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1. 发明专利

TWI223077B 零組件測試安裝電源供應設備 Dispositif d'alimentation electrigue pour installation de tests de composants 失效
简体标题：零组件测试安装电源供应设备 Dispositif d'alimentation electrigue pour installation de tests de composants
公开(公告)号：TWI223077B
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW091101672
申请日：2002-01-31
申请人：史倫伯格系統公司 SCHLUMBERGER SYSTEMES
发明人：真-帕斯爾馬利特 JEAN-PASCAL MALLET , 柏納德帕特爾 BERNARD PLANTIER , 達米恩蘭馬奇 DAMIEN LAMARCHE
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R31/28 , G01R31/30
摘要：本發明相關於零組件測試設備之領域，特別包括效能不斷增加之電子晶片，特別相關於長時間施加之電流位準上。為了正確執行這些測試，本發明揭示一種裝置，能在數微秒內輸送電流達到200安培(A)。為此目的，裝置結合一脈寬調變(PWM)型式的電源供應，並與一高頻線性放大器(HFLA)連結。
简体摘要：本发明相关于零组件测试设备之领域，特别包括性能不断增加之电子芯片，特别相关于长时间施加之电流位准上。为了正确运行这些测试，本发明揭示一种设备，能在数微秒内输送电流达到200安培(A)。为此目的，设备结合一脉宽调制(PWM)型式的电源供应，并与一高频线性放大器(HFLA)链接。

2. 发明专利

TW580795B 輸入緩衝器及電壓位階偵測方法有权
简体标题：输入缓冲器及电压位阶侦测方法
公开(公告)号：TW580795B
公开(公告)日：2004-03-21
申请号：TW091135530
申请日：2002-12-09
申请人：美光科技股份有限公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：考歐斯提摩西B COWLES, TIMOTHY B.
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K5/08 , G01R19/16519 , G01R19/16557 , G01R19/16595 , G01R31/30 , G01R31/31721
摘要：本發明為一種用於偵測電壓之改良式輸入緩衝器與方法，可使以測試為目的之中位階電壓更易於使用。用於電壓偵測的輸入緩衝器實施例包含一參考產生器(reference generator)和一多態偵測器(multi-state detector)，參考產生器用來產生至少兩個參考電壓，並提供給多態偵測器作為輸入信號，多態偵測器適當地接收一輸入參考信號，且與兩個參考電壓比較，以提供輸出信號至三個輸出終端，此三個輸出終端分別表示高、低、中位階的操作狀態。輸入緩衝器之另一實施例可包含兩個電晶體差動對(differential pair)，其電晶體是以背靠背的方式設置且共有同一節點，因此可減少電流的需求。此外，本發明之輸入緩衝器不需增加額外的控制接腳，便能夠提供由同一晶粒墊(die pad)之多種操作方式。伍、(一)、本案代表圖為：圖3
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：300 輸入緩衝器 302 參考產生器304 三態偵測器
简体摘要：本发明为一种用于侦测电压之改良式输入缓冲器与方法，可使以测试为目的之中位阶电压更易于使用。用于电压侦测的输入缓冲器实施例包含一参考产生器(reference generator)和一多态侦测器(multi-state detector)，参考产生器用来产生至少两个参考电压，并提供给多态侦测器作为输入信号，多态侦测器适当地接收一输入参考信号，且与两个参考电压比较，以提供输出信号至三个输出终端，此三个输出终端分别表示高、低、中位阶的操作状态。输入缓冲器之另一实施例可包含两个晶体管差动对(differential pair)，其晶体管是以背靠背的方式设置且共有同一节点，因此可减少电流的需求。此外，本发明之输入缓冲器不需增加额外的控制接脚，便能够提供由同一晶粒垫(die pad)之多种操作方式。伍、(一)、本案代表图为：图3 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明：300 输入缓冲器 302 参考产生器304 三态侦测器

