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3. 发明专利

TW201721776A 電子構件封裝以及包含該封裝的電子裝置审中-公开
简体标题：电子构件封装以及包含该封装的电子设备
公开(公告)号：TW201721776A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105121976
申请日：2016-07-13
申请人：三星電機股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：金漢 , KIM, HAN , 高永寬 , KO, YOUNG GWAN , 許康憲 , HUR, KANG HEON , 鄭景文 , JUNG, KYUNG MOON , 金成漢 , KIM, SUNG HAN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/481 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05025 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16227 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1815 , H01L2924/186 , H01L2924/2064 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121
摘要：一種電子構件封裝可包括：重新分配層，包括第一絕緣層、安置於第一絕緣層上的第一導電圖案、及第一通路，第一通路在穿透過第一絕緣層的同時連接至第一導電圖案；電子構件，安置於重新分配層上；以及囊封劑，囊封電子構件。第一通路具有水平橫截面形狀，在所述水平橫截面形狀中，在穿過第一通路的中心以及第一通路的第一邊緣點及第二邊緣點的第一方向上第一通路的第一邊緣點與第二邊緣點之間的距離短於在垂直於第一方向且穿過第一通路的中心以及第一通路的第三邊緣點及第四邊緣點的第二方向上第一通路的第三邊緣點與第四邊緣點之間的距離。
简体摘要：一种电子构件封装可包括：重新分配层，包括第一绝缘层、安置于第一绝缘层上的第一导电图案、及第一通路，第一通路在穿透过第一绝缘层的同时连接至第一导电图案；电子构件，安置于重新分配层上；以及囊封剂，囊封电子构件。第一通路具有水平横截面形状，在所述水平横截面形状中，在穿过第一通路的中心以及第一通路的第一边缘点及第二边缘点的第一方向上第一通路的第一边缘点与第二边缘点之间的距离短于在垂直于第一方向且穿过第一通路的中心以及第一通路的第三边缘点及第四边缘点的第二方向上第一通路的第三边缘点与第四边缘点之间的距离。

4. 发明专利

TW201707163A 半導體裝置以及形成具有反向金字塔狀空腔之半導體封裝的方法审中-公开
简体标题：半导体设备以及形成具有反向金字塔状空腔之半导体封装的方法
公开(公告)号：TW201707163A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105123739
申请日：2016-07-27
申请人：先科公司 , SEMTECH CORPORATION
发明人：侯客坤 , HO, KOK KHOON , 奇努薩米沙亞莫希 , CHINNUSAMY, SATYAMOORTHI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/3675 , H01L23/433 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/552 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/6677 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05575 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/13013 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16113 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/1713 , H01L2224/17181 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/80 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06537 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10322 , H01L2924/10324 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10335 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/3025 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/81
摘要：半導體裝置具有第一基板。傳導層被形成在第一基板上方。第一空腔被形成以穿過第一基板並且延伸至傳導層。包括多個第一互連結構的第一半導體晶粒被設置在第一空腔中。第二基板被設置於第一基板上方。第二空腔被形成以穿過第二基板。包括多個第二互連結構的第二半導體晶粒被設置在第二空腔中。離散裝置或第三半導體晶粒被設置於第二半導體晶粒上方。多個第三互連結構被形成在第二基板和離散裝置或第三半導體晶粒之間。第一、第二和第三互連結構被同時迴焊。囊封物被沉積於第一半導體晶粒、第二半導體晶粒和離散裝置或第三半導體晶粒上方和周圍。
简体摘要：半导体设备具有第一基板。传导层被形成在第一基板上方。第一空腔被形成以穿过第一基板并且延伸至传导层。包括多个第一互链接构的第一半导体晶粒被设置在第一空腔中。第二基板被设置于第一基板上方。第二空腔被形成以穿过第二基板。包括多个第二互链接构的第二半导体晶粒被设置在第二空腔中。离散设备或第三半导体晶粒被设置于第二半导体晶粒上方。多个第三互链接构被形成在第二基板和离散设备或第三半导体晶粒之间。第一、第二和第三互链接构被同时回焊。囊封物被沉积于第一半导体晶粒、第二半导体晶粒和离散设备或第三半导体晶粒上方和周围。

