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1. 发明专利

TWI609263B 可變大小快閃轉變層有权
简体标题：可变大小快闪转变层
公开(公告)号：TWI609263B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW103127358
申请日：2014-08-08
申请人：司固科技公司 , SEAGATE TECHNOLOGY LLC
发明人：柯罕厄爾T , COHEN, EARL T.
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/04
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F11/1068 , G06F11/108 , G06F2212/1016 , G06F2212/401 , G06F2212/7201 , G06F2212/7208

2. 发明专利

TW201727506A 用以切換多個電腦裝置介面之系統及其方法及用以切換多個快速周邊組件互連（ＰＣＩｅ）匯流排之系統审中-公开
简体标题：用以切换多个电脑设备界面之系统及其方法及用以切换多个快速周边组件互连（ＰＣＩｅ）总线之系统
公开(公告)号：TW201727506A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105114380
申请日：2016-05-10
申请人：廣達電腦股份有限公司 , QUANTA COMPUTER INC.
发明人：朱威嶧 , CHU, WEI YI , 鄭嘉峰 , CHENG, CHIA FENG , 張凱 , CHANG, KAI , 陳治宇 , CHEN, CHIH YU
IPC分类号： G06F13/40 , G06F13/42
CPC分类号： G06F13/4022 , G06F12/0246 , G06F13/287 , G06F13/4282 , G06F2212/7208
摘要：一種用於一個高效能模式以及雙路徑模式之間進行切換的系統。系統包括第一裝置、第二裝置、第三裝置以及一切換開關，切換開關用以接收控制訊號，並且相應於接收控制訊號，使切換開關選擇性地耦接第一裝置之一或多個第一通道或第二裝置之一或多個第二通道至第三裝置之第三通道，以產生多個致能通道。系統也包括致能通道之數量係小於或等於第三通道之數量，並且切換開關係用以以一遞增順序將關聯於第一裝置之致能通道連接至第三通道之第一部份以及以一遞減順序將關聯於第二裝置之致能通道連接至第三通道之第二部份。
简体摘要：一种用于一个高性能模式以及双路径模式之间进行切换的系统。系统包括第一设备、第二设备、第三设备以及一切换开关，切换开关用以接收控制信号，并且相应于接收控制信号，使切换开关选择性地耦接第一设备之一或多个第一信道或第二设备之一或多个第二信道至第三设备之第三信道，以产生多个致能信道。系统也包括致能信道之数量系小于或等于第三信道之数量，并且切换开关系用以以一递增顺序将关联于第一设备之致能信道连接至第三信道之第一部份以及以一递减顺序将关联于第二设备之致能信道连接至第三信道之第二部份。

3. 发明专利

TW201719381A 記憶體裝置及方法审中-公开
简体标题：内存设备及方法
公开(公告)号：TW201719381A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105136404
申请日：2016-11-09
申请人：咕果公司 , GOOGLE INC.
发明人：夏摩納許 , SHAH, MONISH
IPC分类号： G06F3/06 , G06F12/02
CPC分类号： G06F3/065 , G06F3/0604 , G06F3/061 , G06F3/0631 , G06F3/0644 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F2212/1024 , G06F2212/7203 , G06F2212/7205 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208
摘要：一種記憶體裝置包含：複數個NAND快閃記憶體晶片；一動態隨機存取記憶體(DRAM)部分，其與該等NAND快閃記憶體晶片資料通信；及一控制器。各NAND快閃記憶體晶片具有一第一儲存容量，且包含一記憶體區段，各記憶體區段包含複數個頁面。DRAM部分具有至少像第一儲存容量一樣大之一第二儲存容量。控制器經組態以：選擇該等NAND快閃記憶體晶片之一者作為一當前選定NAND快閃記憶體晶片以供寫入資料；將在當前選定NAND快閃記憶體晶片中之所有有效頁面複製至DRAM部分中；及回應於對映射至在NAND快閃記憶體晶片之一者中之一特定實體位置的一邏輯記憶體位置之一寫入請求，分配當前選定NAND快閃記憶體晶片以供寫入至包含該特定實體位置之一特定頁面。
简体摘要：一种内存设备包含：复数个NAND闪存芯片；一动态随机存取内存(DRAM)部分，其与该等NAND闪存芯片数据通信；及一控制器。各NAND闪存芯片具有一第一存储容量，且包含一内存区段，各内存区段包含复数个页面。DRAM部分具有至少像第一存储容量一样大之一第二存储容量。控制器经组态以：选择该等NAND闪存芯片之一者作为一当前选定NAND闪存芯片以供写入数据；将在当前选定NAND闪存芯片中之所有有效页面复制至DRAM部分中；及回应于映射射至在NAND闪存芯片之一者中之一特定实体位置的一逻辑内存位置之一写入请求，分配当前选定NAND闪存芯片以供写入至包含该特定实体位置之一特定页面。

4. 发明专利

TWI582589B 用於同時存取記憶體之不同記憶體平面之裝置及方法有权
简体标题：用于同时存取内存之不同内存平面之设备及方法
公开(公告)号：TWI582589B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104124149
申请日：2015-07-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 索塔安德利亞吉凡尼 , XOTTA, ANDREA GIOVANNI , 西西蘭尼溫伯特 , SICILANI, UMBERTO , 德薩帝斯魯卡 , DESANTIS, LUCA , 印卡納提米契爾 , INCARNATI, MICHELE
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0646 , G06F12/023 , G06F12/0238 , G06F2212/1016 , G06F2212/251 , G06F2212/7208

