专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202018818A 半導體裝置之製造方法、真空處理裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、真空处理设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW202018818A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW109101438
申请日：2017-07-17
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八田浩一 , YATSUDA, KOICHI , 早川崇 , HAYAKAWA, TAKASHI , 奧野洋 , OKUNO, HIROSHI , 新納禮二 , NIINO, REIJI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 山口達也 , YAMAGUCHI, TATSUYA
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67
摘要：本發明之目的係將用以蝕刻形成於基板上之被蝕刻膜的遮罩，在進行該蝕刻後用簡易之方法在抑制被蝕刻膜之破壞的情形下去除。本發明之解決手段係實施以下步驟：供給聚合用原料至形成有被蝕刻膜(20)之基板(晶圓W)的表面，形成由具有脲鍵之聚合物形成的遮罩用膜(23)；在前述遮罩用膜(23)中形成蝕刻用之圖案(28)；接著，使用前述圖案(28)藉由處理氣體蝕刻前述被蝕刻膜(20)；及然後，加熱前述基板使前述聚合物解聚合以去除前述遮罩用膜(23)。
简体摘要：本发明之目的系将用以蚀刻形成于基板上之被蚀刻膜的遮罩，在进行该蚀刻后用简易之方法在抑制被蚀刻膜之破坏的情形下去除。本发明之解决手段系实施以下步骤：供给聚合用原料至形成有被蚀刻膜(20)之基板(晶圆W)的表面，形成由具有脲键之聚合物形成的遮罩用膜(23)；在前述遮罩用膜(23)中形成蚀刻用之图案(28)；接着，使用前述图案(28)借由处理气体蚀刻前述被蚀刻膜(20)；及然后，加热前述基板使前述聚合物解聚合以去除前述遮罩用膜(23)。

2. 发明专利

TWI550128B 膜沉積裝置有权
简体标题：膜沉积设备
公开(公告)号：TWI550128B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW101108336
申请日：2012-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山口達也 , YAMAGUCHI, TATSUYA , 石田雅史 , ISHIDA, MASAFUMI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 大向時雨 , OHMUKAI, SHIGURE , 安藤厚司 , ANDO, ATSUSHI
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： H01L21/02118 , B05D1/36 , B05D1/60 , B05D3/104 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , H01L21/67757

3. 发明专利

TW201405657A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201405657A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102113659
申请日：2013-04-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 原田宗生 , HARADA, MUNEO
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02118 , B05D1/36 , B05D1/60 , B05D2490/50 , C23C16/4408 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02359 , H01L21/76831 , H01L21/76898
摘要：一種成膜方法，包含：收納被處理體的步驟；將以酸酐形成的第1原料氣體及以二胺形成的第2原料氣體供給至經抽真空的處理容器內的步驟；在該被處理體的表面形成以高分子膜形成的緣膜的步驟；及在停止將該第2原料氣體供給至該處理容器內的同時，持續將該第1原料氣體供給至該處理容器內，以將該緣膜改質而使該緣膜具有阻障功能的步驟。
简体摘要：一种成膜方法，包含：收纳被处理体的步骤；将以酸酐形成的第1原料气体及以二胺形成的第2原料气体供给至经抽真空的处理容器内的步骤；在该被处理体的表面形成以高分子膜形成的缘膜的步骤；及在停止将该第2原料气体供给至该处理容器内的同时，持续将该第1原料气体供给至该处理容器内，以将该缘膜改质而使该缘膜具有阻障功能的步骤。

4. 发明专利

TWI700731B 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及真空處理裝置有权
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及真空处理设备
公开(公告)号：TWI700731B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW107107513
申请日：2018-03-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山口達也 , YAMAGUCHI, TATSUYA , 新納禮二 , NIINO, REIJI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 野澤秀二 , NOZAWA, SYUJI , 藤川誠 , FUJIKAWA, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/67

