造方法、光电设备及电子机器 ELECTRONIC BOARD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS
公开(公告)号：TWI326121B
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：TW095125327
申请日：2006-07-11
申请人：精工愛普生股份有限公司
发明人：橋元伸晃
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3114 , G02F1/13452 , H01L23/5228 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/1148 , H01L2224/13099 , H01L2224/1319 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83856 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01066 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H05K1/167 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , H05K2201/09727 , H05K2201/09736 , H05K2201/09909 , H05K2203/0361 , H01L2924/00 , H01L2924/01028
摘要：本發明之電子基板包括基板、及佈線圖案，該佈線圖案設於上述基板上且形成電阻元件之一部分佈線要素與其他部分不同。 An electronic board includes:a substrate;and a wiring pattern provided on the substrate and having a part that forms a resistance element, the part having wiring specifications that are different from those of other parts. 【創作特點】本發明之目的在於提供一種可容易地形成高精度電阻部之電子基板與其製造方法、光電裝置及電子機器。
本發明之電子基板包括基板、及佈線圖案，該佈線圖案設置於上述基板上且形成電阻元件之一部分佈線要素與其他部分不同。
根據該電子基板，以一部分佈線圖案電阻值高於其他部分之方式使得佈線要素不同，藉此可容易地形成電阻元件。由於該電阻元件係藉由佈線圖案而形成，故而無需單獨的用以形成電阻元件之製程，則可避免生產性之降低。藉由調整佈線圖案之佈線要素，可高精度地形成具有期望電阻值之電阻元件。
該佈線圖案，可採用與電極部連接之結構，或至少一部分形成連接端子之結構。
又，佈線圖案，亦可為與電極部連接且至少一部分連接外部端子之結構(例如，W－CSP(Wafer Level Chip Size Package，晶圓級晶片尺寸封裝)封裝體)。
該電子基板中，較好的是，上述佈線圖案之對應上述電阻元件之部分的寬度與其他部分不同，或者上述佈線圖案之對應上述電阻元件之部分的厚度與其他部分不同。
該電子基板中，較好的是，上述佈線圖案之對應上述電阻元件之部分的層數少於其他部分。於此情形，上述佈線圖案可構成為，具有第1圖案、及使用與上述第1圖案不同之材料形成於上述第1圖案上的第2圖案，且去除掉對應上述電阻元件之一部分上述第2圖案。該結構中，例如藉由蝕刻等去除一部分第2圖案，藉此可於佈線圖案上局部形成包含第1圖案之電阻元件。藉由選擇對應第2圖案之蝕刻材料，可容易地僅去除第2圖案。於此情形，較好的是上述第1圖案係由電阻值大於上述第2圖案之材料而形成。藉此，能夠容易地形成電阻值較大之電阻元件。
該電子基板中，較好的是，使用密封材料對上述電阻元件加以密封。藉此，能夠保護電阻元件，以防止腐蝕或短路。
該電子基板中，較好的是，上述電阻元件形成於應力緩和層上。藉此，即便對基板施加熱應力，亦可抑制電阻元件之可靠性及壽命的降低。
該電子基板中，較好的是，上述連接端子係至少具有其頂部由上述佈線圖案所覆蓋之樹脂芯的突起電極。藉此，可於突起電極附近形成電阻元件，因此可使突起電極與電阻元件之間的路徑最短，而使佈線極小。
該電子基板中，較好的是進而具備半導體元件。藉此，可於半導體元件附近形成電阻元件，因此可使半導體元件與電阻元件之間的路徑最短，而使佈線極小。
該情形時，關於半導體元件，可構成為：藉由形成於主動區域之佈線圖案而形成電晶體等開關元件，或將內具有半導體元件之半導體晶片安裝於主動區域。該電子基板中，半導體元件亦可為非搭載於上述基板上之狀態。亦即，並未設置半導體元件，例如亦可為矽基板狀態。