3. 发明专利

TW278153B 快速微處理器時鐘之精確停止失效
简体标题：快速微处理器时钟之精确停止
公开(公告)号：TW278153B
公开(公告)日：1996-06-11
申请号：TW084108375
申请日：1995-08-11
申请人：萬國商業機器公司
发明人：肯尼斯.麥可.查克 , 羅伯.摩里斯.何萊
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F11/2236 , G01R31/30 , G06F1/04
摘要：一種選擇性停止微處理器內部時鏡的方法與裝置，用於16個使用功能性元件之相位的任一個；該功能性元件包括一時鐘倍增電路，可從外部振盪器或其它適當來源接收時鐘信號的輸入，並輸出微處理器內部的時鐘信號；一控制邏輯環路，可處理並輸入停止信號至時鐘倍增器；及一時鐘專用暫存器，提供控制邏輯電路之控制信號並決定何時該停止內部時鐘信號。
简体摘要：一种选择性停止微处理器内部时镜的方法与设备，用于16个使用功能性组件之相位的任一个；该功能性组件包括一时钟倍增电路，可从外部振荡器或其它适当来源接收时钟信号的输入，并输出微处理器内部的时钟信号；一控制逻辑环路，可处理并输入停止信号至时钟倍增器；及一时钟专用寄存器，提供控制逻辑电路之控制信号并决定何时该停止内部时钟信号。

4. 发明专利

TW200902996A 使用可調式參數量測巨集之測試方法 A TESTING METHOD USING A SCALABLE PARAMETRIC MEASUREMENT MACRO 审中-公开
简体标题：使用可调式参数量测宏之测试方法 A TESTING METHOD USING A SCALABLE PARAMETRIC MEASUREMENT MACRO
公开(公告)号：TW200902996A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097107444
申请日：2008-03-04
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：珍妮P 畢克弗德 BICKFORD, JEANNE P. , 約翰R 古斯 GOSS, JOHN R. , 納茲穆哈畢伯 HABIB, NAZMUL , 羅伯J 麥克瑪翰 MCMAHON, ROBERT J.
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R31/2894 , G01R31/2831 , G01R31/30
摘要：本發明所揭露為測試方法實施例,其中在製造後測試過程中,參數量測從晶片上參數量測單元取得,且用以最佳化製造線上參數控制學習及/或用以最佳化產品篩選過程。特別是,這些製造後參數量測可用以處理晶片,而不會運出不合格產品,也不會放棄合格的產品,也不會需要高成本的功能測試。他們也可以用來識別來自設計的參數變異的良率敏感度,並根據良率敏感度提供回饋供製造線改善。此外,關於在製造和製造後階段兩者所監視的關鍵參數的歷史資料庫可以用來預測未來的良率,因此可以預先改善製造線及/或同時更新供應鏈預測。
简体摘要：本发明所揭露为测试方法实施例,其中在制造后测试过程中,参数量测从芯片上参数量测单元取得,且用以最优化制造在线参数控制学习及/或用以最优化产品筛选过程。特别是,这些制造后参数量测可用以处理芯片,而不会运出不合格产品,也不会放弃合格的产品,也不会需要高成本的功能测试。他们也可以用来识别来自设计的参数变异的良率敏感度,并根据良率敏感度提供回馈供制造线改善。此外,关于在制造和制造后阶段两者所监视的关键参数的历史数据库可以用来预测未来的良率,因此可以预先改善制造线及/或同时更新供应链预测。

5. 发明专利

TWI279873B 以每一積體電路為基礎來指定具有積體電路電壓及熱阻之裝置 ARRANGEMENTS HAVING IC VOLTAGE AND THERMAL RESISTANCE DESIGNATED ON A PER IC BASIS 失效
简体标题：以每一集成电路为基础来指定具有集成电路电压及热阻之设备 ARRANGEMENTS HAVING IC VOLTAGE AND THERMAL RESISTANCE DESIGNATED ON A PER IC BASIS
公开(公告)号：TWI279873B
公开(公告)日：2007-04-21
申请号：TW092129280
申请日：2003-10-22
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：台菲克R. 亞瑞彼 TAWFIK R. ARABI , 馬漢標 MA, HUNG PIAO , 葛果利M. 伊文諾 GREGORY M. IOVINO , 桑亞羅特 SHAI ROTEM , 亞納克菲爾得 AVNER KORNFELD , 葛果利F. 泰勒 GREGORY F. TAYLOR
IPC分类号： H01L , G01R
CPC分类号： G01R31/30 , G01R31/31718 , G06F11/24
摘要：本發明揭示一種指定於以每一積體電路為基礎之具有積體電路(IC)電壓及熱阻之裝置。
简体摘要：本发明揭示一种指定于以每一集成电路为基础之具有集成电路(IC)电压及热阻之设备。