5. 发明专利

TW201812914A 半導體裝置之製造方法、真空處理裝置及基板處理裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、真空处理设备及基板处理设备
公开(公告)号：TW201812914A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123735
申请日：2017-07-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八田浩一 , YATSUDA, KOICHI , 早川崇 , HAYAKAWA, TAKASHI , 奧野洋 , OKUNO, HIROSHI , 新納禮二 , NIINO, REIJI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 山口達也 , YAMAGUCHI, TATSUYA
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/02118 , H01L21/02271 , H01L21/02282 , H01L21/31116 , H01L21/31127 , H01L21/31138 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/67225 , H01L21/768 , H01L23/53238 , H01L23/53295
摘要：本發明之目的係將用以蝕刻形成於基板上之被蝕刻膜的遮罩，在進行該蝕刻後用簡易之方法在抑制被蝕刻膜之破壞的情形下去除。本發明之解決手段係實施以下步驟：供給聚合用原料至形成有被蝕刻膜(20)之基板(晶圓W)的表面，形成由具有脲鍵之聚合物形成的遮罩用膜(23)；在前述遮罩用膜(23)中形成蝕刻用之圖案(28)；接著，使用前述圖案(28)藉由處理氣體蝕刻前述被蝕刻膜(20)；及然後，加熱前述基板使前述聚合物解聚合以去除前述遮罩用膜(23)。
简体摘要：本发明之目的系将用以蚀刻形成于基板上之被蚀刻膜的遮罩，在进行该蚀刻后用简易之方法在抑制被蚀刻膜之破坏的情形下去除。本发明之解决手段系实施以下步骤：供给聚合用原料至形成有被蚀刻膜(20)之基板(晶圆W)的表面，形成由具有脲键之聚合物形成的遮罩用膜(23)；在前述遮罩用膜(23)中形成蚀刻用之图案(28)；接着，使用前述图案(28)借由处理气体蚀刻前述被蚀刻膜(20)；及然后，加热前述基板使前述聚合物解聚合以去除前述遮罩用膜(23)。

6. 发明专利

TW201438147A 貫通柱之形成方法及電子製品之製造方法审中-公开
简体标题：贯通柱之形成方法及电子制品之制造方法
公开(公告)号：TW201438147A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103101511
申请日：2014-01-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：城俊彥 , JO, TOSHIHIKO , 杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 原田宗生 , HARADA, MUNEO
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/76885 , H01L23/522 , H01L25/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係揭示一種貫通柱之形成方法。其中，係以包含下述步驟的方法，來形成貫通柱：從基板(1)表面，朝向該基板(1)內形成孔洞狀之凹槽(3)的步驟；在該凹槽(3)內形成第1絕緣膜(4)的步驟；在形成有該第1絕緣膜(4)的凹槽(3)內，形成作為貫通柱之導電體膜(6V)的步驟；使與該基板(1)表面相對的該基板的背面退後，並從該基板(1)背面，使在內側包覆該導電體膜(6V)的該第1絕緣膜(4)突出的步驟；在該基板(1)的背面上，及從該基板(1)背面突出的該第1絕緣膜(4)上，形成第2絕緣膜(9)的步驟；使該第2絕緣膜(9)、該第1絕緣膜(4)及該導電體膜(6V)後退，以使該導電體膜(6V)露出至外部的步驟。另外，第2絕緣膜(9)係以高分子膜所形成。
简体摘要：本发明系揭示一种贯通柱之形成方法。其中，系以包含下述步骤的方法，来形成贯通柱：从基板(1)表面，朝向该基板(1)内形成孔洞状之凹槽(3)的步骤；在该凹槽(3)内形成第1绝缘膜(4)的步骤；在形成有该第1绝缘膜(4)的凹槽(3)内，形成作为贯通柱之导电体膜(6V)的步骤；使与该基板(1)表面相对的该基板的背面退后，并从该基板(1)背面，使在内侧包覆该导电体膜(6V)的该第1绝缘膜(4)突出的步骤；在该基板(1)的背面上，及从该基板(1)背面突出的该第1绝缘膜(4)上，形成第2绝缘膜(9)的步骤；使该第2绝缘膜(9)、该第1绝缘膜(4)及该导电体膜(6V)后退，以使该导电体膜(6V)露出至外部的步骤。另外，第2绝缘膜(9)系以高分子膜所形成。

