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1. 发明专利

TW201812914A 半導體裝置之製造方法、真空處理裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、真空处理设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201812914A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123735
申请日：2017-07-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八田浩一 , YATSUDA, KOICHI , 早川崇 , HAYAKAWA, TAKASHI , 奧野洋 , OKUNO, HIROSHI , 新納禮二 , NIINO, REIJI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 山口達也 , YAMAGUCHI, TATSUYA
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/02118 , H01L21/02271 , H01L21/02282 , H01L21/31116 , H01L21/31127 , H01L21/31138 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/67225 , H01L21/768 , H01L23/53238 , H01L23/53295
摘要：本發明之目的係將用以蝕刻形成於基板上之被蝕刻膜的遮罩，在進行該蝕刻後用簡易之方法在抑制被蝕刻膜之破壞的情形下去除。本發明之解決手段係實施以下步驟：供給聚合用原料至形成有被蝕刻膜(20)之基板(晶圓W)的表面，形成由具有脲鍵之聚合物形成的遮罩用膜(23)；在前述遮罩用膜(23)中形成蝕刻用之圖案(28)；接著，使用前述圖案(28)藉由處理氣體蝕刻前述被蝕刻膜(20)；及然後，加熱前述基板使前述聚合物解聚合以去除前述遮罩用膜(23)。
简体摘要：本发明之目的系将用以蚀刻形成于基板上之被蚀刻膜的遮罩，在进行该蚀刻后用简易之方法在抑制被蚀刻膜之破坏的情形下去除。本发明之解决手段系实施以下步骤：供给聚合用原料至形成有被蚀刻膜(20)之基板(晶圆W)的表面，形成由具有脲键之聚合物形成的遮罩用膜(23)；在前述遮罩用膜(23)中形成蚀刻用之图案(28)；接着，使用前述图案(28)借由处理气体蚀刻前述被蚀刻膜(20)；及然后，加热前述基板使前述聚合物解聚合以去除前述遮罩用膜(23)。

2. 发明专利

TWI598959B 於抗反射塗佈層蝕刻期間使用碳以改良粗糙度及提升選擇性的方法有权
简体标题：于抗反射涂布层蚀刻期间使用碳以改良粗糙度及提升选择性的方法
公开(公告)号：TWI598959B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105104226
申请日：2016-02-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：哈斯托基維納亞克 , RASTOGI, VINAYAK , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/0276 , H01L21/31127

3. 发明专利

TW201719753A 於抗反射塗佈層蝕刻期間使用碳以改良粗糙度及提升選擇性的方法审中-公开
简体标题：于抗反射涂布层蚀刻期间使用碳以改良粗糙度及提升选择性的方法
公开(公告)号：TW201719753A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105104226
申请日：2016-02-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：哈斯托基維納亞克 , RASTOGI, VINAYAK , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/0276 , H01L21/31127
摘要：描述一種將圖案層下方之含矽ARC(抗反射塗佈)層圖案化的方法，該方法包含建立流向電漿處理系統的處理氣體之流量、選擇可增加含矽ARC層相對於圖案層之蝕刻選擇性的處理條件、根據該處理條件使用電漿源而從處理氣體點燃電漿、及將基板暴露於電漿以使圖案層的特徵圖案延伸進含矽ARC層中。處理氣體包含第一氣態分子成分、第二氣態分子成分、及第三氣態分子成分，該第一氣態分子成分係由C、F、及選用性的H所構成，該第二氣態分子成分係由C、F、及選用性的H所構成，該第三氣態分子成分係由C、與選自於由H及F所組成之群組的元素所構成。
简体摘要：描述一种将图案层下方之含硅ARC(抗反射涂布)层图案化的方法，该方法包含创建流向等离子处理系统的处理气体之流量、选择可增加含硅ARC层相对于图案层之蚀刻选择性的处理条件、根据该处理条件使用等离子源而从处理气体点燃等离子、及将基板暴露于等离子以使图案层的特征图案延伸进含硅ARC层中。处理气体包含第一气态分子成分、第二气态分子成分、及第三气态分子成分，该第一气态分子成分系由C、F、及选用性的H所构成，该第二气态分子成分系由C、F、及选用性的H所构成，该第三气态分子成分系由C、与选自于由H及F所组成之群组的元素所构成。

