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1. 发明专利

TW201710191A 介電體組成物及電子元件审中-公开
简体标题：介电体组成物及电子组件
公开(公告)号：TW201710191A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105117824
申请日：2016-06-06
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：政岡雷太郎 , MASAOKA, RAITAROU , 內山弘基 , UCHIYAMA, HIROKI , 藤井祥平 , FUJII, SHOHEI , 城川真生子 , SHIROKAWA, MAIKO
IPC分类号： C01G35/00 , C01G33/00 , H01G4/10 , H01G4/33
CPC分类号： H01B3/10 , C01G35/006 , C01P2006/40 , C04B35/495 , C04B35/62645 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C23C14/08 , H01B3/12 , H01G4/10 , H01G4/1254 , H01G4/33
摘要：本發明的目的在於提供一種介電組成物及使用了該介電組成物的電子元件，該介電組成物即使是在小型化的情況下相對介電常數亦高、介電損耗小、Q值高、進一步靜電容量的溫度變化率小。本發明所涉及的介電組成物的特徵在於：作為主成分含有由通式xAO-yBO-zC2O5(式中A表示選自Ba、Ca、Sr中的至少一種元素，B表示Mg，C表示選自Nb、Ta中的至少一種元素)表示的複合氧化物，其中，x、y、z的關係為：x+y+z=1.000；0.198x0.375；0.389y0.625；x/3zx/3+1/9。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种介电组成物及使用了该介电组成物的电子组件，该介电组成物即使是在小型化的情况下相对介电常数亦高、介电损耗小、Q值高、进一步静电容量的温度变化率小。本发明所涉及的介电组成物的特征在于：作为主成分含有由通式xAO-yBO-zC2O5(式中A表示选自Ba、Ca、Sr中的至少一种元素，B表示Mg，C表示选自Nb、Ta中的至少一种元素)表示的复合氧化物，其中，x、y、z的关系为：x+y+z=1.000；0.198x0.375；0.389y0.625；x/3zx/3+1/9。

2. 发明专利

TW201514186A 用於製造薄氧化物層之前驅物及其用途审中-公开
简体标题：用于制造薄氧化物层之前驱物及其用途
公开(公告)号：TW201514186A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103130288
申请日：2014-09-02
申请人：馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：封拉德克勞斯 , BONRAD, KLAUS , 史奈德喬格 , SCHNEIDER, JOERG , 霍夫曼魯道夫 , HOFFMANN, RUDOLF , 卡羅曼諾斯瑪利奇 , KALOUMENOS, MAREIKI
IPC分类号： C07F19/00 , H01L21/208
CPC分类号： C23C18/1216 , C07F3/003 , C07F3/06 , C07F5/003 , C07F7/006 , C07F7/2204 , C07F7/2228 , C23C18/1291 , H01G4/10 , H01G4/33 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/445 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：本發明係關於呈具有2-經取代1,3-二酮之金屬錯合物形式之新穎前驅物及其製備方法。本發明另外係關於其用於製造薄金屬氧化物層之用途。後者係極寬範圍之具有各種功能之電子組件及裝置中之成份。
简体摘要：本发明系关于呈具有2-经取代1,3-二酮之金属错合物形式之新颖前驱物及其制备方法。本发明另外系关于其用于制造薄金属氧化物层之用途。后者系极宽范围之具有各种功能之电子组件及设备中之成份。

3. 发明专利

TWI400361B 複合氧化物膜及其製造方法，含複合氧化物膜之介電材料，壓電材料，電容器，壓電元件及電子機器有权
简体标题：复合氧化物膜及其制造方法，含复合氧化物膜之介电材料，压电材料，电容器，压电组件及电子机器
公开(公告)号：TWI400361B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW095127937
申请日：2006-07-28
申请人：昭和電工股份有限公司 , SHOWA DENKO K. K.
发明人：白川彰彥 , SHIRAKAWA, AKIHIKO
IPC分类号： C25D11/00 , C25D11/26 , H01G4/00
CPC分类号： C01G23/003 , C01G1/02 , C01G23/006 , C01P2002/34 , C01P2006/40 , C25D11/26 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01L41/1871 , H01L41/317 , H01L41/43 , Y10T428/256 , Y10T428/266