7. 发明专利

TW201314804A 半導體裝置以及形成用於傳導互連結構之保護和支撐結構之方法审中-公开
简体标题：半导体设备以及形成用于传导互链接构之保护和支撑结构之方法
公开(公告)号：TW201314804A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101129342
申请日：2012-08-14
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 陳康 , CHEN, KANG , 方建敏 , FANG, JIANMIN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/481 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0347 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05001 , H01L2224/05027 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/0554 , H01L2224/05548 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/10126 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/48091 , H01L2224/73104 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/01007 , H01L2924/01023 , H01L2924/00012
摘要：本發明提供一種半導體裝置，其包括一具有複數個接觸觸墊的半導體晶圓。一第一絕緣層會被形成在該半導體晶圓以及該等接觸觸墊的上方。該第一絕緣層的一部分會被移除，用以露出該等接觸觸墊的一第一部分，同時留下該等接觸觸墊中被覆蓋的一第二部分。一凸塊下層金屬層(under bump metallization layer)以及複數個凸塊會被形成在該等接觸觸墊以及該第一絕緣層的上方。一第二絕緣層會被形成在該第一絕緣層的上方、該凸塊下層金屬層的一側壁的上方、該等凸塊的側壁的上方、以及該等凸塊的上方表面的上方。該第二絕緣層中覆蓋該等凸塊之上方表面的一部分會被移除，但是，該第二絕緣層卻會被保留在該等凸塊的側壁的上方以及該凸塊下層金屬層的側壁的上方。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，其包括一具有复数个接触触垫的半导体晶圆。一第一绝缘层会被形成在该半导体晶圆以及该等接触触垫的上方。该第一绝缘层的一部分会被移除，用以露出该等接触触垫的一第一部分，同时留下该等接触触垫中被覆盖的一第二部分。一凸块下层金属层(under bump metallization layer)以及复数个凸块会被形成在该等接触触垫以及该第一绝缘层的上方。一第二绝缘层会被形成在该第一绝缘层的上方、该凸块下层金属层的一侧壁的上方、该等凸块的侧壁的上方、以及该等凸块的上方表面的上方。该第二绝缘层中覆盖该等凸块之上方表面的一部分会被移除，但是，该第二绝缘层却会被保留在该等凸块的侧壁的上方以及该凸块下层金属层的侧壁的上方。

8. 发明专利

TW201011878A 封裝結構暨封裝基板及其製法 PACKAGE STRUCTURE HAVING SUBSTRATE AND FABRICATION THEREOF 审中-公开
简体标题：封装结构暨封装基板及其制法 PACKAGE STRUCTURE HAVING SUBSTRATE AND FABRICATION THEREOF
公开(公告)号：TW201011878A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW097133692
申请日：2008-09-03
申请人：全懋精密科技股份有限公司
发明人：許詩濱
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K1/112 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05111 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/73203 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/3011 , H05K3/3436 , H05K2201/094 , H05K2201/09436 , H05K2201/09472 , H05K2201/09509 , H05K2201/10674 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , H01L2924/00014
摘要：一種封裝結構暨封裝基板及其製法，係包括：基板本體，其至少一表面具有複數矩陣排列之電性接觸墊，於該表面具有防焊層，且該防焊層具有複數對應外露各該電性接觸墊之開孔；第一化鍍層，係設於該電性接觸墊、開孔之孔壁及開孔周圍上；以及第二化鍍層，係設於該第一化鍍層上，構成一凹形的電性連接結構；俾於該電性接觸墊上形成厚度均勻且平坦的化鍍層，以避免封裝後的焊錫凸塊受到的應力個別差異過大，易導致焊錫凸塊於與電性接觸墊之界面發生斷裂，進而損害整體封裝結構等問題。
简体摘要：一种封装结构暨封装基板及其制法，系包括：基板本体，其至少一表面具有复数矩阵排列之电性接触垫，于该表面具有防焊层，且该防焊层具有复数对应外露各该电性接触垫之开孔；第一化镀层，系设于该电性接触垫、开孔之孔壁及开孔周围上；以及第二化镀层，系设于该第一化镀层上，构成一凹形的电性连接结构；俾于该电性接触垫上形成厚度均匀且平坦的化镀层，以避免封装后的焊锡凸块受到的应力个别差异过大，易导致焊锡凸块于与电性接触垫之界面发生断裂，进而损害整体封装结构等问题。

