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    • 1. 发明专利
    • 記憶裝置 MEMORY DEVICE
    • 记忆设备 MEMORY DEVICE
    • TWI358641B
    • 2012-02-21
    • TW093109984
    • 2004-04-09
    • 瑞薩電子股份有限公司
    • 原郁夫鹽田茂雅後藤啓之澀谷洋文
    • G06F
    • G06F12/0862G06F12/0866G06F2212/2146G06F2212/6022
    • 【課題】
      提供可以彈性地決定應先讀取資料之記憶裝置。
      【解決手段】
      具有:非揮發性記憶體(2)、存取速度比前述非揮發性記憶體快之緩衝記憶體(4)以及控制電路(5),控制電路係產生令由外部輸入之先讀取指令所指定的先讀取資料之邏輯位址和儲存該先讀取資料之緩衝記憶體位址相對應之先讀取資料管理表,將該指令所指定的資料由非揮發性記憶體讀出,當成先讀取資料而儲存在緩衝記憶體,在由外部所輸入之讀出指令所指定的邏輯位址和以先讀取資料管理表被賦予對應之邏輯位址一致時,由緩衝記憶體輸出對應之先讀取資料。
    • 【课题】 提供可以弹性地决定应先读取数据之记忆设备。 【解决手段】 具有:非挥发性内存(2)、存取速度比前述非挥发性内存快之缓冲内存(4)以及控制电路(5),控制电路系产生令由外部输入之先读取指令所指定的先读取数据之逻辑位址和存储该先读取数据之缓冲内存位址相对应之先读取数据管理表,将该指令所指定的数据由非挥发性内存读出,当成先读取数据而存储在缓冲内存,在由外部所输入之读出指令所指定的逻辑位址和以先读取数据管理表被赋予对应之逻辑位址一致时,由缓冲内存输出对应之先读取数据。