4. 发明专利

TW201027573A 電容結構 CAPACITOR STRUCTURE 审中-公开
简体标题：电容结构 CAPACITOR STRUCTURE
公开(公告)号：TW201027573A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098100096
申请日：2009-01-05
申请人：南亞科技股份有限公司
发明人：黃才育 , 聶鑫譽 , 張惠嵐
IPC分类号： H01G , H01L
CPC分类号： H01G4/10 , H01G4/105 , H01G4/33 , H01L28/40
摘要：本發明提供一種電容結構,包含:一上電極;一下電極;一第一電容介電層,設於該上電極和該下電極之間,其中該第一電容介電層係選自下列群組:氧化鉿(HfO2)、氧化鋯(ZrO2)以及氧化鈦(TiO2);以及一第二電容介電層,設於該上電極和該下電極之間,其中該第二電容介電層係選自下列群組:鑭系金屬氧化物以及稀土金屬氧化物。
简体摘要：本发明提供一种电容结构,包含:一上电极;一下电极;一第一电容介电层,设于该上电极和该下电极之间,其中该第一电容介电层系选自下列群组:氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)以及氧化钛(TiO2);以及一第二电容介电层,设于该上电极和该下电极之间,其中该第二电容介电层系选自下列群组:镧系金属氧化物以及稀土金属氧化物。

5. 发明专利

TWI275112B 陶瓷電子元件及其製造方法 CERAMIC ELECTRONIC DEVICE AND THE PRODUCTION METHOD 有权
简体标题：陶瓷电子组件及其制造方法 CERAMIC ELECTRONIC DEVICE AND THE PRODUCTION METHOD
公开(公告)号：TWI275112B
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：TW094127912
申请日：2005-08-16
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：伊東和重 KAZUSHIGE ITO , 佐藤陽 AKIRA SATO
IPC分类号： H01G , C04B
CPC分类号： H01G4/10
摘要：一種具有介電體層的陶瓷電子元件，上述介電體層包括：主成分，由組成式BamTiO2+m所表示，上述組成式中的m為0.995≦m≦1.010，其中Ba與Ti的比例為0.995≦Ba/Ti≦1.010；以及副成分(第六副成分)，包含Al的氧化物；Al的氧化物含有量相對於主成分100莫耳以Al2O3換算為0~4.0莫耳(不包括0)；最好是上述介電體層具有偏析相，且上述偏析相含有Al的氧化物。
简体摘要：一种具有介电体层的陶瓷电子组件，上述介电体层包括：主成分，由组成式BamTiO2+m所表示，上述组成式中的m为0.995≦m≦1.010，其中Ba与Ti的比例为0.995≦Ba/Ti≦1.010；以及副成分(第六副成分)，包含Al的氧化物；Al的氧化物含有量相对于主成分100莫耳以Al2O3换算为0~4.0莫耳(不包括0)；最好是上述介电体层具有偏析相，且上述偏析相含有Al的氧化物。

6. 发明专利

TW200410270A 減低電源噪音用薄膜電容器失效
简体标题：减低电源噪音用薄膜电容器
公开(公告)号：TW200410270A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW092131512
申请日：2003-11-11
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人： 下幸雄 , 舟窪浩
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/10 , H01G4/228 , H01G4/33 , H01L23/50 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H01L2924/19104 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要：本發明的減低電源噪音用薄膜電容器係耦接於電源，俾供減低電源噪音。電容器係具有介電質薄膜8；介電質薄膜8係由c軸配向呈真正垂直於薄膜形成用基板面的鉍層狀化合物所構成；鉍層狀化合物係由組成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–、或Bi2Am–1BmO3m＋3所示，上述組成式中的符號m係正數，符號A係自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca及Bi中至少選擇1種元素，符號B係自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo及W中至少選擇1種元素。
简体摘要：本发明的减低电源噪音用薄膜电容器系耦接于电源，俾供减低电源噪音。电容器系具有介电质薄膜8；介电质薄膜8系由c轴配向呈真正垂直于薄膜形成用基板面的铋层状化合物所构成；铋层状化合物系由组成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–、或Bi2Am–1BmO3m＋3所示，上述组成式中的符号m系正数，符号A系自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca及Bi中至少选择1种元素，符号B系自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo及W中至少选择1种元素。