9. 发明专利

TWI320680B 電路板表面結構及其製法 CIRCUIT BOARD STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：电路板表面结构及其制法 CIRCUIT BOARD STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI320680B
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：TW096107787
申请日：2007-03-07
申请人：全懋精密科技股份有限公司
发明人：湯紹夏 , 王音統
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/3452 , H01L23/49811 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05111 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H05K3/243 , H05K3/3473 , H05K3/3484 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , H05K2201/09436 , H05K2203/054 , H05K2203/0577 , H05K2203/0594 , Y10T29/49124 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01024
摘要：一種電路板表面結構及其製法，該結構係包括：電路板，於該電路板之至少一表面具有複數電性連接墊；第一與第二絕緣保護層，係依序形成於該電路板之表面；第一及第二開孔，係分別形成貫穿該第一及第二絕緣保護層中，以露出該電路板表面之電性連接墊，且該第一及第二開孔係呈上窄下寬之孔形，並使該第一開孔之孔徑大於該第二開孔之孔徑；以及導電元件，係形成於該第一及第二開孔中之電性連接墊表面；俾增加後續形成於該第一及第二開孔中之導電元件與其下之電性連接墊之結合強度。 A circuit board structure and a fabrication method thereof are proposed. The circuit board structure includes a circuit board having a plurality of electrical connecting pads disposed on at least one surface thereof; a first and a second insulating protective layers formed on the surface of the circuit board; a first and a second openings formed in the insulating protective layers to expose the electrical connecting pads from the surface of the circuit board, wherein the first and second openings are tapered off from the tip to the end and the diameter of the first opening is larger than that of the second opening; and a conductive element formed in the first and second openings, thereby increasing the contact area to strengthen the bonding of the connecting pads and the conductive element formed in the first and second openings. 【創作特點】鑒於上述習知技術之缺失，本發明之主要目的在於提供一種電路板表面結構及其製法，得增強導電元件與電路板上電性連接墊之結合強度。
本發明之又一目的在於提供一種電路板表面結構及其製法，得滿足高階電子產品之電性連接墊間所需的細間距。
為達上述及其他目的，本發明提出一種電路板表面結構，係包括：電路板，於該電路板之至少一表面具有複數電性連接墊；第一絕緣保護層與第二絕緣保護層，係依序形成於該電路板之表面；第一開孔及第二開孔，係分別形成貫穿該第一及第二絕緣保護層中，以露出該電路板表面之電性連接墊，且該第一及第二開孔係呈上窄下寬之孔形，並使該第一開孔之孔徑大於該第二開孔之孔徑；以及導電元件，係形成於該第一及第二開孔中之電性連接墊表面。
該第一絕緣保護層與第二絕緣保護層之組成比例不同，該第一絕緣保護層之光聚合反應材料(如具Acrylate基團之材料)之比例較該第二絕緣保護層之光聚合反應材料低，即該第一及第二絕緣保護層均係為感光高分子，惟該第一絕緣保護層係具有防焊或不具有防焊效果，該第二絕緣保護層則具有防焊效果。
該導電元件係為焊錫(Solder)或金屬凸塊，該焊錫之材料係選自鉛、錫、銀、銅、金、鉍、銻、鋅、鎳、鋯、鎂、銦、碲以及鎵所組成群組之其中一者，該金屬凸塊之材料係為銅。
復包括電性連接墊與導電元件之間具有一導電層，該導電層之材料係選自銅、錫、鎳、鉻、鈦、銅－鉻合金所組成群組之其中一者，或該導電層之材料係為導電高分子。
本發明復提供一種電路板表面結構之製法，係包括：提供一電路板，於該電路板之至少一表面形成有複數電性連接墊；於該電路板之表面依序形成第一絕緣保護層與第二絕緣保護層；於該第一絕緣保護層與第二保護層中分別形成貫穿該第一及第二絕緣保護層之第一開孔及第二開孔，以露出該電路板表面之電性連接墊，且該第一及第二開孔係呈上窄下寬之孔形，並使該第一開孔之孔徑大於該第二開孔之孔徑；以及於該第一及第二開孔中之電性連接墊表面形成有一導電元件。
該第一絕緣保護層與第二絕緣保護層之組成比例不同，該第一絕緣保護層之光聚合反應材料(如具Acrylate基團之材料)之比例較該第二絕緣保護層之光聚合反應材料低，即該第一及第二絕緣保護層均係為感光高分子，惟該第一絕緣保護層係具有防焊或不具有防焊效果，該第二絕緣保護層則必須具有防焊效果。
該導電元件之製程係包括：於該第二絕緣保護層表面、第一及第二開孔中形成有一導電層；於該導電層上形成有一阻層，並形成有第三開口以露出該電性連接墊表面之導電層；於該第三開口中之電性連接墊表面電鍍形成有一導電元件；以及移除該阻層及其所覆蓋之導電層。
該導電層之材料係選自銅、錫、鎳、鉻、鈦、銅－鉻合金所組成群組之其中一者，或該導電層之材料係為導電高分子。