7. 发明专利

TW201842980A 成膜裝置、成膜方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201842980A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107107523
申请日：2018-03-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤川誠 , FUJIKAWA, MAKOTO , 新納禮二 , NIINO, REIJI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 山口達也 , YAMAGUCHI, TATSUYA , 野澤秀二 , NOZAWA, SYUJI
IPC分类号： B05D1/00
摘要：本發明提供一種技術，該技術係對在縱型之反應容器內被固持成棚架狀的複數片基板進行成膜處理時，可分別控制基板之中心部的膜厚與基板之周緣部的膜厚。本發明之成膜裝置係包括如下之構件的裝置，成膜氣體噴吐部41，係被設置於在反應容器11內之基板W之固持區域的後方，並噴吐該成膜氣體；排氣口15，係被設置於基板W之固持區域的前方，並排出成膜氣體；轉動機構34，係用以使基板固持件21繞縱軸轉動；以及加熱部24，係將反應容器11內加熱至比從成膜氣體噴吐部41所噴吐之成膜氣體的溫度更低的溫度。在成膜氣體噴吐部41，第1氣體噴吐口43係為了使所噴吐之成膜氣體碰撞反應容器11內之氣體降溫用構件並被降溫、第2氣體噴吐口42係為了使所噴吐之成膜氣體不碰撞氣體降溫用構件，而分別在相異的方向開口。
简体摘要：本发明提供一种技术，该技术系对在纵型之反应容器内被固持成棚架状的复数片基板进行成膜处理时，可分别控制基板之中心部的膜厚与基板之周缘部的膜厚。本发明之成膜设备系包括如下之构件的设备，成膜气体喷吐部41，系被设置于在反应容器11内之基板W之固持区域的后方，并喷吐该成膜气体；排气口15，系被设置于基板W之固持区域的前方，并排出成膜气体；转动机构34，系用以使基板固持件21绕纵轴转动；以及加热部24，系将反应容器11内加热至比从成膜气体喷吐部41所喷吐之成膜气体的温度更低的温度。在成膜气体喷吐部41，第1气体喷吐口43系为了使所喷吐之成膜气体碰撞反应容器11内之气体降温用构件并被降温、第2气体喷吐口42系为了使所喷吐之成膜气体不碰撞气体降温用构件，而分别在相异的方向开口。

8. 发明专利

TWI545223B 表面處理方法及薄膜沉積方法有权
简体标题：表面处理方法及薄膜沉积方法
公开(公告)号：TWI545223B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101109536
申请日：2012-03-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山口達也 , YAMAGUCHI, TATSUYA , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0271 , B05D1/60 , B05D1/62 , H01L21/02118 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/02315 , H01L21/306

9. 发明专利

TWI689988B 半導體裝置之製造方法、真空處理裝置及基板處理裝置有权
简体标题：半导体设备之制造方法、真空处理设备及基板处理设备
公开(公告)号：TWI689988B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW106123735
申请日：2017-07-17
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八田浩一 , YATSUDA, KOICHI , 早川崇 , HAYAKAWA, TAKASHI , 奧野洋 , OKUNO, HIROSHI , 新納禮二 , NIINO, REIJI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 山口達也 , YAMAGUCHI, TATSUYA
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67

10. 发明专利

TW201903894A 半導體裝置之製造方法及真空處理裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及真空处理设备
公开(公告)号：TW201903894A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107107517
申请日：2018-03-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山口達也 , YAMAGUCHI, TATSUYA , 新納禮二 , NIINO, REIJI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 野澤秀二 , NOZAWA, SYUJI , 藤川誠 , FUJIKAWA, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/266 , H01L21/308 , H01L21/67
摘要：本發明之目的在於提供一種可在基板上形成之膜上形成微細的圖案，使半導體裝置微細化的技術。為達此目的，進行以下步驟：將聚合用之原料供給至基板之表面，形成由具有脲鍵之聚合物所形成的第一膜(12)；接著，蝕刻前述第一膜(12)以形成圖案(17)；及接著，加熱前述基板使前述聚合物解聚合，同時將與前述聚合用之原料反應產生生成物之反應氣體供給至該基板，以取代前述第一膜(12)之方式形成由與該第一膜不同之材質構成的第二膜(18)。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可在基板上形成之膜上形成微细的图案，使半导体设备微细化的技术。为达此目的，进行以下步骤：将聚合用之原料供给至基板之表面，形成由具有脲键之聚合物所形成的第一膜(12)；接着，蚀刻前述第一膜(12)以形成图案(17)；及接着，加热前述基板使前述聚合物解聚合，同时将与前述聚合用之原料反应产生生成物之反应气体供给至该基板，以取代前述第一膜(12)之方式形成由与该第一膜不同之材质构成的第二膜(18)。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式