6. 发明专利

TWI251082B 半導體晶片測試方法 METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR CHIPS 有权
简体标题：半导体芯片测试方法 METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR CHIPS
公开(公告)号：TWI251082B
公开(公告)日：2006-03-11
申请号：TW091107302
申请日：2002-04-11
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：烏度哈特曼 UDO HARTMANN , 鳩成卡爾雪優爾 JOCHEN KALLSCHEUER , 彼得比爾 PETER BEER
IPC分类号： G01R , H01L
CPC分类号： G11C29/14 , G01R31/30 , G06F11/26 , G06F2201/83 , G11C29/46
摘要：本發明係關於一種用於測試半導體晶片的方法，特別是半導體記憶體晶片，其中，在欲測試之晶片中，會設定至少一種測試模式，該測試模式係在該晶片中執行並且會將測試結果從該晶片輸出。根據本發明所提供的，在設定之後及在測試模式執行之前，會執行檢查模式，其中會以定義的形式讀取出設定於該晶片中的測試模式的狀態。
简体摘要：本发明系关于一种用于测试半导体芯片的方法，特别是半导体内存芯片，其中，在欲测试之芯片中，会设置至少一种测试模式，该测试模式系在该芯片中运行并且会将测试结果从该芯片输出。根据本发明所提供的，在设置之后及在测试模式运行之前，会运行检查模式，其中会以定义的形式读取出设置于该芯片中的测试模式的状态。

7. 发明专利

TWI223368B 半導體特性評估裝置 SEMICONDUCTOR CHARACTERISTIC EVALUATION APPARATUS 有权
简体标题：半导体特性评估设备 SEMICONDUCTOR CHARACTERISTIC EVALUATION APPARATUS
公开(公告)号：TWI223368B
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092116807
申请日：2003-06-20
申请人：半導體理工學研究中心股份有限公司 SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY ACADEMIC RESEARCH CENTER
发明人：大川真一 SHIN-ICHI OHKAWA , 青木正和 MASAKAZU AOKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C29/50008 , G01R31/2884 , G01R31/30 , G11C2029/5002
摘要：在一晶片上以一格子狀被安排的一基本測量單元上，一電阻測量電路、一電容測量電路、一n-型MOS電晶體測量電路、一p-型MOS電晶體測量電路、及一環形振盪器測量電路係藉由數十個圖案而固定。藉由數十個圖案被設置的每個測量電路被連接至一測量匯流排以便根據被測物件構成一測量匯流排網。具有一測量端子墊之測量匯流排網連接的切換適當地藉由自X、Y位址解碼器被輸出至X、Y位址選擇信號線的X、Y位址選擇信號而被電性控制。
简体摘要：在一芯片上以一格子状被安排的一基本测量单元上，一电阻测量电路、一电容测量电路、一n-型MOS晶体管测量电路、一p-型MOS晶体管测量电路、及一环形振荡器测量电路系借由数十个图案而固定。借由数十个图案被设置的每个测量电路被连接至一测量总线以便根据被测对象构成一测量总线网。具有一测量端子垫之测量总线网连接的切换适当地借由自X、Y位址译码器被输出至X、Y位址选择信号线的X、Y位址选择信号而被电性控制。

