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1. 发明专利

TW202022917A 電子束介導電漿蝕刻及沉積製程之設備及方法审中-公开
简体标题：电子束介导等离子蚀刻及沉积制程之设备及方法
公开(公告)号：TW202022917A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108131486
申请日：2019-09-02
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：凡特薩克彼得 , VENTZEK, PETER , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01J37/147 , H01L21/3065 , H01L21/20
摘要：所揭示之實施例將電子束施加至微電子工件之基板以改善電漿蝕刻及沉積製程。使電子束產生並利用DC(直流)偏壓、RF(射頻)電漿源、及/或其他電子束產生及控制技術以將電子束導向基板表面。對於某些實施例而言，受DC偏壓的RF電漿源(例如DC疊加(DCS)或混合式DC-RF源)係用以在與受DC偏壓之電極相對的表面上提供可控的電子束。對於某些進一步的實施例而言，受DC偏壓之電極為脈衝的。此外，電子束亦可經由從外部及/或非雙極性源提取電子束而產生。所揭示之技術亦可與額外的電子束源及/或額外的蝕刻或沉積製程一起使用。
简体摘要：所揭示之实施例将电子束施加至微电子工件之基板以改善等离子蚀刻及沉积制程。使电子束产生并利用DC(直流)偏压、RF(射频)等离子源、及/或其他电子束产生及控制技术以将电子束导向基板表面。对于某些实施例而言，受DC偏压的RF等离子源(例如DC叠加(DCS)或混合式DC-RF源)系用以在与受DC偏压之电极相对的表面上提供可控的电子束。对于某些进一步的实施例而言，受DC偏压之电极为脉冲的。此外，电子束亦可经由从外部及/或非双极性源提取电子束而产生。所揭示之技术亦可与额外的电子束源及/或额外的蚀刻或沉积制程一起使用。

2. 发明专利

TW202004819A 控制處理電漿中之離子能量分佈的設備及方法审中-公开
简体标题：控制处理等离子中之离子能量分布的设备及方法
公开(公告)号：TW202004819A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108112298
申请日：2019-04-09
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 美商MKS儀器公司 , MKS INSTRUMENTS, INC.
发明人：吉田祐介 , YOSHIDA, YUSUKE , 沃羅寧謝爾蓋 , VORONIN, SERGEY , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK , 辜姆大衛 J , COUMOU, DAVID J. , 懷特史考特 E , WHITE, SCOTT E.
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/32
摘要：將多諧波頻率成分使用於電漿處理中之電漿激發。控制不同頻率成分之間的相對振幅及/或相移，俾提供期望的離子能量電漿性質。相對振幅及/或相移可在沒有直接及/或手動的離子能量量測之情況下加以控制。相對地，可透過監視電漿設備中的一或更多電特性(例如，阻抗位準、射頻(RF)產生器中的電信號、匹配網路中的電信號、及電漿處理設備之其他電路中的電信號)，而動態地控制電漿內的離子能量。可在電漿處理期間動態地完成離子能量之監視及控制，俾維持期望的離子能量分佈。
简体摘要：将多谐波频率成分使用于等离子处理中之等离子激发。控制不同频率成分之间的相对振幅及/或相移，俾提供期望的离子能量等离子性质。相对振幅及/或相移可在没有直接及/或手动的离子能量量测之情况下加以控制。相对地，可透过监视等离子设备中的一或更多电特性(例如，阻抗位准、射频(RF)产生器中的电信号、匹配网络中的电信号、及等离子处理设备之其他电路中的电信号)，而动态地控制等离子内的离子能量。可在等离子处理期间动态地完成离子能量之监视及控制，俾维持期望的离子能量分布。

3. 发明专利

TWI679676B 處理微電子工件的系統與方法有权
简体标题：处理微电子工件的系统与方法
公开(公告)号：TWI679676B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW106140217
申请日：2017-11-21
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：沃羅寧謝爾蓋 , VORONIN, SERGEY , 馬里昂傑生 , MARION, JASON , 吉田祐介 , YOSHIDA, YUSUKE , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK , 榎本隆 , ENOMOTO, TAKASHI , 石川吉夫 , ISHIKAWA, YOSHIO
IPC分类号： H01J37/32