4. 发明专利

TW201643957A 晶圓的分割方法审中-公开
简体标题：晶圆的分割方法
公开(公告)号：TW201643957A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105107374
申请日：2016-03-10
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：大浦幸伸 , OHURA, YUKINOBU , 山下陽平 , YAMASHITA, YOHEI , 熊澤哲 , KUMAZAWA, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/30655 , H01L21/3081 , H01L21/31127 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：本發明的課題是可有效率地將晶圓分割成各個的晶片。其解決手段，晶圓的分割方法是包含：在晶圓(W)的表面(Wa)形成水溶性保護膜(6a)之保護膜形成工程；沿著渠道(S)來除去水溶性保護膜(6a)而形成蝕刻遮罩之遮罩形成工程；隔著由水溶性保護膜(6a)所成的遮罩來電漿蝕刻渠道(S)部分之電漿蝕刻工程；及對水溶性保護膜(6a)供給洗淨水而除去之保護膜除去工程。在電漿蝕刻後的保護膜除去時，只要由水供給部(31)來將洗淨水供給至水溶性保護膜(6a)，便可容易從晶圓(W)的表面(Wa)除去水溶性保護膜(6a)。因此，例如阻劑膜形成裝置或灰化裝置等的各種的設備不需要，可一面抑制成本，一面效率佳地將晶圓(W)分割成各個的晶片。
简体摘要：本发明的课题是可有效率地将晶圆分割成各个的芯片。其解决手段，晶圆的分割方法是包含：在晶圆(W)的表面(Wa)形成水溶性保护膜(6a)之保护膜形成工程；沿着渠道(S)来除去水溶性保护膜(6a)而形成蚀刻遮罩之遮罩形成工程；隔着由水溶性保护膜(6a)所成的遮罩来等离子蚀刻渠道(S)部分之等离子蚀刻工程；及对水溶性保护膜(6a)供给洗净水而除去之保护膜除去工程。在等离子蚀刻后的保护膜除去时，只要由水供给部(31)来将洗净水供给至水溶性保护膜(6a)，便可容易从晶圆(W)的表面(Wa)除去水溶性保护膜(6a)。因此，例如阻剂膜形成设备或灰化设备等的各种的设备不需要，可一面抑制成本，一面效率佳地将晶圆(W)分割成各个的芯片。

5. 发明专利

TW201601208A 用於電漿切割期間之切割膠帶熱管理之冷卻軸架审中-公开
简体标题：用于等离子切割期间之切割胶带热管理之冷却轴架
公开(公告)号：TW201601208A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104115639
申请日：2015-05-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：那葛利羅伊C , NANGOY, ROY C.
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/82
CPC分类号： H01L21/82 , H01J37/32091 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31127 , H01L21/67069 , H01L21/67207 , H01L21/673 , H01L21/78
摘要：本案描述了用於切割半導體晶圓之方法及設備，每一晶圓上具有複數個積體電路。在一實例中，電漿蝕刻腔室包括安置在電漿蝕刻腔室之上部區域中之電漿源。電漿蝕刻腔室亦包括安置在電漿源下方之陰極總成。陰極總成包括冷卻射頻供電卡盤以用於支撐基板載體的背側之內側部分。陰極總成亦包括冷卻射頻隔離支撐件，該射頻隔離支撐件圍繞但隔離於射頻供電卡盤。射頻隔離支撐件用於支撐基板載體背側之外側部分。
简体摘要：本案描述了用于切割半导体晶圆之方法及设备，每一晶圆上具有复数个集成电路。在一实例中，等离子蚀刻腔室包括安置在等离子蚀刻腔室之上部区域中之等离子源。等离子蚀刻腔室亦包括安置在等离子源下方之阴极总成。阴极总成包括冷却射频供电卡盘以用于支撑基板载体的背侧之内侧部分。阴极总成亦包括冷却射频隔离支撑件，该射频隔离支撑件围绕但隔离于射频供电卡盘。射频隔离支撑件用于支撑基板载体背侧之外侧部分。