該導電元件係為焊錫(Solder)或金屬凸塊，該焊錫之材料係選自鉛、錫、銀、銅、金、鉍、銻、鋅、鎳、鋯、鎂、銦、碲以及鎵所組成群組之其中一者，該金屬凸塊之材料係為銅；該阻層係為乾膜及液態光阻之其中一者，且該阻層係以印刷、旋塗或貼合之其中一方式形成於該導電層表面，並藉由曝光、顯影加以圖案化者。
該導電元件為焊錫時，該導電元件之另一形成方式，係於該第二絕緣保護層表面以模版印刷製程形成於該第一及第二開孔中。
綜上所述，本發明電路板表面結構及其製法，主要係先於形成有電性連接墊之電路板表面形成組成不同之第一及第二絕緣保護層，並經由曝光、顯影之製程後，使該第一絕緣保護層中之第一開孔的孔徑大於該第二絕緣保護層之第二開孔的孔徑，並使該第一及第二開孔組成之孔形呈一正錐孔結構，俾以增加形成於該第一及第二開孔中之導電元件於該第一及第二絕緣保護層中之結合強度，以避免習知焊錫結構不易附著在電路板之電性連接墊表面，而無法滿足高階電子產品各電性連接墊間所需之細間距之缺失。
简体摘要：一种电路板表面结构及其制法，该结构系包括：电路板，于该电路板之至少一表面具有复数电性连接垫；第一与第二绝缘保护层，系依序形成于该电路板之表面；第一及第二开孔，系分别形成贯穿该第一及第二绝缘保护层中，以露出该电路板表面之电性连接垫，且该第一及第二开孔系呈上窄下宽之孔形，并使该第一开孔之孔径大于该第二开孔之孔径；以及导电组件，系形成于该第一及第二开孔中之电性连接垫表面；俾增加后续形成于该第一及第二开孔中之导电组件与其下之电性连接垫之结合强度。 A circuit board structure and a fabrication method thereof are proposed. The circuit board structure includes a circuit board having a plurality of electrical connecting pads disposed on at least one surface thereof; a first and a second insulating protective layers formed on the surface of the circuit board; a first and a second openings formed in the insulating protective layers to expose the electrical connecting pads from the surface of the circuit board, wherein the first and second openings are tapered off from the tip to the end and the diameter of the first opening is larger than that of the second opening; and a conductive element formed in the first and second openings, thereby increasing the contact area to strengthen the bonding of the connecting pads and the conductive element formed in the first and second openings. 【创作特点】鉴于上述习知技术之缺失，本发明之主要目的在于提供一种电路板表面结构及其制法，得增强导电组件与电路板上电性连接垫之结合强度。本发明之又一目的在于提供一种电路板表面结构及其制法，得满足高级电子产品之电性连接垫间所需的细间距。为达上述及其他目的，本发明提出一种电路板表面结构，系包括：电路板，于该电路板之至少一表面具有复数电性连接垫；第一绝缘保护层与第二绝缘保护层，系依序形成于该电路板之表面；第一开孔及第二开孔，系分别形成贯穿该第一及第二绝缘保护层中，以露出该电路板表面之电性连接垫，且该第一及第二开孔系呈上窄下宽之孔形，并使该第一开孔之孔径大于该第二开孔之孔径；以及导电组件，系形成于该第一及第二开孔中之电性连接垫表面。该第一绝缘保护层与第二绝缘保护层之组成比例不同，该第一绝缘保护层之光聚合反应材料(如具Acrylate基团之材料)之比例较该第二绝缘保护层之光聚合反应材料低，即该第一及第二绝缘保护层均系为感光高分子，惟该第一绝缘保护层系具有防焊或不具有防焊效果，该第二绝缘保护层则具有防焊效果。该导电组件系为焊锡(Solder)或金属凸块，该焊锡之材料系选自铅、锡、银、铜、金、铋、锑、锌、镍、锆、镁、铟、碲以及镓所组成群组之其中一者，该金属凸块之材料系为铜。复包括电性连接垫与导电组件之间具有一导电层，该导电层之材料系选自铜、锡、镍、铬、钛、铜－铬合金所组成群组之其中一者，或该导电层之材料系为导电高分子。本发明复提供一种电路板表面结构之制法，系包括：提供一电路板，于该电路板之至少一表面形成有复数电性连接垫；于该电路板之表面依序形成第一绝缘保护层与第二绝缘保护层；于该第一绝缘保护层与第二保护层中分别形成贯穿该第一及第二绝缘保护层之第一开孔及第二开孔，以露出该电路板表面之电性连接垫，且该第一及第二开孔系呈上窄下宽之孔形，并使该第一开孔之孔径大于该第二开孔之孔径；以及于该第一及第二开孔中之电性连接垫表面形成有一导电组件。该第一绝缘保护层与第二绝缘保护层之组成比例不同，该第一绝缘保护层之光聚合反应材料(如具Acrylate基团之材料)之比例较该第二绝缘保护层之光聚合反应材料低，即该第一及第二绝缘保护层均系为感光高分子，惟该第一绝缘保护层系具有防焊或不具有防焊效果，该第二绝缘保护层则必须具有防焊效果。该导电组件之制程系包括：于该第二绝缘保护层表面、第一及第二开孔中形成有一导电层；于该导电层上形成有一阻层，并形成有第三开口以露出该电性连接垫表面之导电层；于该第三开口中之电性连接垫表面电镀形成有一导电组件；以及移除该阻层及其所覆盖之导电层。该导电层之材料系选自铜、锡、镍、铬、钛、铜－铬合金所组成群组之其中一者，或该导电层之材料系为导电高分子。该导电组件系为焊锡(Solder)或金属凸块，该焊锡之材料系选自铅、锡、银、铜、金、铋、锑、锌、镍、锆、镁、铟、碲以及镓所组成群组之其中一者，该金属凸块之材料系为铜；该阻层系为干膜及液态光阻之其中一者，且该阻层系以印刷、旋涂或贴合之其中一方式形成于该导电层表面，并借由曝光、显影加以图案化者。该导电组件为焊锡时，该导电组件之另一形成方式，系于该第二绝缘保护层表面以模版印刷制程形成于该第一及第二开孔中。综上所述，本发明电路板表面结构及其制法，主要系先于形成有电性连接垫之电路板表面形成组成不同之第一及第二绝缘保护层，并经由曝光、显影之制程后，使该第一绝缘保护层中之第一开孔的孔径大于该第二绝缘保护层之第二开孔的孔径，并使该第一及第二开孔组成之孔形呈一正锥孔结构，俾以增加形成于该第一及第二开孔中之导电组件于该第一及第二绝缘保护层中之结合强度，以避免习知焊锡结构不易附着在电路板之电性连接垫表面，而无法满足高级电子产品各电性连接垫间所需之细间距之缺失。

