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1. 发明专利

TWI549187B 絕緣膜的形成方法有权
简体标题：绝缘膜的形成方法
公开(公告)号：TWI549187B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW101105177
申请日：2012-02-17
申请人：默克專利有限公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：高野祐輔 , TAKANO, YUSUKE , 長原達郎 , NAGAHARA, TATSURO , 尼納度辛迪 , NINAD, SHINDE , 岩田孝文 , IWATA, TAKAFUMI
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76224 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/127 , C23C18/1291 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02326 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201518309A 製備銦烷氧化物化合物之方法，可由該方法製備之銦烷氧化物化合物及其用途审中-公开
简体标题：制备铟烷氧化物化合物之方法，可由该方法制备之铟烷氧化物化合物及其用途
公开(公告)号：TW201518309A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103121565
申请日：2014-06-23
申请人：贏創工業股份有限公司 , EVONIK INDUSTRIES AG
发明人：史堤格喬根 , STEIGER, JUERGEN , 范德西 , PHAM, DUY VU , 紐曼安妮塔 , NEUMANN, ANITA , 馬可洛夫艾力克席 , MERKULOV, ALEXEY , 霍普爾恩 , HOPPE, ARNE , 弗林丹尼斯 , FRUEHLING, DENNIS
IPC分类号： C07F5/00 , H01L21/283 , H01L29/772 , H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L33/42
CPC分类号： C07F5/003 , C07F5/00 , C23C18/1216 , C23C18/1291 , C23C18/14 , H01L21/288
摘要：本發明關於一種銦烷氧化物化合物，其可藉由在通式ROH之醇(其中R=烷基)存在下令三鹵化銦InX3(其中X=F、Cl、Br、I)與相對於該三鹵化銦為8：1至20：1之莫耳比的式R'2NH之二級胺(其中R'=烷基)反應而製備；其製備方法；及其用於製造含氧化銦層或(半)導體層之用途。
简体摘要：本发明关于一种铟烷氧化物化合物，其可借由在通式ROH之醇(其中R=烷基)存在下令三卤化铟InX3(其中X=F、Cl、Br、I)与相对于该三卤化铟为8：1至20：1之莫耳比的式R'2NH之二级胺(其中R'=烷基)反应而制备；其制备方法；及其用于制造含氧化铟层或(半)导体层之用途。

3. 发明专利

TW201321565A 氧化鋅抗反射層與其製法审中-公开
简体标题：氧化锌抗反射层与其制法
公开(公告)号：TW201321565A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100142222
申请日：2011-11-18
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃昆平 , HUANG, KUN PING , 何志浩 , HE, JR HAU , 葉禮閣 , YEH, LI KO , 賴昆佑 , LAI, KUN YU
IPC分类号： C30B7/10 , C30B29/16 , G02B1/11
CPC分类号： G02B1/118 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1245 , C23C18/125 , C23C18/1291 , Y10T428/24355
摘要：本發明提供一種氧化鋅抗反射層與其製法。氧化鋅抗反射層包括一氧化鋅下部份，其中該氧化鋅下部份具有一奈米柱陣列結構(nanorod array)；以及一氧化鋅上部份與該氧化鋅下部份連接，其中該氧化鋅上部份具有一針筒狀結構。
简体摘要：本发明提供一种氧化锌抗反射层与其制法。氧化锌抗反射层包括一氧化锌下部份，其中该氧化锌下部份具有一奈米柱数组结构(nanorod array)；以及一氧化锌上部份与该氧化锌下部份连接，其中该氧化锌上部份具有一针筒状结构。