6. 发明专利

TW201326323A 硬化性組成物、塗佈用組成物、硬化膜、雷射加工方法、及多層配線構造體之製造方法审中-公开
简体标题：硬化性组成物、涂布用组成物、硬化膜、激光加工方法、及多层配线构造体之制造方法
公开(公告)号：TW201326323A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101142821
申请日：2012-11-16
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：伊藤昌宏 , ITO, MASAHIRO , 鶴岡薰 , TSURUOKA, KAORI , 桑名保宏 , KUWANA, YASUHIRO , 永井雄介 , NAGAI, YUSUKE
IPC分类号： C09D171/10 , C09D7/12 , H05K3/46 , H05K3/22 , B23K26/38 , H01L29/786
CPC分类号： C09D167/06 , B23K26/0066 , B23K26/361 , C08F257/02 , C08G63/00 , C08G65/48 , C08J3/24 , C08J2365/00 , C08K5/0025 , C08K5/07 , C08K5/101 , C08K5/3475 , C08K5/3492 , C08L67/06 , C09D151/003 , H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/31127 , H01L23/49894 , H01L23/5329 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08F222/1006
摘要：本發明係提供一種可製得介電係數及吸水性都很低，且可進行雷射加工之硬化膜的硬化性組成物、該硬化膜之雷射加工方法、及多層配線構造體之製造方法。本發明之硬化性組成物係含有具交聯性官能基之含氟聚伸芳基預聚物(A)者，本發明之雷射加工方法係對使該組成物硬化而製得之硬化膜照射雷射光而將該硬化膜之一部分去除者，本發明之多層配線構造體之製造方法具有下述步驟：藉由該加工方法，對由該硬化膜構成之絕緣膜形成通孔。
简体摘要：本发明系提供一种可制得介电系数及吸水性都很低，且可进行激光加工之硬化膜的硬化性组成物、该硬化膜之激光加工方法、及多层配线构造体之制造方法。本发明之硬化性组成物系含有具交联性官能基之含氟聚伸芳基预聚物(A)者，本发明之激光加工方法系对使该组成物硬化而制得之硬化膜照射激光光而将该硬化膜之一部分去除者，本发明之多层配线构造体之制造方法具有下述步骤：借由该加工方法，对由该硬化膜构成之绝缘膜形成通孔。

7. 发明专利

TW201131629A 保護膜形成用藥液审中-公开
简体标题：保护膜形成用药液
公开(公告)号：TW201131629A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099137048
申请日：2010-10-28
申请人：中央硝子股份有限公司
发明人：齋藤真規 , 荒田忍 , 齋尾崇 , 公文創一 , 七井秀壽 , 赤松佳則
IPC分类号： H01L , C11D
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D1/002 , C11D1/004 , C11D1/04 , C11D1/40 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/0212 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/31127
摘要：本發明係揭示一種晶圓之撥水性保護膜形成用藥液,其特徵在於:其係在進行如下晶圓之清洗時用以至少於下述凹部表面形成撥水性保護膜之含有撥水性保護膜形成劑之藥液,該晶圓係於表面形成有微細之凹凸圖案之晶圓中,該凹凸圖案之至少凹部表面之一部分包含選自由鈦、氮化鈦、鎢、鋁、銅、錫、氮化鉭、釕、及矽所組成之群中之至少1種物質之晶圓;且該撥水性保護膜形成劑為非水溶性之界面活性劑。藉由該藥液形成之撥水性保護膜可防止清洗步驟中之晶圓之圖案崩塌。
简体摘要：本发明系揭示一种晶圆之拨水性保护膜形成用药液,其特征在于:其系在进行如下晶圆之清洗时用以至少于下述凹部表面形成拨水性保护膜之含有拨水性保护膜形成剂之药液,该晶圆系于表面形成有微细之凹凸图案之晶圆中,该凹凸图案之至少凹部表面之一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌、及硅所组成之群中之至少1种物质之晶圆;且该拨水性保护膜形成剂为非水溶性之界面活性剂。借由该药液形成之拨水性保护膜可防止清洗步骤中之晶圆之图案崩塌。

8. 发明专利

TW201622001A 蝕刻有機膜之方法审中-公开
简体标题：蚀刻有机膜之方法
公开(公告)号：TW201622001A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104135530
申请日：2015-10-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：北村彰規 , KITAMURA, AKINORI , 狩生幸佑 , KARIU, KOSUKE , 小津俊久 , OZU, TOSHIHISA , 李海雨 , LEE, HAI WOO
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/31138 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J2237/334 , H01J2237/3341 , H01L21/02071 , H01L21/0271 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/31116 , H01L21/31127 , H01L21/31144 , H01L21/32136
摘要：抑制對於基底層之損傷並蝕刻有機膜。一實施形態之方法係含有在收納被處理體之電漿處理裝置的處理容器內蝕刻該有機膜之工序。此工序會將含有氫氣及氮氣之處理氣體供給至處理容器內，以生成處理氣體之電漿。氫氣佔處理氣體流量之流量比例係被設定為35%以上，且75%以下的比例。又，用以將離子吸引至被處理體之高頻偏壓電力係被設定為50W以上，且135W以下的範圍之電力。
简体摘要：抑制对于基底层之损伤并蚀刻有机膜。一实施形态之方法系含有在收纳被处理体之等离子处理设备的处理容器内蚀刻该有机膜之工序。此工序会将含有氢气及氮气之处理气体供给至处理容器内，以生成处理气体之等离子。氢气占处理气体流量之流量比例系被设置为35%以上，且75%以下的比例。又，用以将离子吸引至被处理体之高频偏压电力系被设置为50W以上，且135W以下的范围之电力。

