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1. 发明专利

TWI604482B 半導體電容結構有权
简体标题：半导体电容结构
公开(公告)号：TWI604482B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW104125143
申请日：2015-08-03
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃建凱 , HUANG, CHIEN KAI , 鐘元甫 , CHUNG, YUAN FU , 鐘元鴻 , CHUNG, YUAN HUNG
IPC分类号： H01G4/00 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/522 , H01L27/08
CPC分类号： H01L28/86 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L28/88 , H01L28/92 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 实用新型

TWM507061U 電容器之介電陶瓷改良結構有权
简体标题：电容器之介电陶瓷改良结构
公开(公告)号：TWM507061U
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW104200726
申请日：2015-01-16
申请人：嘉耐股份有限公司
发明人：謝鴻正
IPC分类号： H01G4/00

3. 发明专利

TWI697921B 電容器有权
简体标题：电容器
公开(公告)号：TWI697921B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW107142904
申请日：2018-11-30
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：陳晞白 , CHEN, SHI-BAI
IPC分类号： H01G4/00 , H01G2/22

4. 实用新型

TWM571034U 超級電容儲能裝置有权
简体标题：超级电容储能设备
公开(公告)号：TWM571034U
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107212456
申请日：2018-09-12
申请人：立端科技股份有限公司
发明人：蔡宗佑
IPC分类号： H01G4/00 , H02J15/00

5. 发明专利

TW201306063A 嵌入式電容結構及其形成方法审中-公开
简体标题：嵌入式电容结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201306063A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100125534
申请日：2011-07-19
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蘇浩 , SU, HAO , 胡航 , HU, HANG , 廖鴻 , LIAO, HONG
IPC分类号： H01G2/06 , H01G4/00 , H05K1/16
摘要：一種嵌入式電容結構形成方法，包含：提供具有第一介電層之一基板，且第一介電層內具有溝渠；在溝渠之底層表面上形成電容結構，電容結構包括第一金屬層、電容絕緣層及第二金屬層，且曝露出在溝渠之底層表面上之第一金屬層之部份表面；在溝渠之上表面、內側表面及電容結構上形成覆蓋層；在覆蓋層上形成第二介電層；以及移除在溝渠內之部份第二介電層以及部份覆蓋層以形成複數個接觸窗，且曝露出第一金屬層之部份表面及第二金屬層之部份表面。
简体摘要：一种嵌入式电容结构形成方法，包含：提供具有第一介电层之一基板，且第一介电层内具有沟渠；在沟渠之底层表面上形成电容结构，电容结构包括第一金属层、电容绝缘层及第二金属层，且曝露出在沟渠之底层表面上之第一金属层之部份表面；在沟渠之上表面、内侧表面及电容结构上形成覆盖层；在覆盖层上形成第二介电层；以及移除在沟渠内之部份第二介电层以及部份覆盖层以形成复数个接触窗，且曝露出第一金属层之部份表面及第二金属层之部份表面。

6. 实用新型

TWM574750U 智慧監控的超級電容儲能裝置有权
简体标题：智能监控的超级电容储能设备
公开(公告)号：TWM574750U
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW107215010
申请日：2018-11-05
申请人：修平學校財團法人修平科技大學
发明人：揭由志
IPC分类号： H01G4/00 , H02J15/00

7. 发明专利

TW201606824A 半導體電容結構审中-公开
简体标题：半导体电容结构
公开(公告)号：TW201606824A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104125143
申请日：2015-08-03
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：黃建凱 , HUANG, CHIEN KAI , 鐘元甫 , CHUNG, YUAN FU , 鐘元鴻 , CHUNG, YUAN HUNG
IPC分类号： H01G4/00 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/522 , H01L27/08
CPC分类号： H01L28/86 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L28/88 , H01L28/92 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供了一種半導體電容結構。該半導體電容結構包括：一第一金屬層、一第二金屬層以及一第一介電層。該第一金屬層作為該半導體電容結構的一第一電極的一部分，該第一金屬層包括：一第一部分以及一第二部分，該形成的第一部分具有第一圖案，以及該第二部分連接至該第一部分；該第二金屬層作為該半導體電容結構的一第二電極的一部分；以及該第一介電層形成於該第一金屬層和該第二金屬層之間。
简体摘要：本发明提供了一种半导体电容结构。该半导体电容结构包括：一第一金属层、一第二金属层以及一第一介电层。该第一金属层作为该半导体电容结构的一第一电极的一部分，该第一金属层包括：一第一部分以及一第二部分，该形成的第一部分具有第一图案，以及该第二部分连接至该第一部分；该第二金属层作为该半导体电容结构的一第二电极的一部分；以及该第一介电层形成于该第一金属层和该第二金属层之间。

8. 发明专利

TWI424454B 晶片型電子零件有权
简体标题：芯片型电子零件
公开(公告)号：TWI424454B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW094144104
申请日：2005-12-13
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：吉井彰敏 , YOSHII, AKITOSHI , 安彥泰介 , AHIKO, TAISUKE , 大槻史朗 , OOTSUKI, SHIROU , 青木崇 , AOKI, TAKASHI , 五島亮 , GOSHIMA, AKIRA , 寶池弘喜 , HOUCHI, HIROKI
IPC分类号： H01G4/00 , H01C7/10 , H01F17/00 , H03H1/00
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/232

9. 发明专利

TWI413994B 耦合電容形成電路、使用此耦合電容形成電路的積體電路以及相關方法有权
简体标题：耦合电容形成电路、使用此耦合电容形成电路的集成电路以及相关方法
公开(公告)号：TWI413994B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW097110573
申请日：2008-03-25
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：陳逸琳 , CHEN, YI LIN , 陳志豪 , CHEN, CHIH HAO
IPC分类号： H01G4/00
CPC分类号： H03K19/00346 , H01L27/0805 , Y10T29/435

10. 发明专利

TWI395241B 可儲存電能之磁電容裝置失效
简体标题：可存储电能之磁电容设备
公开(公告)号：TWI395241B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW096133528
申请日：2007-09-07
申请人：北極光股份有限公司 , NORTHERN LIGHTS SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：賴錡 , LAI, JAMES CHYI , 湯姆艾倫艾甘 , TOM ALLEN AGAN
IPC分类号： H01G4/00
CPC分类号： H01G4/30 , B82Y25/00 , H01F10/3254 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/015

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