4. 发明专利

TW201842574A 矽氮化物之準原子層蝕刻方法审中-公开
简体标题：硅氮化物之准原子层蚀刻方法
公开(公告)号：TW201842574A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107106123
申请日：2018-02-23
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：夏爾巴索南 , SHERPA, SONAM , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213
摘要：描述一種蝕刻的方法。該方法包含提供具有包含矽氮化物的第一材料及不同於該第一材料之第二材料的一基板；藉由電漿激發包含H及選用性地包含一惰性氣體之第一處理氣體以形成第一化學混合物；以及將在該基板上的該第一材料暴露於該第一化學混合物。其後，該方法包含藉由電漿激發包含S、F及選用性地包含一惰性元素之第二處理氣體而形成第二化學混合物；以及將在該基板上的該第一材料暴露於經電漿激發的該第二處理氣體，以相對於該第二材料選擇性地蝕該第一材料。
简体摘要：描述一种蚀刻的方法。该方法包含提供具有包含硅氮化物的第一材料及不同于该第一材料之第二材料的一基板；借由等离子激发包含H及选用性地包含一惰性气体之第一处理气体以形成第一化学混合物；以及将在该基板上的该第一材料暴露于该第一化学混合物。其后，该方法包含借由等离子激发包含S、F及选用性地包含一惰性元素之第二处理气体而形成第二化学混合物；以及将在该基板上的该第一材料暴露于经等离子激发的该第二处理气体，以相对于该第二材料选择性地蚀该第一材料。

5. 发明专利

TW201826380A 交叉構造之圖案化方法审中-公开
简体标题：交叉构造之图案化方法
公开(公告)号：TW201826380A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106132155
申请日：2017-09-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：沃羅寧謝爾蓋 , VORONIN, SERGEY , 塔洛内克里斯多佛 , TALONE, CHRISTOPHER , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/70
摘要：本說明書提供一種在圖案化系統中使用整合方案將基板上之結構圖案化的方法，其步驟包含：將一基板置於一處理室中，該基板具有複數個結構及一圖案，該基板包含一下伏層以及一目標層，至少一結構與另一結構交叉，每一交叉部具有一交叉角度以及一角落，該整合方案需要在每一交叉部有一垂直角落輪廓；於該基板上交替且依序地執行蝕刻及清洗，以將該圖案轉移至該目標層上，並在每一個交叉部達成一目標垂直角落輪廓；在該交替且依序執行之蝕刻及清洗處理操作中，控制該整合方案中選定之兩個或更多的操作變數，以達成目標整合目的。
简体摘要：本说明书提供一种在图案化系统中使用集成方案将基板上之结构图案化的方法，其步骤包含：将一基板置于一处理室中，该基板具有复数个结构及一图案，该基板包含一下伏层以及一目标层，至少一结构与另一结构交叉，每一交叉部具有一交叉角度以及一角落，该集成方案需要在每一交叉部有一垂直角落轮廓；于该基板上交替且依序地运行蚀刻及清洗，以将该图案转移至该目标层上，并在每一个交叉部达成一目标垂直角落轮廓；在该交替且依序运行之蚀刻及清洗处理操作中，控制该集成方案中选定之两个或更多的操作变量，以达成目标集成目的。

6. 发明专利

TW201806029A 使用氫電漿之矽提取方法审中-公开
简体标题：使用氢等离子之硅提取方法
公开(公告)号：TW201806029A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106117826
申请日：2017-05-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：夏爾巴索南 D , SHERPA, SONAM D. , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/0337 , H01L21/32137
摘要：一種使用氫電漿之矽提取的方法已在各種實施例中加以揭示。該基板處理方法包含：提供一基板，該基板包含由矽所組成的一第一材料及不同於該第一材料的一第二材料；形成含有H2及選用性的Ar之經電漿激發的一處理氣體；及將該基板曝露於經電漿激發的該處理氣體，以相對於該第二材料選擇性地蝕刻該第一材料。根據一實施例，該第二材料係選自由SiN、SiO2、及其組合組成的群組。
简体摘要：一种使用氢等离子之硅提取的方法已在各种实施例中加以揭示。该基板处理方法包含：提供一基板，该基板包含由硅所组成的一第一材料及不同于该第一材料的一第二材料；形成含有H2及选用性的Ar之经等离子激发的一处理气体；及将该基板曝露于经等离子激发的该处理气体，以相对于该第二材料选择性地蚀刻该第一材料。根据一实施例，该第二材料系选自由SiN、SiO2、及其组合组成的群组。