9. 发明专利

TW201533851A 晶圓之加工方法审中-公开
简体标题：晶圆之加工方法
公开(公告)号：TW201533851A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW104100294
申请日：2015-01-06
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：淀良彰 , YODO, YOSHIAKI
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/3043 , H01L21/31105 , H01L21/31127 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：本發明之課題在於提供一種可以將在積層於基板表面的功能層上以形成為格子狀的複數條分割預定線所劃分的複數個區域中形成有裝置的晶圓，於不對裝置產生不良影響的情形下分割成一個個裝置的晶圓之加工方法。解決手段為晶圓之加工方法，其含有：切削溝形成步驟，從基板B的背面Bb側將切削刀片12定位於與分割預定線S相對應的區域，留下不到功能層的一部分，而形成切削溝；以及功能層切斷步驟，沿著形成於構成晶圓的功能層之分割預定線照射雷射光線，將功能層燒蝕加工而切斷，且在切削溝形成步驟中，是在晶圓W的外周區域留下未切削部，並沿著分割預定線形成切削溝。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可以将在积层于基板表面的功能层上以形成为格子状的复数条分割预定线所划分的复数个区域中形成有设备的晶圆，于不对设备产生不良影响的情形下分割成一个个设备的晶圆之加工方法。解决手段为晶圆之加工方法，其含有：切削沟形成步骤，从基板B的背面Bb侧将切削刀片12定位于与分割预定线S相对应的区域，留下不到功能层的一部分，而形成切削沟；以及功能层切断步骤，沿着形成于构成晶圆的功能层之分割预定线照射激光光线，将功能层烧蚀加工而切断，且在切削沟形成步骤中，是在晶圆W的外周区域留下未切削部，并沿着分割预定线形成切削沟。

10. 发明专利

TW201515063A 非微影圖案化導引自我組合校準促進層审中-公开
简体标题：非微影图案化导引自我组合校准促进层
公开(公告)号：TW201515063A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103121022
申请日：2014-06-18
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：布里斯托羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 胡拉尼拉米 , HOURANI, RAMI , 韓應諾 , HAN, EUNGNAK , 布雷克威爾詹姆士 , BLACKWELL, JAMES M.
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/28 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76897 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , H01L21/02118 , H01L21/0271 , H01L21/31051 , H01L21/31127 , H01L21/76822 , H01L21/76834 , H01L23/528 , H01L23/5328 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種態樣的方法包括形成一導引自我組合校準促進層在具有一第一圖案化區域和一第二圖案化區域之一基板的一表面上方。第一導引自我組合校準促進材料係選擇性地形成在第一圖案化區域上方而無須使用微影圖案化。方法也包括藉由導引自我組合來形成一組合層在導引自我組合校準促進層上方。形成了複數個組合結構，其各主要地包括在第一導引自我組合校準促進材料上方的一第一型聚合物。組合結構各被在第二圖案化區域上方之不同的一第二型聚合物相鄰地圍繞。第一導引自我組合校準促進材料對第一型聚合物比對不同的第二型聚合物具有較大化學親合性。
简体摘要：一种态样的方法包括形成一导引自我组合校准促进层在具有一第一图案化区域和一第二图案化区域之一基板的一表面上方。第一导引自我组合校准促进材料系选择性地形成在第一图案化区域上方而无须使用微影图案化。方法也包括借由导引自我组合来形成一组合层在导引自我组合校准促进层上方。形成了复数个组合结构，其各主要地包括在第一导引自我组合校准促进材料上方的一第一型聚合物。组合结构各被在第二图案化区域上方之不同的一第二型聚合物相邻地围绕。第一导引自我组合校准促进材料对第一型聚合物比对不同的第二型聚合物具有较大化学亲合性。

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