5. 发明专利

TW201636770A 容錯式自動雙行記憶體模組更新技術审中-公开
简体标题：容错式自动双行内存模块更新技术
公开(公告)号：TW201636770A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104138741
申请日：2015-11-23
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：傑亞庫瑪撒拉希 , JAYAKUMAR, SARATHY , 庫瑪摩漢J , KUMAR, MOHAN J.
IPC分类号： G06F1/30 , G06F1/32 , G06F11/14 , G06F12/02 , G11C14/00
CPC分类号： G06F11/1441 , G06F1/30 , G06F1/3275 , G06F11/2015 , G06F12/0246 , G06F12/0638 , G06F12/0891 , G06F2212/205 , G06F2212/7208 , G06F2212/7209 , G11C5/04 , G11C5/148 , G11C7/20 , G11C14/0036 , G11C14/0045
摘要：容錯式自動DIMM(雙行記憶體模組)更新或ADR的方法和設備被描述。在一實施例中，一處理器包含有非依電性記憶體以儲存來自該處理器之一個或多個依電性緩衝器的資料。來自該處理器之該等一個或多個依電性緩衝器的該資料被儲存到該非依電性記憶體，以回應於一將導致系統重置或關閉之事件的發生。其他的實施例也被揭露並要求保護。
简体摘要：容错式自动DIMM(双行内存模块)更新或ADR的方法和设备被描述。在一实施例中，一处理器包含有非依电性内存以存储来自该处理器之一个或多个依电性缓冲器的数据。来自该处理器之该等一个或多个依电性缓冲器的该数据被存储到该非依电性内存，以回应于一将导致系统重置或关闭之事件的发生。其他的实施例也被揭露并要求保护。

6. 发明专利

TW201617880A 資料儲存裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：数据存储设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201617880A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104119147
申请日：2015-06-12
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：邊諭俊 , BYUN, EU JOON
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/08
CPC分类号： G06F11/2017 , G06F11/073 , G06F11/0793 , G06F12/0238 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/657 , G06F2212/7201 , G06F2212/7204 , G06F2212/7208 , G11C29/70 , G11C2029/0409
摘要：本發明提供一種包括記憶體裝置的資料儲存裝置，該記憶體裝置包括各自主要區域和各自虛擬區域；以及一處理器，其適用於藉由從該等各自主要區域選擇主要頁面而形成一超級頁面，其中在記憶體裝置中的主要區域之主要頁面為壞區域時，該處理器藉由從在該記憶體裝置中的虛擬區域選擇虛擬頁面而非該主要頁面，而形成一虛擬超級頁面。
简体摘要：本发明提供一种包括内存设备的数据存储设备，该内存设备包括各自主要区域和各自虚拟区域；以及一处理器，其适用于借由从该等各自主要区域选择主要页面而形成一超级页面，其中在内存设备中的主要区域之主要页面为坏区域时，该处理器借由从在该内存设备中的虚拟区域选择虚拟页面而非该主要页面，而形成一虚拟超级页面。

7. 发明专利

TWI528379B 固態硬碟的讀取方法有权
简体标题：固态硬盘的读取方法
公开(公告)号：TWI528379B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103103878
申请日：2014-02-05
申请人：廣明光電股份有限公司 , QUANTA STORAGE INC.
发明人：林政儀 , LIN, CHENG YI , 蕭亦隆 , HSIAO, YI LONG
IPC分类号： G11C7/22 , G11C8/06 , G11C16/06
CPC分类号： G06F3/0611 , G06F3/061 , G06F3/0656 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2003/0691 , G06F2003/0692 , G06F2206/1014 , G06F2212/7203 , G06F2212/7208

8. 发明专利

TWI516923B 於一非揮發性記憶體陣列中同時進行背景及前景操作之方法及系統有权
简体标题：于一非挥发性内存数组中同时进行背景及前景操作之方法及系统
公开(公告)号：TWI516923B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW099142408
申请日：2010-12-06
申请人：桑迪士克科技公司 , SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人：辛克萊爾艾倫W , SINCLAIR, ALAN W.
IPC分类号： G06F12/06 , G06F13/16
CPC分类号： G06F13/1647 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7205 , G06F2212/7208

9. 发明专利

TWI508095B 記憶體系統有权
简体标题：内存系统
公开(公告)号：TWI508095B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102106467
申请日：2013-02-23
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：松永直記 , MATSUNAGA, NAOKI
IPC分类号： G11C7/10 , G11C16/16 , G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C5/04

10. 发明专利

TW201535113A 操作高容量固體狀態驅動機的系統與方法审中-公开
简体标题：操作高容量固体状态驱动机的系统与方法
公开(公告)号：TW201535113A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103136660
申请日：2014-10-23
申请人：考文森智財管理公司 , CONVERSANT INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT INC.
发明人：李賢雄 , LEE, HYUN-WOONG
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/1041 , G06F2212/214 , G06F2212/261 , G06F2212/7201 , G06F2212/7208
摘要：一種管理固體狀態驅動機的方法。該方法包含：將串聯連接其他快閃記憶體裝置的一快閃記憶體裝置耦接至固體狀態驅動機控制器的實體排，該等其他快閃記憶體裝置形成一通道，以進一步形成高容量快閃記憶體結構；將邏輯位址由快閃轉換層映射至該固體狀態驅動機控制器的實體排；及將在該固體狀態驅動機控制器的實體排中之位址映射至在快閃記憶體裝置中的多數實體位址。
简体摘要：一种管理固体状态驱动机的方法。该方法包含：将串联连接其他闪存设备的一闪存设备耦接至固体状态驱动机控制器的实体排，该等其他闪存设备形成一信道，以进一步形成高容量闪存结构；将逻辑位址由快闪转换层映射至该固体状态驱动机控制器的实体排；及将在该固体状态驱动机控制器的实体排中之位址映射至在闪存设备中的多数实体位址。

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