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1. 发明专利

TWI652765B 半導體結構有权
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TWI652765B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106124945
申请日：2017-07-25
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN LUNG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538

2. 发明专利

TWI644406B 半導體封裝及其製造方法有权
简体标题：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TWI644406B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106103965
申请日：2017-02-07
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO-CHUN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60

3. 发明专利

TW201839944A 封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201839944A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106132993
申请日：2017-09-26
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN LUNG
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/60
摘要：一種封裝結構包含：半導體基板；焊墊設置於半導體基板之上；導電層設置該焊墊於之上；保護塗層；以及金屬凸塊設置於導電層之上，且該保護塗層覆蓋金屬凸塊，以避免金屬凸塊的氧化。
简体摘要：一种封装结构包含：半导体基板；焊垫设置于半导体基板之上；导电层设置该焊垫于之上；保护涂层；以及金属凸块设置于导电层之上，且该保护涂层覆盖金属凸块，以避免金属凸块的氧化。

4. 发明专利

TW201839907A 半導體結構审中-公开
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TW201839907A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106124945
申请日：2017-07-25
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN LUNG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
摘要：一種半導體結構包含基板、至少一半導體元件、矽通孔以及屏蔽結構。基板具有前側表面與後側表面。半導體元件設置於前側表面。矽通孔設置於基板中，其中矽通孔裸露於前側表面與後側表面，且矽通孔電性連接半導體元件。屏蔽結構設置於基板中且圍繞矽通孔，其中屏蔽結構裸露於前側表面，屏蔽結構與矽通孔電性絕緣，且屏蔽結構電性連接電源端或接地端。
简体摘要：一种半导体结构包含基板、至少一半导体组件、硅通孔以及屏蔽结构。基板具有前侧表面与后侧表面。半导体组件设置于前侧表面。硅通孔设置于基板中，其中硅通孔裸露于前侧表面与后侧表面，且硅通孔电性连接半导体组件。屏蔽结构设置于基板中且围绕硅通孔，其中屏蔽结构裸露于前侧表面，屏蔽结构与硅通孔电性绝缘，且屏蔽结构电性连接电源端或接地端。

5. 发明专利

TW201832338A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201832338A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106130435
申请日：2017-09-06
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO-CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN-LUNG
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/488
摘要：本揭露係關於一種半導體裝置及其製造方法，該半導體裝置具有由融熔接合技術形成之複數個接合的半導體元件。該等半導體元件具有複數個傳導部，其熱膨脹係數大於介電部的熱膨脹係數。在融熔接合技術之熱處理製程中，具有較高熱膨脹係數的傳導部的體積膨脹，可藉由凹部提供的膨脹空間予以容納。如此，藉由融熔接合技術接合該等半導體元件而形成的半導體裝置在兩個介電部之間的界面中不具有一橫向突出。因此，可以有效排除橫向突出造成的電性功能故障。
简体摘要：本揭露系关于一种半导体设备及其制造方法，该半导体设备具有由融熔接合技术形成之复数个接合的半导体组件。该等半导体组件具有复数个传导部，其热膨胀系数大于介电部的热膨胀系数。在融熔接合技术之热处理制程中，具有较高热膨胀系数的传导部的体积膨胀，可借由凹部提供的膨胀空间予以容纳。如此，借由融熔接合技术接合该等半导体组件而形成的半导体设备在两个介电部之间的界面中不具有一横向突出。因此，可以有效排除横向突出造成的电性功能故障。

6. 发明专利

TW201828429A 半導體封裝及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TW201828429A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106105559
申请日：2017-02-20
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO-CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN-LUNG
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
摘要：一種半導體封裝包含一半導體元件，該半導體元件具有一上表面與一側，其中該上表面與該側形成該半導體元件的一角部。該半導體封裝亦包含一橫向凸塊結構位於該側上並且實現該半導體元件的一橫向信號路徑。該半導體封裝另包含一垂直凸塊結構位於該上表面上並且實現該半導體元件的一垂直信號路徑。
简体摘要：一种半导体封装包含一半导体组件，该半导体组件具有一上表面与一侧，其中该上表面与该侧形成该半导体组件的一角部。该半导体封装亦包含一横向凸块结构位于该侧上并且实现该半导体组件的一横向信号路径。该半导体封装另包含一垂直凸块结构位于该上表面上并且实现该半导体组件的一垂直信号路径。

7. 发明专利

TW201828427A 導電連接結構审中-公开
简体标题：导电连接结构
公开(公告)号：TW201828427A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106107836
申请日：2017-03-09
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L23/42 , H01L23/535
摘要：導電連接結構包括半導體基板、導電柱及應力緩衝層。導電柱位於半導體基板中。應力緩衝層位於半導體基板與導電柱之間。導電柱具有突出部貫穿應力緩衝層。
简体摘要：导电连接结构包括半导体基板、导电柱及应力缓冲层。导电柱位于半导体基板中。应力缓冲层位于半导体基板与导电柱之间。导电柱具有突出部贯穿应力缓冲层。

8. 发明专利

TW201824493A 三維集成電路封裝及其製造方法审中-公开
简体标题：三维集成电路封装及其制造方法
公开(公告)号：TW201824493A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106101704
申请日：2017-01-18
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/60
摘要：一種三維集成電路(three dimensional integrated circuit；3DIC)封裝包含重分佈層、複數個半導體晶片與複數個電性凸塊。重分佈層具有第一表面以及第二表面，重分佈層具有鈍化材料。半導體晶片垂直地及順序地堆疊於第一表面上。電性凸塊設置於第二表面並通過重分佈層電性連接半導體晶片。
简体摘要：一种三维集成电路(three dimensional integrated circuit；3DIC)封装包含重分布层、复数个半导体芯片与复数个电性凸块。重分布层具有第一表面以及第二表面，重分布层具有钝化材料。半导体芯片垂直地及顺序地堆栈于第一表面上。电性凸块设置于第二表面并通过重分布层电性连接半导体芯片。

9. 发明专利

TW201822318A 半導體堆疊結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体堆栈结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201822318A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106101904
申请日：2017-01-19
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要：一種半導體堆疊結構包含基板與至少一導電體。基板具有至少一第一導通孔，第一導通孔形成於基板之邊緣。導電體位於第一導通孔，導電體以及第一導通孔其中之至少一暴露於基板之邊緣。
简体摘要：一种半导体堆栈结构包含基板与至少一导电体。基板具有至少一第一导通孔，第一导通孔形成于基板之边缘。导电体位于第一导通孔，导电体以及第一导通孔其中之至少一暴露于基板之边缘。

10. 发明专利

TW201816957A 電子結構與堆疊結構审中-公开
简体标题：电子结构与堆栈结构
公开(公告)号：TW201816957A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105140492
申请日：2016-12-07
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L23/42 , H01L23/48
摘要：一種電子結構包含第一板狀結構、第一接觸墊、第一接合件以及第二接合件。第一接觸墊設置於第一板狀結構上。第一接合件設置於第一接觸墊上，其中第一接合件具有第一楊氏模量。第二接合件設置於第一接合件上，其中第二接合件具有第二楊氏模量，且第二楊氏模量大於第一楊氏模量。
简体摘要：一种电子结构包含第一板状结构、第一接触垫、第一接合件以及第二接合件。第一接触垫设置于第一板状结构上。第一接合件设置于第一接触垫上，其中第一接合件具有第一杨氏模量。第二接合件设置于第一接合件上，其中第二接合件具有第二杨氏模量，且第二杨氏模量大于第一杨氏模量。

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