4. 发明专利

TW200744679A 含氧化鈦之高分子膜多功能生醫材料之電漿製備方法失效
简体标题：含氧化钛之高分子膜多功能生医材料之等离子制备方法
公开(公告)号：TW200744679A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW095120474
申请日：2006-06-09
申请人：行政院原子能委員會-核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL- INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：伍德馨 WU, TE HSING , 陳克紹 CHEN, KO SHAO , 陳家杰 CHEN, CHIA CHIEH , 沈立漢 SHEN, LIE HANG , 葉怡君 , 蔡寧真
IPC分类号： A61L , B05D
CPC分类号： A61L27/50 , A61L27/306 , A61L29/106 , A61L29/14 , A61L31/088 , A61L31/14 , C08J7/06 , C08J2327/18 , C08J2367/04 , C23C18/1216 , C23C18/1233 , C23C18/1254 , C23C18/127 , C23C18/1287 , C23C18/1291 , C23C18/14
摘要：一種含氧化鈦之高分子膜多功能生醫材料之電漿製備方法,先將親水化之高分子膜表面以溶膠凝膠法塗佈一層有機鈦溶液,再進行電漿活化改質處理使高分子膜表面具有一層有機鈦薄膜,進而形成含氧化鈦之高分子膜,使其具親水性、光觸媒殺菌功效及生物適應性,且更可將含氧化鈦之高分子膜進行表面接枝共聚合,而有效增加高分子膜表面親水性及殺菌面積。本發明可應用於人工血管、創傷覆蓋敷材等生醫材料上。
简体摘要：一种含氧化钛之高分子膜多功能生医材料之等离子制备方法,先将亲水化之高分子膜表面以溶胶凝胶法涂布一层有机钛溶液,再进行等离子活化改质处理使高分子膜表面具有一层有机钛薄膜,进而形成含氧化钛之高分子膜,使其具亲水性、光触媒杀菌功效及生物适应性,且更可将含氧化钛之高分子膜进行表面接枝共聚合,而有效增加高分子膜表面亲水性及杀菌面积。本发明可应用于人工血管、创伤覆盖敷材等生医材料上。

5. 发明专利

TWI226383B 介電薄膜之改良製法 IMPROVED PROCESS FOR PRODUCING DIELECTRIC THIN FILMS 失效
简体标题：介电薄膜之改良制法 IMPROVED PROCESS FOR PRODUCING DIELECTRIC THIN FILMS
公开(公告)号：TWI226383B
公开(公告)日：2005-01-11
申请号：TW088114835
申请日：1999-10-01
申请人：聯合標誌公司 ALLIEDSIGNAL INC.
发明人：道格拉斯M. 史密司 DOUGLAS M. SMITH , 泰瑞莎拉瑪絲 TERESA RAMOS , 里克羅伯斯 RICK ROBERTS , 詹姆士卓格 JAMES DRAGE
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C18/1208 , C23C18/1275 , C23C18/1291
摘要：一種在基板上形成毫微多孔矽石塗層之方法。將含有沉積薄膜之基板懸浮於可密封熱板爐內，同時保持不與熱板爐接觸。熱板爐係密封，有一惰性氣體流過整個基板。將熱板爐加熱至溫度約350℃或更高，並強令基板接觸經加熱之電熱爐。基板加熱之時間長到足以自所得毫微多孔介電塗層除去除氣殘餘物。
简体摘要：一种在基板上形成毫微多孔硅石涂层之方法。将含有沉积薄膜之基板悬浮于可密封热板炉内，同时保持不与热板炉接触。热板炉系密封，有一惰性气体流过整个基板。将热板炉加热至温度约350℃或更高，并强令基板接触经加热之电热炉。基板加热之时间长到足以自所得毫微多孔介电涂层除去除气残余物。

6. 发明专利

TWI583628B 複合氧化物薄膜製造用組合物及使用該組合物之薄膜之製造方法、與複合氧化物薄膜有权
简体标题：复合氧化物薄膜制造用组合物及使用该组合物之薄膜之制造方法、与复合氧化物薄膜
公开(公告)号：TWI583628B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102114874
申请日：2013-04-25
申请人：東曹精細化學股份有限公司 , TOSOH FINECHEM CORPORATION
发明人：竹元裕仁 , TAKEMOTO, YUJIN , 羽賀健一 , HAGA, KENICHI , 稻葉孝一郎 , INABA, KOICHIRO , 豐田浩司 , TOYOTA, KOUJI , 德留功一 , TOKUDOME, KOUICHI , 吉野賢二 , YOSHINO, KENJI , 小島稔 , OSHIMA, MINORU
IPC分类号： C01G9/02 , H01L21/28 , H01L21/36
CPC分类号： H01L21/02628 , C23C18/1216 , C23C18/1275 , C23C18/1291 , H01L21/02554 , H01L21/02565