本發明之光電裝置，其特徵在於具備上述電子基板。又，本發明之電子機器，其特徵在於具備上述電子基板或者光電裝置。藉此，可獲得高精度形成有電阻元件之高品質的光電裝置以及電子機器，並且可並不降低生產性地實現高效光電裝置製造以及電子機器製造。
本發明之電子基板之製造方法包含以下步驟：於基板上形成佈線圖案；及使上述佈線圖案之一部分佈線要素不同於其他部分，而形成電阻元件。
根據該製造方法，以一部分佈線圖案的電阻值高於其他部分之方式使得佈線要素不同，藉此可容易地形成電阻元件。由於該電阻元件藉由佈線圖案而形成，因此無需單獨的用以形成電阻元件之製程，則可避免生產性之降低。藉由調整佈線圖案之佈線要素，可高精度地形成具有期望電阻值之電阻元件。該佈線圖案，可採用與電極部連接之結構，或至少一部分形成連接端子之結構。又，關於佈線圖案，亦可為與電極部連接且至少一部分連接外部端子之結構(例如，W－CSP(Wafer Level Chip Size Package)封裝體)。
該製造方法中，較好的是包含以下步驟：形成上述電阻元件；及去除一部分上述佈線圖案。
該製造方法中，較好的是，上述佈線圖案具有第1圖案、及第2圖案，該第2圖案係使用與上述第1圖案不同之材料而形成於上述第1圖案上，且形成上述電阻元件之步驟包含，去除對應於上述電阻元件之一部分上述第2圖案的步驟。該製造方法中，例如藉由蝕刻等去除一部分第2圖案，藉此可於佈線圖案上局部形成包含第1圖案之電阻元件。藉由選擇對應第2圖案之蝕刻材料，可容易地僅去除第2圖案。該情形時，較好的是上述第1圖案由電阻值大於上述第2圖案之材料而形成。藉此，能夠容易地形成電阻值較大之電阻元件。
該製造方法中，較好的是包含使用密封材料對上述電阻元件加以密封之步驟。藉此，能夠保護電阻元件，以防止腐蝕或短路。
該製造方法中，較好的是進而包含下述步驟，即於上述佈線圖案上形成保護膜；及剝離上述佈線圖案之一部分區域的上述保護膜，而形成開口部；且形成上述電阻元件之步驟包含，經由上述開口部而去除一部分上述佈線圖案之步驟。藉此，例如為設置焊球而使保護膜成膜時，若於連接端子上，形成連接端子用開口部並且形成電阻元件用開口部，且經由該電阻元件用開口部去除一部分佈線圖案，則無需另外設置形成電阻元件用開口部之步驟，故而能夠容易地形成電阻元件。
简体摘要：本发明之电子基板包括基板、及布线图案，该布线图案设于上述基板上且形成电阻组件之一部分布线要素与其他部分不同。 An electronic board includes:a substrate;and a wiring pattern provided on the substrate and having a part that forms a resistance element, the part having wiring specifications that are different from those of other parts. 【创作特点】本发明之目的在于提供一种可容易地形成高精度电阻部之电子基板与其制造方法、光电设备及电子机器。本发明之电子基板包括基板、及布线图案，该布线图案设置于上述基板上且形成电阻组件之一部分布线要素与其他部分不同。根据该电子基板，以一部分布线图案电阻值高于其他部分之方式使得布线要素不同，借此可容易地形成电阻组件。由于该电阻组件系借由布线图案而形成，故而无需单独的用以形成电阻组件之制程，则可避免生产性之降低。借由调整布线图案之布线要素，可高精度地形成具有期望电阻值之电阻组件。该布线图案，可采用与电极部连接之结构，或至少一部分形成连接端子之结构。又，布线图案，亦可为与电极部连接且至少一部分连接外部端子之结构(例如，W－CSP(Wafer Level Chip Size Package，晶圆级芯片尺寸封装)封装体)。该电子基板中，较好的是，上述布线图案之对应上述电阻组件之部分的宽度与其他部分不同，或者上述布线图案之对应上述电阻组件之部分的厚度与其他部分不同。该电子基板中，较好的是，上述布线图案之对应上述电阻组件之部分的层数少于其他部分。于此情形，上述布线图案可构成为，具有第1图案、及使用与上述第1图案不同之材料形成于上述第1图案上的第2图案，且去除掉对应上述电阻组件之一部分上述第2图案。该结构中，例如借由蚀刻等去除一部分第2图案，借此可于布线图案上局部形成包含第1图案之电阻组件。借由选择对应第2图案之蚀刻材料，可容易地仅去除第2图案。于此情形，较好的是上述第1图案系由电阻值大于上述第2图案之材料而形成。借此，能够容易地形成电阻值较大之电阻组件。该电子基板中，较好的是，使用密封材料对上述电阻组件加以密封。借此，能够保护电阻组件，以防止腐蚀或短路。