7. 发明专利

TWI598960B 經由碳-氟含量之調整而在抗反射塗佈層蝕刻期間用以改良粗糙度及提升選擇性的方法有权
简体标题：经由碳-氟含量之调整而在抗反射涂布层蚀刻期间用以改良粗糙度及提升选择性的方法
公开(公告)号：TWI598960B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105104230
申请日：2016-02-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：哈斯托基維納亞克 , RASTOGI, VINAYAK , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/3003 , H01L21/02381 , H01L21/0276 , H01L21/31116 , H01L22/12

8. 发明专利

TWI579892B 用以形成具有多膜層的間隔壁之蝕刻方法有权
简体标题：用以形成具有多膜层的间隔壁之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI579892B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104104326
申请日：2015-02-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：帕金森布雷克 , PARKINSON, BLAKE , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/2633 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/31105 , H01L21/823431 , H01L29/66795

9. 发明专利

TWI518797B 用於鰭式場效電晶體之深寬比依存的沉積以改善閘極間隔物輪廓、鰭損耗及硬遮罩損耗有权
简体标题：用于鳍式场效应管之深宽比依存的沉积以改善闸极间隔物轮廓、鳍损耗及硬遮罩损耗
公开(公告)号：TWI518797B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW102112917
申请日：2013-04-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK , 萊利安潔莉D , RALEY, ANGELIQUE D.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/76
CPC分类号： H01L29/66795

10. 发明专利

TW201517168A 橫向修整硬遮罩的方法审中-公开
简体标题：横向修整硬遮罩的方法
公开(公告)号：TW201517168A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103129412
申请日：2014-08-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK , 沃羅寧謝爾蓋A , VORONIN, SERGEY A.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/3086 , H01L21/31116
摘要：本文之技術包括了在聚合氟碳電漿中可控制性橫向蝕刻介電層的方法。此方法可包括使用遮罩修整步驟作為一部分矽蝕刻製程的介電層堆疊蝕刻。使用氟碳混合物進行介電層遮罩修整提供了數個優點，例如：其應用上直接簡單、並且為製程流程提供了額外的靈活性。因此，本文之技術提供了一種矯正或調整硬遮罩上之CD的方法。一般而言，此技術可包括使用氟基及氟碳基（或氟烴基）化學品來產生電漿、以及控制此二化學品的比例。在沒有於此所揭露之硬遮罩修整方法的情況下，若硬遮罩CD未達目標，則晶圓便要報廢。在具有如於此所揭露之矽蝕刻中的硬遮罩修整功能的情況下，則能重新達到規定CD之目標以排除晶圓報廢。
简体摘要：本文之技术包括了在聚合氟碳等离子中可控制性横向蚀刻介电层的方法。此方法可包括使用遮罩修整步骤作为一部分硅蚀刻制程的介电层堆栈蚀刻。使用氟碳混合物进行介电层遮罩修整提供了数个优点，例如：其应用上直接简单、并且为制程流程提供了额外的灵活性。因此，本文之技术提供了一种矫正或调整硬遮罩上之CD的方法。一般而言，此技术可包括使用氟基及氟碳基（或氟烃基）化学品来产生等离子、以及控制此二化学品的比例。在没有于此所揭露之硬遮罩修整方法的情况下，若硬遮罩CD未达目标，则晶圆便要报废。在具有如于此所揭露之硅蚀刻中的硬遮罩修整功能的情况下，则能重新达到规定CD之目标以排除晶圆报废。

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