7. 发明专利

TW201402470A 複合氧化物薄膜製造用組合物及使用該組合物之薄膜之製造方法、與複合氧化物薄膜审中-公开
简体标题：复合氧化物薄膜制造用组合物及使用该组合物之薄膜之制造方法、与复合氧化物薄膜
公开(公告)号：TW201402470A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102114874
申请日：2013-04-25
申请人：東曹精細化學股份有限公司 , TOSOH FINECHEM CORPORATION
发明人：竹元裕仁 , TAKEMOTO, YUJIN , 羽賀健一 , HAGA, KENICHI , 稻葉孝一郎 , INABA, KOICHIRO , 豐田浩司 , TOYOTA, KOUJI , 德留功一 , TOKUDOME, KOUICHI , 吉野賢二 , YOSHINO, KENJI , 小島稔 , OSHIMA, MINORU
IPC分类号： C01G9/02 , H01L21/28 , H01L21/36
CPC分类号： H01L21/02628 , C23C18/1216 , C23C18/1275 , C23C18/1291 , H01L21/02554 , H01L21/02565
摘要：本發明提供一種可利用噴霧熱分解法等成膜可應用於氧化物半導體膜等之複合氧化物薄膜之組合物及使用該組合物成膜複合氧化物薄膜之方法。本發明係關於一種複合氧化物製造用組合物，其含有選自由鋅元素及3B族元素所組成之群中之至少1種元素、與選自由4A族元素及4B族元素所組成之群中之至少1種元素。本發明之組合物含有選自由含有鋅元素之化合物及含有3B族元素之化合物所組成之群中之至少1種化合物、上述化合物之利用水產生之部分水解物或上述化合物及上述部分水解物、與選自由含有4A族元素之化合物及含有4B族元素之化合物所組成之群中之至少1種化合物、上述化合物之利用水產生之部分水解物或上述化合物及上述部分水解物。本發明係關於一種複合氧化物薄膜之製造方法，該複合氧化物薄膜對可見光線具有80%以上之平均透過率，該製造方法包括進行至少1次將上述組合物於惰性氣體環境下塗佈於基板表面，繼而對所獲得之塗佈膜進行加熱之操作。
简体摘要：本发明提供一种可利用喷雾热分解法等成膜可应用于氧化物半导体膜等之复合氧化物薄膜之组合物及使用该组合物成膜复合氧化物薄膜之方法。本发明系关于一种复合氧化物制造用组合物，其含有选自由锌元素及3B族元素所组成之群中之至少1种元素、与选自由4A族元素及4B族元素所组成之群中之至少1种元素。本发明之组合物含有选自由含有锌元素之化合物及含有3B族元素之化合物所组成之群中之至少1种化合物、上述化合物之利用水产生之部分水解物或上述化合物及上述部分水解物、与选自由含有4A族元素之化合物及含有4B族元素之化合物所组成之群中之至少1种化合物、上述化合物之利用水产生之部分水解物或上述化合物及上述部分水解物。本发明系关于一种复合氧化物薄膜之制造方法，该复合氧化物薄膜对可见光线具有80%以上之平均透过率，该制造方法包括进行至少1次将上述组合物于惰性气体环境下涂布于基板表面，继而对所获得之涂布膜进行加热之操作。

