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1. 发明专利

TW201727692A 脈衝式電漿半導體裝置製造中自由基密度、離子密度及離子能量之獨立控制用方法與系統审中-公开
简体标题：脉冲式等离子半导体设备制造中自由基密度、离子密度及离子能量之独立控制用方法与系统
公开(公告)号：TW201727692A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135198
申请日：2016-10-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：譚忠魁 , TAN, ZHONGKUI , 符謙 , FU, QIAN , 吳垠 , WU, YING , 許青 , XU, QING
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/308
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0656 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/308
摘要：針對第一時期，施加較高的射頻功率，俾產生電漿以暴露到基板，同時施加低偏壓至基板位準。針對第二時期，施加較低的射頻功率，俾產生電漿，同時施加高偏壓至基板位準。以交替且接續的方式重複執行第一時期與第二時期，達在基板上產生期望效果所必需的總時期。在一些實施例中，第一時期比第二時期短，使得在時間平均的基礎上，電漿具有比自由基密度大的離子密度。在一些實施例中，第一時期比第二時期長，使得在時間平均的基礎上，電漿具有比自由基密度小的離子密度。
简体摘要：针对第一时期，施加较高的射频功率，俾产生等离子以暴露到基板，同时施加低偏压至基板位准。针对第二时期，施加较低的射频功率，俾产生等离子，同时施加高偏压至基板位准。以交替且接续的方式重复运行第一时期与第二时期，达在基板上产生期望效果所必需的总时期。在一些实施例中，第一时期比第二时期短，使得在时间平均的基础上，等离子具有比自由基密度大的离子密度。在一些实施例中，第一时期比第二时期长，使得在时间平均的基础上，等离子具有比自由基密度小的离子密度。

2. 发明专利

TW201606896A 用於直通矽晶穿孔露出應用的端點偵測系統及方法审中-公开
简体标题：用于直通硅晶穿孔露出应用的端点侦测系统及方法
公开(公告)号：TW201606896A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104113461
申请日：2015-04-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：米勒艾倫傑弗瑞 , MILLER, ALAN JEFFREY , 塞維拉諾伊夫里歐 , SEVILLANO, EVELIO , 路克豪爾赫 , LUQUE, JORGE , 貝利三世安祖D , BAILEY III, ANDREW D. , 許青 , XU, QING
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/3065 , H01L21/67253 , H01L21/76898 , H01L22/12
摘要：用於處理半導體晶圓的系統與方法，包括一電漿處理腔室。該電漿處理腔室包括一外部、具有晶圓接收裝置的一內部區域、以及設置在該電漿處理腔室之側壁上的一觀察孔，其提供從該外部到接收於該晶圓接收裝置的晶圓之目檢(visual access)。一照相機在外部架設到該電漿處理腔室的觀察孔，並與一影像處理器結合。該影像處理器包括圖案識別邏輯，用於將該照相機所捕捉並傳送的浮現圖案之影像，與一參考圖案匹配，並在當偵測到匹配者之時，產生界定端點的訊號。一系統製程控制器，其與該影像處理器以及該電漿處理腔室結合，用於接收來自該影像處理器的訊號，並調整一或更多來源的控制項以停止蝕刻操作。
简体摘要：用于处理半导体晶圆的系统与方法，包括一等离子处理腔室。该等离子处理腔室包括一外部、具有晶圆接收设备的一内部区域、以及设置在该等离子处理腔室之侧壁上的一观察孔，其提供从该外部到接收于该晶圆接收设备的晶圆之目检(visual access)。一照相机在外部架设到该等离子处理腔室的观察孔，并与一影像处理器结合。该影像处理器包括图案识别逻辑，用于将该照相机所捕捉并发送的浮现图案之影像，与一参考图案匹配，并在当侦测到匹配者之时，产生界定端点的信号。一系统制程控制器，其与该影像处理器以及该等离子处理腔室结合，用于接收来自该影像处理器的信号，并调整一或更多来源的控件以停止蚀刻操作。

3. 发明专利

TW201727737A 使用對於電漿功率位準起反應之雙模態處理氣體組成物的電漿蝕刻方法與系統审中-公开
简体标题：使用对于等离子功率位准起反应之双模态处理气体组成物的等离子蚀刻方法与系统
公开(公告)号：TW201727737A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135196
申请日：2016-10-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：譚忠魁 , TAN, ZHONGKUI , 符謙 , FU, QIAN , 吳垠 , WU, YING , 許青 , XU, QING
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31116
摘要：基板係設置於製程模組內的基板固持器上。該基板包含上覆於目標材料的遮罩材料，其中該目標材料的至少一部分係透過該遮罩材料中的開口而暴露。雙模態處理氣體組成物係供應至上覆於該基板的電漿產生區域。在第一時段期間，將第一射頻功率施加至該雙模態處理氣體組成物以產生電漿，以在該基板上引起蝕刻主導的作用。在第一時段結束後，在第二時段期間，將第二射頻功率施加至該雙模態處理氣體組成物以產生電漿，以在該基板上引起沉積主導的作用。在用以移除所需量的暴露之目標材料的整體時段期間，以交替及相繼的方式來施加第一及第二射頻功率。
简体摘要：基板系设置于制程模块内的基板固持器上。该基板包含上覆于目标材料的遮罩材料，其中该目标材料的至少一部分系透过该遮罩材料中的开口而暴露。双模态处理气体组成物系供应至上覆于该基板的等离子产生区域。在第一时段期间，将第一射频功率施加至该双模态处理气体组成物以产生等离子，以在该基板上引起蚀刻主导的作用。在第一时段结束后，在第二时段期间，将第二射频功率施加至该双模态处理气体组成物以产生等离子，以在该基板上引起沉积主导的作用。在用以移除所需量的暴露之目标材料的整体时段期间，以交替及相继的方式来施加第一及第二射频功率。

4. 发明专利

TW201727693A 用於蝕刻程序之先進的離子控制方法與系統审中-公开
简体标题：用于蚀刻进程之雪铁龙的离子控制方法与系统
公开(公告)号：TW201727693A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135204
申请日：2016-10-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：譚忠魁 , TAN, ZHONGKUI , 符謙 , FU, QIAN , 吳垠 , WU, YING , 許青 , XU, QING , 朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/30655 , H01L21/308 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/67069
摘要：設置基板於處理模組中的基板固持器上。基板包括上覆於目標材料上的遮罩材料，其中目標材料的至少一部分通過遮罩材料中的開口而暴露出來。產生暴露到基板的電漿。針對第一持續期間，以對應到高偏壓位準的第一偏壓設定值對基板固持器施加偏壓。針對第二持續期間，在第一持續期間結束之後，以對應到低偏壓位準的第二偏壓設定值對基板固持器施加偏壓。第二偏壓設定值大於0V。以交替且接續的方式重複執行第一與第二持續期間，達將所需量之暴露在基板上的目標材料移除所需要的總時期。
简体摘要：设置基板于处理模块中的基板固持器上。基板包括上覆于目标材料上的遮罩材料，其中目标材料的至少一部分通过遮罩材料中的开口而暴露出来。产生暴露到基板的等离子。针对第一持续期间，以对应到高偏压位准的第一偏压设置值对基板固持器施加偏压。针对第二持续期间，在第一持续期间结束之后，以对应到低偏压位准的第二偏压设置值对基板固持器施加偏压。第二偏压设置值大于0V。以交替且接续的方式重复运行第一与第二持续期间，达将所需量之暴露在基板上的目标材料移除所需要的总时期。

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