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1. 发明专利

TW201710555A 用於乾氣相化學蝕刻一結構之方法及設備审中-公开
简体标题：用于干气相化学蚀刻一结构之方法及设备
公开(公告)号：TW201710555A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105123267
申请日：2016-07-22
申请人： SPTS科技公司 , SPTS TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：紐曼約翰 , NEUMANN, JOHN , 雷鮑茲奇雷斯S , LEBOUITZ, KYLE S
IPC分类号： C23F1/08 , C23C28/04 , C23F1/12
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/0212 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/67069
摘要：本發明係提供乾氣相化學蝕刻一結構之方法，包含下列步驟：於一蝕刻室定位該結構，該結構包含一第一材料及一第二材料，其中第一材料係選自於矽、鉬、鍺、矽鍺、及鎢，第二材料係二氧化矽或氮化矽，且第一材料之至少一表面係經曝露，以便可由氣相化學蝕刻劑接觸；以及以惰性氣體氟化物或鹵素氟化物氣相化學蝕刻劑蝕刻第一材料；本方法進一步包含將蝕刻室曝露於水蒸氣之步驟，以使蝕刻第一材料之步驟於水蒸氣存在下進行。
简体摘要：本发明系提供干气相化学蚀刻一结构之方法，包含下列步骤：于一蚀刻室定位该结构，该结构包含一第一材料及一第二材料，其中第一材料系选自于硅、钼、锗、硅锗、及钨，第二材料系二氧化硅或氮化硅，且第一材料之至少一表面系经曝露，以便可由气相化学蚀刻剂接触；以及以惰性气体氟化物或卤素氟化物气相化学蚀刻剂蚀刻第一材料；本方法进一步包含将蚀刻室曝露于水蒸气之步骤，以使蚀刻第一材料之步骤于水蒸气存在下进行。

2. 发明专利

TWI553712B 用以減少蝕刻時對於低Ｋ閘極間隔物之損壞的方法有权
简体标题：用以减少蚀刻时对于低Ｋ闸极间隔物之损坏的方法
公开(公告)号：TWI553712B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW102110048
申请日：2013-03-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK , 萊利安潔莉D , RALEY, ANGELIQUE D.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0206 , H01J37/32082 , H01J2237/334 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L29/4983 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/6653 , H01L29/6656

3. 发明专利

TW201620135A 鰭式場效電晶體裝置結構及其形成方法审中-公开
简体标题：鳍式场效应管设备结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201620135A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104132973
申请日：2015-10-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳建穎 , CHEN, CHANG YIN , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 倪俊龍 , NI, CHUN LUNG , 林志忠 , LIN, JR JUNG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0206 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要：本揭露提供一種鰭式場效電晶體裝置結構及其形成方法。鰭式場效電晶體包括基板以及延伸高於基板的第一鰭式結構與第二鰭式結構。鰭式場效電晶體亦包括形成於第一鰭式結構之上的第一電晶體及形成於第二鰭式結構之上的第二電晶體。鰭式場效電晶體亦包括層間介電層結構形成於第一電晶體與第二電晶體之間的一末端對末端間距(end-to-end gap)之中，且此末端對末端間距具有一寬度為約20nm至約40nm。
简体摘要：本揭露提供一种鳍式场效应管设备结构及其形成方法。鳍式场效应管包括基板以及延伸高于基板的第一鳍式结构与第二鳍式结构。鳍式场效应管亦包括形成于第一鳍式结构之上的第一晶体管及形成于第二鳍式结构之上的第二晶体管。鳍式场效应管亦包括层间介电层结构形成于第一晶体管与第二晶体管之间的一末端对末端间距(end-to-end gap)之中，且此末端对末端间距具有一宽度为约20nm至约40nm。