8. 发明专利

TW201340359A 金屬氧化膜的製造方法及金屬氧化膜审中-公开
简体标题：金属氧化膜的制造方法及金属氧化膜
公开(公告)号：TW201340359A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101119711
申请日：2012-06-01
申请人：東芝三菱電機產業系統股份有限公司 , TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION
发明人：白幡孝洋 , SHIRAHATA, TAKAHIRO , 織田容征 , ORITA, HIROYUKI , 平松孝浩 , HIRAMATSU, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/205
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/1258 , C23C18/1291 , C23C18/1295 , C23C18/14 , H01B1/08 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：本發明係提供一種能夠以低成本來製作低電阻的金屬氧化膜之金屬氧化膜的製造方法。本發明之金屬氧化膜的製造方法中，係將含有鋅的溶液(7)噴霧至配置在非真空下之基板(1)，且進一步將含有摻雜劑的摻雜劑溶液(5)噴霧至基板(1)。然後對成膜後的金屬氧化膜(10)施以低電阻化處理。在此，供給至基板(1)之摻雜劑的莫耳濃度相對於供給至基板(1)之鋅的莫耳濃度為既定值以上。
简体摘要：本发明系提供一种能够以低成本来制作低电阻的金属氧化膜之金属氧化膜的制造方法。本发明之金属氧化膜的制造方法中，系将含有锌的溶液(7)喷雾至配置在非真空下之基板(1)，且进一步将含有掺杂剂的掺杂剂溶液(5)喷雾至基板(1)。然后对成膜后的金属氧化膜(10)施以低电阻化处理。在此，供给至基板(1)之掺杂剂的莫耳浓度相对于供给至基板(1)之锌的莫耳浓度为既定值以上。

9. 发明专利

TW201143911A 塗覆方法及裝置 COATING METHOD AND APPARATUS 审中-公开
简体标题：涂覆方法及设备 COATING METHOD AND APPARATUS
公开(公告)号：TW201143911A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100107056
申请日：2011-03-03
申请人：班尼克公司
发明人：洛札拉馬庫 , 派克南奧利
IPC分类号： B05C , B05B
CPC分类号： C23C16/4486 , C03C17/002 , C03C17/245 , C03C17/25 , C23C16/52 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1258 , C23C18/1291
摘要：一種塗覆方法及裝置。塗覆裝置包括元件(5,6)，其用來形成一混合物，其中混合物包括至少一表面反應之前驅物的；元件(7)，用來霧化混合物使其成為液滴(8)；元件(1)，用來將混合物的液滴(8)往基板(4)一即將被表面反應覆蓋的表面(3)傳輸。調整用來形成一混合物的元件(5,6)，以將一液態載體物質混合到混合物中，其中液態載體物質並不是表面反應的前驅物，而在已定義的製程空間中其沸點低於表面反應的前驅物之沸點。本發明所提出的設置可增進塗覆製程的速度與效率。
简体摘要：一种涂覆方法及设备。涂覆设备包括组件(5,6)，其用来形成一混合物，其中混合物包括至少一表面反应之前驱物的；组件(7)，用来雾化混合物使其成为液滴(8)；组件(1)，用来将混合物的液滴(8)往基板(4)一即将被表面反应覆盖的表面(3)传输。调整用来形成一混合物的组件(5,6)，以将一液态载体物质混合到混合物中，其中液态载体物质并不是表面反应的前驱物，而在已定义的制程空间中其沸点低于表面反应的前驱物之沸点。本发明所提出的设置可增进涂覆制程的速度与效率。

10. 发明专利

TW201034991A 在玻璃上形成導電性塗膜 CONDUCTIVE FILM FORMATION ON GLASS 审中-公开
简体标题：在玻璃上形成导电性涂膜 CONDUCTIVE FILM FORMATION ON GLASS
公开(公告)号：TW201034991A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098138912
申请日：2009-11-16
申请人：康寧公司
发明人：查特皆迪里庫馬 , 費凱提庫提司羅伯 , 宋振 , 王吉
IPC分类号： C03C
CPC分类号： H01B1/08 , C03C17/25 , C03C2217/211 , C03C2217/216 , C03C2217/241 , C03C2217/94 , C03C2218/112 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1258 , C23C18/1291
摘要：本發明說明塗覆玻璃基板之方法。塗膜為透明的導電性金屬氧化物塗膜。塗覆導電性薄膜之玻璃基板能夠使用於例如顯示器裝置,太陽能電池應用以及許多快速成長工業及應用。
简体摘要：本发明说明涂覆玻璃基板之方法。涂膜为透明的导电性金属氧化物涂膜。涂覆导电性薄膜之玻璃基板能够使用于例如显示器设备,太阳能电池应用以及许多快速成长工业及应用。

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