8. 发明专利

TW200403782A 半導體特性評估裝置 SEMICONDUCTOR CHARACTERISTIC EVALUATION APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体特性评估设备 SEMICONDUCTOR CHARACTERISTIC EVALUATION APPARATUS
公开(公告)号：TW200403782A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092116807
申请日：2003-06-20
申请人：半導體理工學研究中心股份有限公司 SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY ACADEMIC RESEARCH CENTER
发明人：大川真一 SHIN-ICHI OHKAWA , 青木正和 MASAKAZU AOKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C29/50008 , G01R31/2884 , G01R31/30 , G11C2029/5002
摘要：在一晶片上以一格子狀被安排的一基本測量單元上，一電阻測量電路、一電容測量電路、一n–型MOS電晶體測量電路、一p–型MOS電晶體測量電路、及一環形振盪器測量電路係藉由數十個圖案而固定。藉由數十個圖案被設置的每個測量電路被連接至一測量匯流排以便根據被測物件構成一測量匯流排網。具有一測量端子墊之測量匯流排網連接的切換適當地藉由自X、Y位址解碼器被輸出至X、Y位址選擇信號線的X、Y位址選擇信號而被電性控制。
简体摘要：在一芯片上以一格子状被安排的一基本测量单元上，一电阻测量电路、一电容测量电路、一n–型MOS晶体管测量电路、一p–型MOS晶体管测量电路、及一环形振荡器测量电路系借由数十个图案而固定。借由数十个图案被设置的每个测量电路被连接至一测量总线以便根据被测对象构成一测量总线网。具有一测量端子垫之测量总线网连接的切换适当地借由自X、Y位址译码器被输出至X、Y位址选择信号线的X、Y位址选择信号而被电性控制。

9. 发明专利

TW200301040A 輸入緩衝器及電壓位階偵測方法 INPUT BUFFER AND METHOD FOR VOLTAGE LEVEL DETECTION 审中-公开
简体标题：输入缓冲器及电压位阶侦测方法 INPUT BUFFER AND METHOD FOR VOLTAGE LEVEL DETECTION
公开(公告)号：TW200301040A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091135530
申请日：2002-12-09
申请人：美光科技股份有限公司 MICRONTECHNOLOGY, INC.
发明人：考歐斯提摩西B COWLES, TIMOTHY B.
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K5/08 , G01R19/16519 , G01R19/16557 , G01R19/16595 , G01R31/30 , G01R31/31721
摘要：本發明為一種用於偵測電壓之改良式輸入緩衝器與方法，可使以測試為目的之中位階電壓更易於使用。用於電壓偵測的輸入緩衝器實施例包含一參考產生器(referencegenerator)和一多態偵測器(multi-statedetector)，參考產生器用來產生至少兩個參考電壓，並提供給多態偵測器作為輸入信號，多態偵測器適當地接收一輸入參考信號，且與兩個參考電壓比較，以提供輸出信號至三個輸出終端，此三個輸出終端分別表示高、低、中位階的操作狀態。輸入緩衝器之另一實施例可包含兩個電晶體差動對(differentialpair)，其電晶體是以背靠背的方式設置且共有同一節點，因此可減少電流的需求。此外，本發明之輸入緩衝器不需增加額外的控制接腳，便能夠提供由同一晶粒墊(diepad)之多種操作方式。
简体摘要：本发明为一种用于侦测电压之改良式输入缓冲器与方法，可使以测试为目的之中位阶电压更易于使用。用于电压侦测的输入缓冲器实施例包含一参考产生器(referencegenerator)和一多态侦测器(multi-statedetector)，参考产生器用来产生至少两个参考电压，并提供给多态侦测器作为输入信号，多态侦测器适当地接收一输入参考信号，且与两个参考电压比较，以提供输出信号至三个输出终端，此三个输出终端分别表示高、低、中位阶的操作状态。输入缓冲器之另一实施例可包含两个晶体管差动对(differentialpair)，其晶体管是以背靠背的方式设置且共有同一节点，因此可减少电流的需求。此外，本发明之输入缓冲器不需增加额外的控制接脚，便能够提供由同一晶粒垫(diepad)之多种操作方式。

10. 发明专利

TWI489122B 電路使用期計量裝置與方法有权
简体标题：电路使用期计量设备与方法
公开(公告)号：TWI489122B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW102127684
申请日：2013-08-01
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：葉達勳 , YEH, TA HSUN , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 翁啟舜 , WENG, CHI SHUN
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2855 , G01R31/30 , G01R31/31727

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