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1. 发明专利

TWI620831B 混合式脈動電漿處理方法有权
简体标题：混合式脉动等离子处理方法
公开(公告)号：TWI620831B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW101142477
申请日：2012-11-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：凱那瑞克凱倫賈考柏思 , KANARIK, KEREN JACOBS , 古哈喬伊迪普 , GUHA, JOYDEEP , 艾普勒亞倫史考特 , EPPLER, AARON SCOTT , 符謙 , FU, QIAN , 李原鐵 , LEE, WONCHUL
IPC分类号： C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H05H2001/4682

2. 发明专利

TW201324611A 利用脈衝偏壓之蝕刻审中-公开
简体标题：利用脉冲偏压之蚀刻
公开(公告)号：TW201324611A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101133343
申请日：2012-09-12
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：珍阿密特 , JAIN, AMIT , 符謙 , FU, QIAN , 李原鐵 , LEE, WONCHUL
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01L21/31122 , H01L21/32137
摘要：一種電漿處理腔室內透過圖案化遮罩蝕刻特徵入蝕刻層之方法被提出。主蝕刻氣體流入電漿處理腔室。將主蝕刻氣體形成為主蝕刻電漿。供應大於600volts之偏壓。將該偏壓脈衝化於1Hz至20kHz之間的頻率，且具有小於45%之工作週期。
简体摘要：一种等离子处理腔室内透过图案化遮罩蚀刻特征入蚀刻层之方法被提出。主蚀刻气体流入等离子处理腔室。将主蚀刻气体形成为主蚀刻等离子。供应大于600volts之偏压。将该偏压脉冲化于1Hz至20kHz之间的频率，且具有小于45%之工作周期。

3. 发明专利

TW201809919A 具有光子輔助電漿製程之線邊緣粗糙度改良审中-公开
简体标题：具有光子辅助等离子制程之线边缘粗糙度改良
公开(公告)号：TW201809919A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118453
申请日：2017-06-05
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：譚忠魁 , TAN, ZHONGKUI , 徐晴 , XU, QING , 符謙 , FU, QIAN , 朴相駿 , PARK, SANGJUN
IPC分类号： G03F7/40 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/308
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：提供一種用於處理具有處理層之基板的光子輔助電漿處理方法。處理氣體係流進腔室。該處理氣體係形成為電漿。該處理層係曝露於該電漿。當該基板係曝露於該電漿時，該處理層係使用具有波長在200 nm和1微米之間的光加以照亮。
简体摘要：提供一种用于处理具有处理层之基板的光子辅助等离子处理方法。处理气体系流进腔室。该处理气体系形成为等离子。该处理层系曝露于该等离子。当该基板系曝露于该等离子时，该处理层系使用具有波长在200 nm和1微米之间的光加以照亮。

4. 发明专利

TWI591718B 無頂部降低之氮化矽乾式修整有权
简体标题：无顶部降低之氮化硅干式修整
公开(公告)号：TWI591718B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW101147520
申请日：2012-12-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：鍾青華 , ZHONG, QINGHUA , 木村啟惠 , KIMURA, YOSHIE , 金泰源 , KIM, TAE WON , 符謙 , FU, QIAN , 羅格蕾蒂絲 , LO, GLADYS , 屋帕海葉甘納許 , UPADHYAYA, GANESH , 山口葉子 , YAMAGUCHI, YOKO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/78

5. 发明专利

TW201715610A 非等向性鎢蝕刻用方法及設備审中-公开
简体标题：非等向性钨蚀刻用方法及设备
公开(公告)号：TW201715610A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105100006
申请日：2016-01-04
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：譚忠魁 , TAN ZHONGKUI , 符謙 , FU, QIAN , 蕭懷宇 , HSIAO HUAI-YU
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/32136 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/32138 , H01L21/32139 , H01L21/67069
摘要：用於非等向性蝕刻含鎢材料(例如摻雜的或未摻雜的鎢金屬)的方法包含利用Cl2電漿及利用含氧自由基的鎢表面之循環處理。在基板受到電性偏壓的情況下，執行利用氯電漿之處理，造成基板上之水平表面的主要蝕刻。利用含氧自由基之處理會鈍化欲蝕刻之基板表面，並保護基板之垂直表面(例如凹陷特徵部之側壁)免於蝕刻。為移除期望之材料量，可重複利用Cl2電漿及利用含氧自由基的處理。在例如矽氧化物、矽氮化物、及矽氧氮化物之介電質材料存在的情況下，可選擇性地執行非等向性蝕刻。
简体摘要：用于非等向性蚀刻含钨材料(例如掺杂的或未掺杂的钨金属)的方法包含利用Cl2等离子及利用含氧自由基的钨表面之循环处理。在基板受到电性偏压的情况下，运行利用氯等离子之处理，造成基板上之水平表面的主要蚀刻。利用含氧自由基之处理会钝化欲蚀刻之基板表面，并保护基板之垂直表面(例如凹陷特征部之侧壁)免于蚀刻。为移除期望之材料量，可重复利用Cl2等离子及利用含氧自由基的处理。在例如硅氧化物、硅氮化物、及硅氧氮化物之介电质材料存在的情况下，可选择性地运行非等向性蚀刻。