该电子基板中，较好的是，上述电阻组件形成于应力缓和层上。借此，即便对基板施加热应力，亦可抑制电阻组件之可靠性及寿命的降低。该电子基板中，较好的是，上述连接端子系至少具有其顶部由上述布线图案所覆盖之树脂芯的突起电极。借此，可于突起电极附近形成电阻组件，因此可使突起电极与电阻组件之间的路径最短，而使布线极小。该电子基板中，较好的是进而具备半导体组件。借此，可于半导体组件附近形成电阻组件，因此可使半导体组件与电阻组件之间的路径最短，而使布线极小。该情形时，关于半导体组件，可构成为：借由形成于主动区域之布线图案而形成晶体管等开关组件，或将内具有半导体组件之半导体芯片安装于主动区域。该电子基板中，半导体组件亦可为非搭载于上述基板上之状态。亦即，并未设置半导体组件，例如亦可为硅基板状态。本发明之光电设备，其特征在于具备上述电子基板。又，本发明之电子机器，其特征在于具备上述电子基板或者光电设备。借此，可获得高精度形成有电阻组件之高品质的光电设备以及电子机器，并且可并不降低生产性地实现高效光电设备制造以及电子机器制造。本发明之电子基板之制造方法包含以下步骤：于基板上形成布线图案；及使上述布线图案之一部分布线要素不同于其他部分，而形成电阻组件。根据该制造方法，以一部分布线图案的电阻值高于其他部分之方式使得布线要素不同，借此可容易地形成电阻组件。由于该电阻组件借由布线图案而形成，因此无需单独的用以形成电阻组件之制程，则可避免生产性之降低。借由调整布线图案之布线要素，可高精度地形成具有期望电阻值之电阻组件。该布线图案，可采用与电极部连接之结构，或至少一部分形成连接端子之结构。又，关于布线图案，亦可为与电极部连接且至少一部分连接外部端子之结构(例如，W－CSP(Wafer Level Chip Size Package)封装体)。该制造方法中，较好的是包含以下步骤：形成上述电阻组件；及去除一部分上述布线图案。该制造方法中，较好的是，上述布线图案具有第1图案、及第2图案，该第2图案系使用与上述第1图案不同之材料而形成于上述第1图案上，且形成上述电阻组件之步骤包含，去除对应于上述电阻组件之一部分上述第2图案的步骤。该制造方法中，例如借由蚀刻等去除一部分第2图案，借此可于布线图案上局部形成包含第1图案之电阻组件。借由选择对应第2图案之蚀刻材料，可容易地仅去除第2图案。该情形时，较好的是上述第1图案由电阻值大于上述第2图案之材料而形成。借此，能够容易地形成电阻值较大之电阻组件。该制造方法中，较好的是包含使用密封材料对上述电阻组件加以密封之步骤。借此，能够保护电阻组件，以防止腐蚀或短路。该制造方法中，较好的是进而包含下述步骤，即于上述布线图案上形成保护膜；及剥离上述布线图案之一部分区域的上述保护膜，而形成开口部；且形成上述电阻组件之步骤包含，经由上述开口部而去除一部分上述布线图案之步骤。借此，例如为设置焊球而使保护膜成膜时，若于连接端子上，形成连接端子用开口部并且形成电阻组件用开口部，且经由该电阻组件用开口部去除一部分布线图案，则无需另外设置形成电阻组件用开口部之步骤，故而能够容易地形成电阻组件。

10. 发明专利

TWI310226B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI310226B
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：TW095126059
申请日：2006-07-17
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：小原浩志 OHARA, HIROSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05644 , H01L2224/13099 , H01L2224/1319 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種可靠性高之半導體裝置及其製造方法。
該半導體裝置之製造方法,包含:準備具有複數個電極14,並於形成有電極14之面形成凹部15而成之半導體基板10之工序;於半導體基板10上,形成樹脂突起20使其一部分進入凹部15之工序;及於樹脂突起20上形成與複數個電極14中至少一個電性連接之配線30之工序。
简体摘要：本发明提供一种可靠性高之半导体设备及其制造方法。该半导体设备之制造方法,包含:准备具有复数个电极14,并于形成有电极14之面形成凹部15而成之半导体基板10之工序;于半导体基板10上,形成树脂突起20使其一部分进入凹部15之工序;及于树脂突起20上形成与复数个电极14中至少一个电性连接之配线30之工序。

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