4. 发明专利

TWI503345B 樹脂組成物，絕緣膜，膜形成之方法及電子零件有权
简体标题：树脂组成物，绝缘膜，膜形成之方法及电子零件
公开(公告)号：TWI503345B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW100143158
申请日：2011-11-24
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：岡庭求樹 , OKANIWA, MOTOKI , 宇野高明 , UNO, TAKAAKI , 岡田敬 , OKADA, TAKASHI
IPC分类号： C08G61/12 , C08J5/18 , H01L21/312
CPC分类号： H01B3/427 , C08G65/4006 , C08G65/4031 , H01L21/0212 , H01L21/02282

5. 发明专利

TWI449105B 層間絕緣膜、配線構造、電子裝置與前述各項之製造方法失效
简体标题：层间绝缘膜、配线构造、电子设备与前述各项之制造方法
公开(公告)号：TWI449105B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW096142448
申请日：2007-11-09
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 安田聖治 , YASUDA, SEIJI , 井之口敦智 , INOKUCHI, ATSUTOSHI , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI , 川村剛平 , KAWAMURA, KOHEI
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201313481A 層積體之製造方法、基板之處理方法及層積體审中-公开
简体标题：层积体之制造方法、基板之处理方法及层积体
公开(公告)号：TW201313481A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101122076
申请日：2012-06-20
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：藤井恭 , FUJII, YASUSHI , 御嶽達弘 , MITAKE, TATSUHIRO , 松下淳 , MATSUSHITA, ATSUSHI
IPC分类号： B32B38/00 , B32B7/06 , C23C16/513
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/26 , C23C16/505 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10T428/31504
摘要：藉由使用高頻電力來執行電漿CVD法而形成分離層(3)，該分離層(3)設於基板(1)與支撐體(4)之間，形成為藉由吸收隔著支撐體(4)而照射的光而會變質；該高頻電力係設定成比引發模式跳躍的電力還大。
简体摘要：借由使用高频电力来运行等离子CVD法而形成分离层(3)，该分离层(3)设于基板(1)与支撑体(4)之间，形成为借由吸收隔着支撑体(4)而照射的光而会变质；该高频电力系设置成比引发模式跳跃的电力还大。

7. 发明专利

TWI384547B 半導體裝置，半導體裝置之製造方法及電漿ＣＶＤ用氣體有权
简体标题：半导体设备，半导体设备之制造方法及等离子ＣＶＤ用气体
公开(公告)号：TWI384547B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW093124392
申请日：2004-08-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日本傑恩股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：小林保男 , KOBAYASHI, YASUO , 川村剛平 , KAWAMURA, KOHEI , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 杉本達也 , SUGIMOTO, TATSUYA , 山田俊郎 , YAMADA, TOSHIRO , 田中公章 , TANAKA, KIMIAKI
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146

8. 发明专利

TW201213279A 電漿反應用氣體及其利用 GAS FOR PLASMA REACTION AND ITS APPLICATION 审中-公开
简体标题：等离子反应用气体及其利用 GAS FOR PLASMA REACTION AND ITS APPLICATION
公开(公告)号：TW201213279A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100122112
申请日：2011-06-24
申请人：日本瑞翁股份有限公司
发明人：鈴木健文
IPC分类号： C07C , C23C , H01L
CPC分类号： C07C21/20 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/31111
摘要：本發明係一種電漿反應用氣體，其特徵為含有1,1,2,4,4-五氟-1,3-丁二烯；一種乾蝕刻方法，其包含將該電漿反應用氣體供給於處理容器內，在該容器內使被蝕刻基體乾蝕刻之步驟；及一種氟碳膜之成膜方法，其包含將該電漿反應用氣體供給於處理容器內，在該容器內於被處理物之表面，以CVD法使氟碳膜成膜之步驟。本發明之電漿反應用氣體，係在氣體容器或氣體流通之裝置內部(尤其是配管等之連接部分)難以產生雜質之粒子之物。根據本發明之乾蝕刻法，可使更微細直徑(minute diameter)、高縱橫比之接觸孔洞(contact hole)，形成大致垂直且無頸縮(necking)的良好形狀。又，根據使用本發明之電漿反應用氣體之成膜方法，可穩定地再現性良好的使氟碳膜成膜。
简体摘要：本发明系一种等离子反应用气体，其特征为含有1,1,2,4,4-五氟-1,3-丁二烯；一种干蚀刻方法，其包含将该等离子反应用气体供给于处理容器内，在该容器内使被蚀刻基体干蚀刻之步骤；及一种氟碳膜之成膜方法，其包含将该等离子反应用气体供给于处理容器内，在该容器内于被处理物之表面，以CVD法使氟碳膜成膜之步骤。本发明之等离子反应用气体，系在气体容器或气体流通之设备内部(尤其是配管等之连接部分)难以产生杂质之粒子之物。根据本发明之干蚀刻法，可使更微细直径(minute diameter)、高纵横比之接触孔洞(contact hole)，形成大致垂直且无颈缩(necking)的良好形状。又，根据使用本发明之等离子反应用气体之成膜方法，可稳定地再现性良好的使氟碳膜成膜。