10. 发明专利

TW200902672A 電路構件連接用黏著劑及使用其之半導體裝置失效
简体标题：电路构件连接用黏着剂及使用其之半导体设备
公开(公告)号：TW200902672A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097100995
申请日：2008-01-10
申请人：日立化成工業股份有限公司 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：永井朗 NAGAI, AKIRA
IPC分类号： C09J , H01L
CPC分类号： C09J11/04 , C08K3/08 , C08K3/22 , C08L2666/28 , C09J163/00 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/05111 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/0558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29369 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83851 , H01L2224/90 , H01L2224/9211 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/01063 , H01L2924/01066 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/15788 , H01L2924/00011 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要：一種電路構件連接用黏著劑,其為介在具有突出連接端子之半導體晶片與形成有配線圖型之基板之間,藉由加壓.加熱,使相對向之前述連接端子與前述配線圖型電性連接,同時前述半導體晶片與前述基板黏著者,其特徵為:該電路構件連接用黏著劑含有:含有熱塑性樹脂、交聯性樹脂及形成交聯構造於該交聯性樹脂之硬化劑的樹脂組成物,與分散於該樹脂組成物中之複合氧化物粒子。
简体摘要：一种电路构件连接用黏着剂,其为介在具有突出连接端子之半导体芯片与形成有配线图型之基板之间,借由加压.加热,使相对向之前述连接端子与前述配线图型电性连接,同时前述半导体芯片与前述基板黏着者,其特征为:该电路构件连接用黏着剂含有:含有热塑性树脂、交联性树脂及形成交联构造于该交联性树脂之硬化剂的树脂组成物,与分散于该树脂组成物中之复合氧化物粒子。

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