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1. 发明专利

TWI586626B 介電組成物及電子元件有权
简体标题：介电组成物及电子组件
公开(公告)号：TWI586626B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105117827
申请日：2016-06-06
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：政岡雷太郎 , MASAOKA, RAITAROU , 內山弘基 , UCHIYAMA, HIROKI , 藤井祥平 , FUJII, SHOHEI , 城川真生子 , SHIROKAWA, MAIKO
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/057 , C04B35/12 , H01B3/12
CPC分类号： C04B35/495 , C01F5/00 , C01F11/00 , C01G15/006 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3255 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , H01B3/10 , H01B3/12 , H01G4/10 , H01G4/1254 , H01G4/33

2. 发明专利

TWI455906B 介電體陶瓷組合物有权
简体标题：介电体陶瓷组合物
公开(公告)号：TWI455906B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW097118283
申请日：2008-05-15
申请人：獨立行政法人宇宙航空研究開發機構 , JAPAN AEROSPACE EXPLORATION AGENCY , TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：余野建定 , KENTEI YONO , 增野敦信 , ATSUNOBU MASUNO , 依田真一 , SHINICHI YODA , 夏井秀定 , HIDESADA NATSUI
IPC分类号： C04B35/468
CPC分类号： H01G4/1227 , C04B35/46 , C30B13/24 , C30B29/32 , H01B3/12 , H01G4/30

3. 发明专利

TWI406311B 介電陶瓷及電容器有权
简体标题：介电陶瓷及电容器
公开(公告)号：TWI406311B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098110156
申请日：2009-03-27
申请人：京瓷股份有限公司 , KYOCERA CORPORATION
发明人：山口勝義 , YAMAGUCHI, KATSUYOSHI
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01B3/12 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/5454 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/762 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227

4. 发明专利

TW201237899A 積層陶瓷電容器审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容器
公开(公告)号：TW201237899A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100134869
申请日：2011-09-27
申请人：太陽誘電股份有限公司
发明人：高島賢二 , 竹岡伸介
IPC分类号： H01G , C04B
CPC分类号： H01G4/1218 , C04B35/4682 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3409 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6567 , C04B2235/782 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01B3/12 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明之目的在於提供一種可於1030℃以下之低溫下進行燒,且即使進行薄層化之情形時,亦兼具高介電係數、良好之壽命特性、進而滿足X7R之溫度特性的積層陶瓷電容器。本發明採用如下結構:於將內部電極所夾持之介電陶瓷層之厚度設為d時,以BaTiO3作為主成分之主相粒子之粒徑分佈成為D20≦D50�0.7、D50≦d/4、D95≦d/2、CV値(D20~D95之標準偏差/D50)
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可于1030℃以下之低温下进行烧,且即使进行薄层化之情形时,亦兼具高介电系数、良好之寿命特性、进而满足X7R之温度特性的积层陶瓷电容器。本发明采用如下结构:于将内部电极所夹持之介电陶瓷层之厚度设为d时,以BaTiO3作为主成分之主相粒子之粒径分布成为D20≦D50�0.7、D50≦d/4、D95≦d/2、CV値(D20~D95之标准偏差/D50)<40%。又,采用如下结构:于介电陶瓷层中存在至少由Re(Re包含Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、及Y中之至少一种以上)、Ba、Ti所构成之二次相粒子,且于任意之5��m�5��m之介电层剖面区域,具有0.10��m以上之粒径之上述二次相平均为5个以上,具有主相粒子之D80以上之粒径的上述二次相平均未达2个。

5. 发明专利

TWI367871B 介電陶瓷及電容器 DIELECTRIC CERAMICS AND CAPACITOR 失效
简体标题：介电陶瓷及电容器 DIELECTRIC CERAMICS AND CAPACITOR
公开(公告)号：TWI367871B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：TW096140521
申请日：2007-10-26
申请人：京瓷股份有限公司
发明人：東勇介 , 福田大輔
IPC分类号： C04B , H01B , H01G
CPC分类号： H01G4/1227 , C01G23/006 , C01G45/006 , C01G45/1264 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/652 , C04B2235/762 , H01B3/12 , H01G4/30
摘要：本發明之介電陶瓷係由以鈦酸鋇為主成分，且含有鎂、稀土類元素及錳之結晶粒子所構成，而上述結晶粒子之結晶構造為立方晶，相對於鋇1莫耳，以MgO換算含有鎂0.033~0.085莫耳，以RE2O3換算含有稀土類元素(RE)0.1~0.2莫耳，以MnO換算含有錳0.006~0.018莫耳。藉此，本發明之介電陶瓷成為高介電係數且顯示穩定之介電常數之溫度特性，並且無自發極化的介電陶瓷。
简体摘要：本发明之介电陶瓷系由以钛酸钡为主成分，且含有镁、稀土类元素及锰之结晶粒子所构成，而上述结晶粒子之结晶构造为立方晶，相对于钡1莫耳，以MgO换算含有镁0.033~0.085莫耳，以RE2O3换算含有稀土类元素(RE)0.1~0.2莫耳，以MnO换算含有锰0.006~0.018莫耳。借此，本发明之介电陶瓷成为高介电系数且显示稳定之介电常数之温度特性，并且无自发极化的介电陶瓷。

