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1. 发明专利

TWI597728B 指派半導體晶粒以致能高堆疊能力之技術有权
简体标题：指派半导体晶粒以致能高堆栈能力之技术
公开(公告)号：TWI597728B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW104124937
申请日：2015-07-31
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：西西里亞尼安柏托 , SICILIANI, UMBERTO , 里佐古多L , RIZZO, GUIDO LUCIANO , 卡米納提馬可 , CARMINATI, MARCO
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/0408 , G11C7/1003

2. 发明专利

TW201621909A 指派半導體晶粒以致能高堆疊能力之技術审中-公开
简体标题：指派半导体晶粒以致能高堆栈能力之技术
公开(公告)号：TW201621909A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104124937
申请日：2015-07-31
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：西西里亞尼安柏托 , SICILIANI, UMBERTO , 里佐古多L , RIZZO, GUIDO LUCIANO , 卡米納提馬可 , CARMINATI, MARCO
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/0408 , G11C7/1003
摘要：簡言之，根據一或多個實施例，記憶體陣列包含二或多個卷(volume)，該等卷分別包含二或多個晶粒。該等卷連接於菊鍊組態中，使得第一卷之輸出耦接至下一卷之輸入，且該等晶粒連接於菊鍊組態中，使得第一晶粒之輸出耦接至該卷內之下一晶粒之輸入。在此組態中，第一卷中之第一晶粒能夠經指定作為第二卷之部分。
简体摘要：简言之，根据一或多个实施例，内存数组包含二或多个卷(volume)，该等卷分别包含二或多个晶粒。该等卷连接于菊炼组态中，使得第一卷之输出耦接至下一卷之输入，且该等晶粒连接于菊炼组态中，使得第一晶粒之输出耦接至该卷内之下一晶粒之输入。在此组态中，第一卷中之第一晶粒能够经指定作为第二卷之部分。

3. 发明专利

TWI493338B 用於記憶體的彈性命令定址的方法、堆疊記憶體裝置、儲存媒體及其系統有权
简体标题：用于内存的弹性命令寻址的方法、堆栈内存设备、存储媒体及其系统
公开(公告)号：TWI493338B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW102120902
申请日：2013-06-13
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：班庫杰特 , BAINS, KULJIT S. , 赫伯特約翰 , HALBERT, JOHN B.
IPC分类号： G06F12/02 , G06F13/16
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/0605 , G06F3/0683 , G06F13/4022 , G06F13/4282 , G06F13/4295 , G06F15/7807 , G11C7/1003 , G11C7/1021 , G11C7/1072 , G11C8/12 , G11C11/4076 , G11C11/4087 , G11C11/4097

4. 发明专利

TW201344692A 固態硬碟記憶體系統审中-公开
简体标题：固态硬盘内存系统
公开(公告)号：TW201344692A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101148761
申请日：2012-12-20
申请人：摩賽德科技股份有限公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：金鎮祺 , KIM, JIN-KI , 尹泰熙 , YI, DAEHEE
IPC分类号： G11C16/06 , G11C5/00 , G11C5/06 , G11C7/10
CPC分类号： G06F1/16 , G06F1/1658 , G06F3/0626 , G06F3/0658 , G06F3/0688 , G11C7/1003
摘要：一種固態硬碟架構及配置，用於標準化硬碟形狀因素、PCI型記憶卡、及一般主機板記憶體。該固態硬碟架構係模組化為該記憶體系統之主印刷電路板(PCB)包括主介面連接器、記憶體控制器、及連接器。各連接器能可移除地接受刀鋒式記憶體、其中各刀鋒式記憶體包括經由串聯介面彼此串聯連接的複數個記憶體裝置。各刀鋒式記憶體包括用於提供資料及控制訊號至該串聯鏈路中之第一記憶體裝置及用於從該串聯鏈路中之最後記憶體裝置接收資料及控制訊號的實體串聯介面。各刀鋒式記憶體可在長度及寬度上調整尺寸以在其任一側上容納任何數量的記憶體裝置。
简体摘要：一种固态硬盘架构及配置，用于标准化硬盘形状因素、PCI型记忆卡、及一般主板内存。该固态硬盘架构系模块化为该内存系统之主印刷电路板(PCB)包括主界面连接器、内存控制器、及连接器。各连接器能可移除地接受刀锋式内存、其中各刀锋式内存包括经由串联界面彼此串联连接的复数个内存设备。各刀锋式内存包括用于提供数据及控制信号至该串联链路中之第一内存设备及用于从该串联链路中之最后内存设备接收数据及控制信号的实体串联界面。各刀锋式内存可在长度及宽度上调整尺寸以在其任一侧上容纳任何数量的内存设备。