9. 发明专利

TW201140795A 層間絕緣膜及配線構造與此等之製造方法 INTERLAYER INSULATION FILM AND WIRING STRUCTURE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 失效
简体标题：层间绝缘膜及配线构造与此等之制造方法 INTERLAYER INSULATION FILM AND WIRING STRUCTURE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW201140795A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100117287
申请日：2006-06-20
申请人：國立大學法人東北大學 , 財團法人國際科學振興財團
发明人：大見忠弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49894 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02329 , H01L21/0234 , H01L21/02362 , H01L21/3127 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種低介電常數且不產生CFx、SiF4等氣體之安定之半導體裝置的層間絕緣膜及具有該等層間絕緣膜之配線構造。於具有形成在底層上之絕緣膜的層間絕緣膜，前述層間絕緣膜的有效介電常數為3以下。配線構造具有：層間絕緣膜；形成於層間絕緣膜之接觸孔；以及充填於前述接觸孔內之金屬；並且前述絕緣膜具有：形成於前述底層上之表面氮化之氟化碳膜。
简体摘要：一种低介电常数且不产生CFx、SiF4等气体之安定之半导体设备的层间绝缘膜及具有该等层间绝缘膜之配线构造。于具有形成在底层上之绝缘膜的层间绝缘膜，前述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。配线构造具有：层间绝缘膜；形成于层间绝缘膜之接触孔；以及充填于前述接触孔内之金属；并且前述绝缘膜具有：形成于前述底层上之表面氮化之氟化碳膜。

10. 发明专利

TW201120943A 藉由加入少量矽之非晶碳的含氧摻雜以改善氟碳化物膜之黏著性的技術 TECHNIQUE FOR IMPROVING THE ADHESIVENESS OF FLUOROCARBON (CFX) FILM BY OXYGEN-CONTAINING DOPING OF AMORPHOUS CARBON (SMALL AMOUNT OF SILICON ADDED) 审中-公开
简体标题：借由加入少量硅之非晶碳的含氧掺杂以改善氟碳化物膜之黏着性的技术 TECHNIQUE FOR IMPROVING THE ADHESIVENESS OF FLUOROCARBON (CFX) FILM BY OXYGEN-CONTAINING DOPING OF AMORPHOUS CARBON (SMALL AMOUNT OF SILICON ADDED)
公开(公告)号：TW201120943A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099120838
申请日：2010-06-25
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：菊地良幸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/022 , C23C16/30 , C23C16/45563 , C23C16/511 , H01L21/02115 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146
摘要：一種在絕緣層上形成非晶碳層的方法，包含利用電漿反應處理來形成非晶碳層之步驟。此非晶碳層是在含有電漿激活氣體、CxHy系列氣體、含矽氣體、和含氧氣體的氣體環境中形成。
简体摘要：一种在绝缘层上形成非晶碳层的方法，包含利用等离子反应处理来形成非晶碳层之步骤。此非晶碳层是在含有等离子激活气体、CxHy系列气体、含硅气体、和含氧气体的气体环境中形成。

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