6. 发明专利

TW200952569A 低溫燒結陶瓷電路基板失效
简体标题：低温烧结陶瓷电路基板
公开(公告)号：TW200952569A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098106804
申请日：2009-03-03
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：山口和宏
IPC分类号： H05K , C04B , C03C
CPC分类号： H01B3/12 , C04B35/117 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B2235/3217 , C04B2235/365 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/963 , H01B1/16 , H01B1/22 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K2203/125 , Y10T428/24926
摘要：本發明是由導電糊與生胚片在800℃~900℃同時燒結而成的低溫燒結陶瓷電路基板，其特徵在於：上述生胚片包含玻璃粉末與氧化鋁粉末，且上述玻璃粉末與上述氧化鋁粉末的重量比為4:6~6:4，上述玻璃粉末是由35~39重量%的SiO2、9~17重量%的Al2O3、21~40重量%的B2O3、10~20重量%的R'O(然而R'是選自Mg、Ca及Ba所組成的族群中的至少一種)、以及0.2~2重量%的Li2O、0.5~2重量%的MO2(然而M是選自Ti及Zr所組成的族群中的至少一種)所構成；以及上述導電糊含有含Ag的金屬粒子、黏結劑成分、與熱分解性的鹼金族金屬化合物，且上述熱分解性的鹼金族金屬化合物的含量是相對於100個上述金屬粒子的金屬原子，含有0.13或以上、7.8或以下的鹼金族金屬原子的相當量。若根據本發明，可提供一種低溫燒結陶瓷電路基板，其能夠在900℃或以下燒結，且在與Ag系導電糊同時燒結之時的基板翹曲、導體皺痕等較小，並伴隨著低吸濕性、優異的在高頻帶(微波帶、毫米波帶)的介電特性、具有玻璃成分未浮出的平坦電路表面。
简体摘要：本发明是由导电煳与生胚片在800℃~900℃同时烧结而成的低温烧结陶瓷电路基板，其特征在于：上述生胚片包含玻璃粉末与氧化铝粉末，且上述玻璃粉末与上述氧化铝粉末的重量比为4:6~6:4，上述玻璃粉末是由35~39重量%的SiO2、9~17重量%的Al2O3、21~40重量%的B2O3、10~20重量%的R'O(然而R'是选自Mg、Ca及Ba所组成的族群中的至少一种)、以及0.2~2重量%的Li2O、0.5~2重量%的MO2(然而M是选自Ti及Zr所组成的族群中的至少一种)所构成；以及上述导电煳含有含Ag的金属粒子、黏结剂成分、与热分解性的碱金族金属化合物，且上述热分解性的碱金族金属化合物的含量是相对于100个上述金属粒子的金属原子，含有0.13或以上、7.8或以下的碱金族金属原子的相当量。若根据本发明，可提供一种低温烧结陶瓷电路基板，其能够在900℃或以下烧结，且在与Ag系导电煳同时烧结之时的基板翘曲、导体皱痕等较小，并伴随着低吸湿性、优异的在高频带(微波带、毫米波带)的介电特性、具有玻璃成分未浮出的平坦电路表面。

7. 发明专利

TW200949874A 介電陶瓷及積層陶瓷電容器审中-公开
简体标题：介电陶瓷及积层陶瓷电容器
公开(公告)号：TW200949874A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098110148
申请日：2009-03-27
申请人：京瓷股份有限公司
发明人：東勇介 , 山崎洋一 , 名古屋雅昭
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01B3/12 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/765 , C04B2235/785 , C04B2235/85 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：本發明之介電陶瓷，其係含有以鈦酸鋇為主成分之結晶粒子、及存在於該結晶粒子間之晶界相者，其係以鈦酸鋇作為主成分，而含有既定量之釩、鎂、錳及稀土類元素，於X射線繞射圖中，表示正方晶系之鈦酸鋇之(004)面之繞射強度大於表示立方晶系之鈦酸鋇之(004)面之繞射強度，且上述結晶粒子之平均粒徑為0.21～0.28 μm。
简体摘要：本发明之介电陶瓷，其系含有以钛酸钡为主成分之结晶粒子、及存在于该结晶粒子间之晶界相者，其系以钛酸钡作为主成分，而含有既定量之钒、镁、锰及稀土类元素，于X射线绕射图中，表示正方晶系之钛酸钡之(004)面之绕射强度大于表示立方晶系之钛酸钡之(004)面之绕射强度，且上述结晶粒子之平均粒径为0.21～0.28 μm。