5. 发明专利

TWI581267B 快閃記憶體模組及記憶體子系統有权
简体标题：闪存模块及内存子系统
公开(公告)号：TWI581267B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW101140318
申请日：2012-10-31
申请人：諾瓦晶片加拿大公司 , NOVACHIPS CANADA INC.
发明人：金鎮祺 , KIM, JIN-KI , 尹泰熙 , YI, DAEHEE , 金宥星 , KIM, HYOSHIN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C5/06 , G11C7/10
CPC分类号： G11C5/04 , G11C7/1003

6. 发明专利

TWI506646B 半導體記憶體互連的方法及半導體記憶體系統有权
简体标题：半导体内存互连的方法及半导体内存系统
公开(公告)号：TWI506646B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW097140432
申请日：2008-10-22
申请人：諾瓦晶片加拿大公司 , NOVACHIPS CANADA INC.
发明人：吳學俊 , OH, HAKJUNE , 金鎮祺 , KIM, JIN-KI
IPC分类号： G11C7/22 , G11C8/18 , G11C16/08
CPC分类号： G11C16/10 , G06F13/4239 , G11C7/10 , G11C7/1003

7. 发明专利

TW200933646A 適用互連為環拓樸之半導體記憶體裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE SUITABLE FOR INTERCONNECTION IN A RING TOPOLOGY 审中-公开
简体标题：适用互连为环拓朴之半导体内存设备 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE SUITABLE FOR INTERCONNECTION IN A RING TOPOLOGY
公开(公告)号：TW200933646A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097140432
申请日：2008-10-22
申请人：摩賽德科技股份有限公司 MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：吳學俊 OH, HAKJUNE
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/10 , G06F13/4239 , G11C7/10 , G11C7/1003
摘要：一種半導體記憶體裝置,其包含:記憶體;多數輸入,用以接收命令閂鎖致能信號、位址閂鎖致能信號、資訊信號及選擇信號,表示該記憶體裝置是否為控制器所選擇;多數輸出,用以釋放一組輸出信號至下一裝置;控制電路;及旁路電路。當選擇信號表示記憶體裝置被該控制器所選擇時,該控制電路被架構以根據該命令閂鎖致能信號及位址閂鎖致能信號,解譯該資訊信號。當該選擇信號表示該記憶體裝置未為該控制器所選擇時,該旁路電路被架構以傳送該命令閂鎖致能信號、該位址閂鎖致能信號及該資訊信號至記憶體裝置的輸出。
简体摘要：一种半导体内存设备,其包含:内存;多数输入,用以接收命令闩锁致能信号、位址闩锁致能信号、信息信号及选择信号,表示该内存设备是否为控制器所选择;多数输出,用以释放一组输出信号至下一设备;控制电路;及旁路电路。当选择信号表示内存设备被该控制器所选择时,该控制电路被架构以根据该命令闩锁致能信号及位址闩锁致能信号,解译该信息信号。当该选择信号表示该内存设备未为该控制器所选择时,该旁路电路被架构以发送该命令闩锁致能信号、该位址闩锁致能信号及该信息信号至内存设备的输出。