6. 发明专利

TW201715607A 用於反向脈衝的系統及方法审中-公开
简体标题：用于反向脉冲的系统及方法
公开(公告)号：TW201715607A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105124272
申请日：2016-08-01
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：龍茂林 , LONG, MAOLIN , 譚忠魁 , TAN, ZHONGKUI , 吳垠 , WU, YING , 符謙 , FU, QIAN , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32422 , H01L21/67069
摘要：本發明描述用於反向脈衝的系統及方法。其中一種方法包括接收具有第一狀態及第二狀態的數位信號。此方法更包括產生變壓器耦合電漿（TCP）射頻（RF）脈衝信號，當數位信號處於第一狀態時，TCP RF脈衝信號具有高狀態，且當數位信號處於第二狀態時，TCP RF脈衝信號具有低狀態。此方法包括：將TCP RF脈衝信號提供至電漿腔室的一或更多線圈；產生偏壓RF脈衝信號，當數位信號處於第一狀態時，偏壓RF脈衝信號具有低狀態，且當數位信號處於第二狀態時，偏壓RF脈衝信號具有高狀態；以及將偏壓RF脈衝信號提供至電漿腔室的夾具。
简体摘要：本发明描述用于反向脉冲的系统及方法。其中一种方法包括接收具有第一状态及第二状态的数码信号。此方法更包括产生变压器耦合等离子（TCP）射频（RF）脉冲信号，当数码信号处于第一状态时，TCP RF脉冲信号具有高状态，且当数码信号处于第二状态时，TCP RF脉冲信号具有低状态。此方法包括：将TCP RF脉冲信号提供至等离子腔室的一或更多线圈；产生偏压RF脉冲信号，当数码信号处于第一状态时，偏压RF脉冲信号具有低状态，且当数码信号处于第二状态时，偏压RF脉冲信号具有高状态；以及将偏压RF脉冲信号提供至等离子腔室的夹具。

7. 发明专利

TWI562227B 利用脈衝偏壓之蝕刻有权
简体标题：利用脉冲偏压之蚀刻
公开(公告)号：TWI562227B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW101133343
申请日：2012-09-12
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：珍阿密特 , JAIN, AMIT , 符謙 , FU, QIAN , 李原鐵 , LEE, WONCHUL
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01L21/31122 , H01L21/32137

8. 发明专利

TW201507024A 連續電漿蝕刻程序审中-公开
简体标题：连续等离子蚀刻进程
公开(公告)号：TW201507024A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103115576
申请日：2014-04-30
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：李原鐵 , LEE, WONCHUL , 符謙 , FU, QIAN
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L21/67069
摘要：本發明提供一種利用連續電漿蝕刻特徵部的方法。提供第一電漿程序，包含提供第一程序氣體之流動至處理腔室中、維持連續電漿、及停止進入處理腔室的第一程序氣體之流動。提供過渡程序，包含提供過渡氣體之流動至處理腔室中、維持連續電漿、及停止進入處理腔室的過渡氣體之流動。提供第二電漿程序，包含提供第二程序氣體之流動至處理腔室中、維持連續電漿、及停止進入處理腔室的第二程序氣體。
简体摘要：本发明提供一种利用连续等离子蚀刻特征部的方法。提供第一等离子进程，包含提供第一进程气体之流动至处理腔室中、维持连续等离子、及停止进入处理腔室的第一进程气体之流动。提供过渡进程，包含提供过渡气体之流动至处理腔室中、维持连续等离子、及停止进入处理腔室的过渡气体之流动。提供第二等离子进程，包含提供第二进程气体之流动至处理腔室中、维持连续等离子、及停止进入处理腔室的第二进程气体。

9. 发明专利

TWI699831B 非等向性鎢蝕刻用方法及設備有权
简体标题：非等向性钨蚀刻用方法及设备
公开(公告)号：TWI699831B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105100006
申请日：2016-01-04
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：譚忠魁 , TAN ZHONGKUI , 符謙 , FU, QIAN , 蕭懷宇 , HSIAO HUAI-YU
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/28

10. 发明专利

TW201903844A 蝕刻後處理以預防圖案崩塌审中-公开
简体标题：蚀刻后处理以预防图案崩塌
公开(公告)号：TW201903844A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107111568
申请日：2018-04-02
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：阿巴契夫米爾沙弗 , ABATCHEV, MIRZAFER , 符謙 , FU, QIAN , 石川寧 , ISHIKAWA, YASUSHI
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311 , H01J37/32
摘要：提供蝕刻堆疊中的特徵部的方法，該堆疊包含在基於碳的遮罩層上方的圖案化的硬遮罩。將一圖案從圖案化的硬遮罩轉移至基於碳的遮罩層，其包含：提供轉移氣體氣流，該轉移氣體包含含氧成份及SO2或COS其中至少一者；使轉移氣體形成為電漿；提供超過10伏特的偏壓；及停止轉移氣體的流入。提供後處理，其包含：提供後處理氣體氣流，該後處理氣體包含He、Ar、N2、H2或NH3其中至少一者，其中該氣流係提供以維持50毫托與500毫托之間（含兩端點）的處理壓力；使後處理氣體形成為電漿；提供超過20伏特的偏壓；及停止後處理氣體流入。
简体摘要：提供蚀刻堆栈中的特征部的方法，该堆栈包含在基于碳的遮罩层上方的图案化的硬遮罩。将一图案从图案化的硬遮罩转移至基于碳的遮罩层，其包含：提供转移气体气流，该转移气体包含含氧成份及SO2或COS其中至少一者；使转移气体形成为等离子；提供超过10伏特的偏压；及停止转移气体的流入。提供后处理，其包含：提供后处理气体气流，该后处理气体包含He、Ar、N2、H2或NH3其中至少一者，其中该气流系提供以维持50毫托与500毫托之间（含两端点）的处理压力；使后处理气体形成为等离子；提供超过20伏特的偏压；及停止后处理气体流入。

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