8. 发明专利

TW200917300A 介電質陶瓷及積層陶瓷電容审中-公开
简体标题：介电质陶瓷及积层陶瓷电容
公开(公告)号：TW200917300A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097131753
申请日：2008-08-20
申请人：村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大塚正博 OTSUKA, MASAHIRO
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/85 , H01B3/12
摘要：本發明提供一種介電質陶瓷,其係於積層陶瓷電容中所使用之介電質陶瓷材料,即使其上施加有1.25 kV/mm左右之DC偏壓,亦會呈現高介電常數。本發明之介電質陶瓷具有如下組成:以鈦酸鋇系化合物作為主成分,且作為副成分含有R1(R1為選自La、Nd、Sm、Gd、Dy中之至少1種)及R2(R2為選自Y、Ho、Er、Yb中之至少1種);在將相對於上述主成分100莫耳份之R1之總含量設為��莫耳份,且R2之總含量設為��莫耳份時,對上述晶粒之截面觀察時,在從晶粒之表面朝向晶粒內部相距10 nm以上之點中,R1之濃度為��/2以上且R2之濃度未達��/5(包含0)之晶粒為全體之60%以上。
简体摘要：本发明提供一种介电质陶瓷,其系于积层陶瓷电容中所使用之介电质陶瓷材料,即使其上施加有1.25 kV/mm左右之DC偏压,亦会呈现高介电常数。本发明之介电质陶瓷具有如下组成:以钛酸钡系化合物作为主成分,且作为副成分含有R1(R1为选自La、Nd、Sm、Gd、Dy中之至少1种)及R2(R2为选自Y、Ho、Er、Yb中之至少1种);在将相对于上述主成分100莫耳份之R1之总含量设为��莫耳份,且R2之总含量设为��莫耳份时,对上述晶粒之截面观察时,在从晶粒之表面朝向晶粒内部相距10 nm以上之点中,R1之浓度为��/2以上且R2之浓度未达��/5(包含0)之晶粒为全体之60%以上。

9. 发明专利

TWI307336B 介電體陶瓷組合物及電子元件 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE 有权
简体标题：介电体陶瓷组合物及电子组件 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TWI307336B
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：TW094128753
申请日：2005-08-23
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：伊東和重 KAZUSHIGE ITO , 佐藤陽 AKIRA SATO , 村瀨琢 TAKU MURASE
IPC分类号： C04B , H01B , H01G
CPC分类号： C04B35/4682 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/62665 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , H01B3/12 , H01G4/1245
摘要：本發明提供一種除了可維持相對誘電率高、絕緣電阻壽命、使電容溫度特性滿足EIA規格的X8R特性(-55~150℃,��C/C在�15%以內)、可在還原性大氣氣氛中燒成,更可改善IR溫度相關性的介電體陶瓷組成物。
藉由本發明,提供一種介電體陶瓷組成物包括:主成分,其包含具有以組成式{(Me1-xCax)O}m.(Zr1-yTiy)O2所表示、用於表示該組成式中的元素名的記號Me係Sr、Mg以及Ba的至少一者、用於表示該組成式中的組成莫耳比例的記號m、x與y分別為0.995≦m≦1.020、0
简体摘要：本发明提供一种除了可维持相对诱电率高、绝缘电阻寿命、使电容温度特性满足EIA规格的X8R特性(-55~150℃,��C/C在�15%以内)、可在还原性大气气氛中烧成,更可改善IR温度相关性的介电体陶瓷组成物。借由本发明,提供一种介电体陶瓷组成物包括:主成分,其包含具有以组成式{(Me1-xCax)O}m.(Zr1-yTiy)O2所表示、用于表示该组成式中的元素名的记号Me系Sr、Mg以及Ba的至少一者、用于表示该组成式中的组成莫耳比例的记号m、x与y分别为0.995≦m≦1.020、0

10. 发明专利

TW200707485A 電子元件及其製造方法失效
简体标题：电子组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200707485A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095122647
申请日：2006-06-23
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：佐藤茂樹 SHIGEKI SATO , 福田啓一 KEIICHI FUKUDA
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/1227 , B82Y30/00 , C04B35/4686 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/30
摘要：一種電子元件1具有元件本體10及端子電極4,前述元件主體10具有由介電質陶瓷組成物所構成之介電質層2,且前述端子電極4係形成於前述元件本體10外側。前述介電質陶瓷組成物係具有包含鈦酸鋇的主成分、包含鎂及鈣中至少一種之氧化物的第1副成分、包含二氧化矽的第2副成分、包含作為過渡金屬之錳及鉻中至少一種之氧化物的第3副成分以及包含稀土類元素氧化物的第4副成分,其中前述第3副成分中錳及/或鉻的價數係在2.2至2.4的範圍內。此電子元件1可以較平衡地提升高溫加速壽命特性及容量負荷老化特性兩者。
简体摘要：一种电子组件1具有组件本体10及端子电极4,前述组件主体10具有由介电质陶瓷组成物所构成之介电质层2,且前述端子电极4系形成于前述组件本体10外侧。前述介电质陶瓷组成物系具有包含钛酸钡的主成分、包含镁及钙中至少一种之氧化物的第1副成分、包含二氧化硅的第2副成分、包含作为过渡金属之锰及铬中至少一种之氧化物的第3副成分以及包含稀土类元素氧化物的第4副成分,其中前述第3副成分中锰及/或铬的价数系在2.2至2.4的范围内。此电子组件1可以较平衡地提升高温加速寿命特性及容量负荷老化特性两者。

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