8. 发明专利

TWI480734B 用於串聯配置中複數個記憶體裝置的方法、辨識裝置及包含串聯裝置的系統有权
简体标题：用于串联配置中复数个内存设备的方法、辨识设备及包含串联设备的系统
公开(公告)号：TWI480734B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW096148760
申请日：2007-12-19
申请人：考文森智財管理公司 , CONVERSANT INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT INC.
发明人：潘弘柏 , PYEON, HONG BEOM , 吳學俊 , OH, HAKJUNE , 金鎮祺 , KIM, JIN-KI , 史蒂芬普茲比爾斯基 , PRZYBYLSKI, STEVEN
IPC分类号： G06F12/08
CPC分类号： G11C7/20 , G06F13/4291 , G11C7/10 , G11C7/1003 , G11C19/00 , G11C2029/4402

9. 发明专利

TW201418981A 用於記憶體的彈性命令定址审中-公开
简体标题：用于内存的弹性命令寻址
公开(公告)号：TW201418981A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102120902
申请日：2013-06-13
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：班庫杰特 , BAINS, KULJIT S. , 赫伯特約翰 , HALBERT, JOHN B.
IPC分类号： G06F12/02 , G06F13/16
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/0605 , G06F3/0683 , G06F13/4022 , G06F13/4282 , G06F13/4295 , G06F15/7807 , G11C7/1003 , G11C7/1021 , G11C7/1072 , G11C8/12 , G11C11/4076 , G11C11/4087 , G11C11/4097
摘要：用於記憶體的彈性命令定址。記憶體裝置的實施例包含動態隨機存取記憶體(DRAM)；以及，與DRAM耦合的系統元件，系統元件包含用於DRAM的控制的記憶體控制器。DRAM包含記憶體庫、包含用於接收命令的多數接腳的匯流排、以及邏輯，其中，邏輯提供用於第一組接腳上收到的第一型命令及第二型命令的匯流排的共用操作。
简体摘要：用于内存的弹性命令寻址。内存设备的实施例包含动态随机存取内存(DRAM)；以及，与DRAM耦合的系统组件，系统组件包含用于DRAM的控制的内存控制器。DRAM包含内存库、包含用于接收命令的多数接脚的总线、以及逻辑，其中，逻辑提供用于第一组接脚上收到的第一型命令及第二型命令的总线的共享操作。

10. 发明专利

TW201344700A 串聯裝置中的獨立寫讀控制审中-公开
简体标题：串联设备中的独立写读控制
公开(公告)号：TW201344700A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101145992
申请日：2012-12-06
申请人：摩賽德科技股份有限公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：潘弘柏 , PYEON, HONG BEOM
IPC分类号： G11C7/10 , G11C16/06
CPC分类号： G11C7/1003 , G06F13/1668 , G11C7/1075
摘要：記憶體裝置，包含：第一控制輸入埠、第二控制輸入埠、第三控制輸入埠、資料輸入埠、資料輸出埠、內部記憶體、及控制電路。該控制電路回應於該第一控制輸入埠上的控制訊號，以透過該資料輸入埠擷取命令及位址資訊。當該命令為讀取命令時，該控制電路另回應於該第二控制輸入埠上的讀取控制訊號，以從該內部記憶體轉送與該位址資訊相關聯的資料到該資料輸出埠上。當該命令為寫入命令時，該控制電路回應於該第三控制輸入埠上的寫入控制訊號，以將透過該資料輸入埠所擷取之資料寫入到該內部記憶體內與該位置資訊相關聯的位置中。
简体摘要：内存设备，包含：第一控制输入端口、第二控制输入端口、第三控制输入端口、数据输入端口、数据输出端口、内部内存、及控制电路。该控制电路回应于该第一控制输入端口上的控制信号，以透过该数据输入端口截取命令及位址信息。当该命令为读取命令时，该控制电路另回应于该第二控制输入端口上的读取控制信号，以从该内部内存转送与该位址信息相关联的数据到该数据输出端口上。当该命令为写入命令时，该控制电路回应于该第三控制输入端口上的写入控制信号，以将透过该数据输入端口所截取之数据写入到该内部内存内与该位置信息相关联的位置中。

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