7. 发明专利

TW357431B 矽酸鉛為基礎之電容結構失效
简体标题：硅酸铅为基础之电容结构
公开(公告)号：TW357431B
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：TW085100435
申请日：1996-01-16
申请人：萬國商業機器公司
发明人：湯姆士.麥克羅爾.邵 , 羅伯特.班傑明.雷伯茲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/55 , H01G4/10 , H01G4/129 , H01L21/31691
摘要：一種電容及在加入半導體基質，在基質內或上面形成一底層電極，矽酸鋇或鉛介電層，與一上層電極之情況下描述其製法。矽酸鋇或鉛及諸如鈦酸鋇或鉛之高介電常數材料之夾層(三明治)介電體可能包含介電性。矽酸鹽層可藉鋇或鉛之蒸發與擴散，離子植入，或電鍍和擴散而製得。高epsilon介電常數材料可藉膠化體膠液沉積，金屬有機化學氣相沉積或濺鍍而製得。本發明克服了底層電極與介電層在化學互相作用下串聯或在預期介電層之下形成矽氧化物層之問題。
简体摘要：一种电容及在加入半导体基质，在基质内或上面形成一底层电极，硅酸钡或铅介电层，与一上层电极之情况下描述其制法。硅酸钡或铅及诸如钛酸钡或铅之高介电常数材料之夹层(三明治)介电体可能包含介电性。硅酸盐层可藉钡或铅之蒸发与扩散，离子植入，或电镀和扩散而制得。高epsilon介电常数材料可藉胶化体胶液沉积，金属有机化学气相沉积或溅镀而制得。本发明克服了底层电极与介电层在化学互相作用下串联或在预期介电层之下形成硅氧化物层之问题。

8. 发明专利

TWI586626B 介電組成物及電子元件有权
简体标题：介电组成物及电子组件
公开(公告)号：TWI586626B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105117827
申请日：2016-06-06
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：政岡雷太郎 , MASAOKA, RAITAROU , 內山弘基 , UCHIYAMA, HIROKI , 藤井祥平 , FUJII, SHOHEI , 城川真生子 , SHIROKAWA, MAIKO
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/057 , C04B35/12 , H01B3/12
CPC分类号： C04B35/495 , C01F5/00 , C01F11/00 , C01G15/006 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3255 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , H01B3/10 , H01B3/12 , H01G4/10 , H01G4/1254 , H01G4/33

9. 发明专利

TW201435939A 超級電容器及其製造方法审中-公开
简体标题：超级电容器及其制造方法
公开(公告)号：TW201435939A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102108617
申请日：2013-03-12
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：蔡豐羽 , TSAI, FENG YU , 曾銘宏 , TSENG, MING HONG
IPC分类号： H01G11/26 , H01G11/86
CPC分类号： H01G4/01 , B82Y30/00 , H01G4/008 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01L28/84 , Y02T10/7022 , Y10S977/948
摘要：本發明提供一種超級電容器，包括：一下電極，具有類海綿(sponge-like)的多孔性雙連續結構之金屬所構成，其中多孔性雙連續結構具有複數連續的奈米孔洞；一介電層，由高介電常數之材料沈積於該下電極表面所構成，其厚度為0.5~15 nm；以及一上電極，由單層或複數層導電層所構成，其厚度為10 nm以上。
简体摘要：本发明提供一种超级电容器，包括：一下电极，具有类海绵(sponge-like)的多孔性双连续结构之金属所构成，其中多孔性双连续结构具有复数连续的奈米孔洞；一介电层，由高介电常数之材料沉积于该下电极表面所构成，其厚度为0.5~15 nm；以及一上电极，由单层或复数层导电层所构成，其厚度为10 nm以上。

10. 发明专利

TW201330033A 積層電容及積層電容之製造方法审中-公开
简体标题：积层电容及积层电容之制造方法
公开(公告)号：TW201330033A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101142734
申请日：2012-11-16
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 德光永輔 , TOKUMITSU, EISUKE , 尾上允敏 , ONOUE, MASATOSHI , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI
IPC分类号： H01G4/30
CPC分类号： H01G4/10 , H01G4/30
摘要：本發明之1個積層電容器100係於一部分具備有交互地至少堆疊有2次電極層20a,…,20e與介電體層30a,…,30d之構造。再者，積層電容器100之介電體層30a,…,30d係由第1氧化物層與第2氧化物層之積層氧化物所構成，該第1氧化物層係由鉍與鈮構成的氧化物，或鉍與鋅與鈮構成的氧化物(可含有無法避免的雜質)所構成，該第2氧化物層係由選自鑭與鉭構成的氧化物、鑭與鋯構成的氧化物、及鍶與鉭構成的氧化物之群之1種氧化物(可含有無法避免的雜質)所構成。
简体摘要：本发明之1个积层电容器100系于一部分具备有交互地至少堆栈有2次电极层20a,…,20e与介电体层30a,…,30d之构造。再者，积层电容器100之介电体层30a,…,30d系由第1氧化物层与第2氧化物层之积层氧化物所构成，该第1氧化物层系由铋与铌构成的氧化物，或铋与锌与铌构成的氧化物(可含有无法避免的杂质)所构成，该第2氧化物层系由选自镧与钽构成的氧化物、镧与锆构成的氧化物、及锶与钽构成的氧化物之群之1种氧化物(可含有无法避免的杂质)所构成。

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