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1. 发明专利

TWI611295B 記憶體、包含其之記憶體系統及操作記憶體之方法有权
简体标题：内存、包含其之内存系统及操作内存之方法
公开(公告)号：TWI611295B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW103104294
申请日：2014-02-10
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李荣燮 , LEE, YO-SEP , 宋清基 , SONG, CHOUNG-KI
IPC分类号： G06F12/16 , G11C29/18
CPC分类号： G11C29/50012 , G11C29/025 , G11C29/08 , G11C2029/1202 , G11C2029/5002

2. 发明专利

TW201740382A 電子裝置與其資料寫入方法审中-公开
简体标题：电子设备与其数据写入方法
公开(公告)号：TW201740382A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105133307
申请日：2016-10-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李伯浩 , LEE, PO HAO , 史毅駿 , SHIH, YI CHUN
IPC分类号： G11C16/02
CPC分类号： G11C5/147 , G11C7/14 , G11C13/0038 , G11C16/30 , G11C29/56 , G11C2029/5002
摘要：電子裝置包含電壓調節器、輔助信號產生器以及電路單元。電壓調節器用以輸出寫入電壓。輔助信號產生器用以輸出輔助信號。電路單元用以根據第一選擇信號與第二選擇信號接收寫入電壓與輔助信號兩者。
简体摘要：电子设备包含电压调节器、辅助信号产生器以及电路单元。电压调节器用以输出写入电压。辅助信号产生器用以输出辅助信号。电路单元用以根据第一选择信号与第二选择信号接收写入电压与辅助信号两者。

3. 发明专利

TW201603038A 測試半導體記憶裝置之方法、測試裝置、以及用於記錄供半導體記憶裝置用的測試程式之電腦可讀記錄媒體审中-公开
简体标题：测试半导体记忆设备之方法、测试设备、以及用于记录供半导体记忆设备用的测试进程之电脑可读记录媒体
公开(公告)号：TW201603038A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104110721
申请日：2015-04-01
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴世殷 , PARK, SEA EUN , 尹聖熙 , YUN, SUNG HEE
IPC分类号： G11C29/36 , G11C29/44
CPC分类号： G11C29/44 , G11C29/006 , G11C29/028 , G11C29/50 , G11C2029/5002
摘要：本發明係提供一種測試一半導體記憶裝置之方法。該方法包含依據對應於一第一次產生之多數案例執行一測試以及產生供該等多數案例用之模型化測試結果，依據該等模型化測試結果由該等多數案例中決定最佳案例，以及依據該等最佳案例產生對應於一第二次產生之多數案例。
简体摘要：本发明系提供一种测试一半导体记忆设备之方法。该方法包含依据对应于一第一次产生之多数案例运行一测试以及产生供该等多数案例用之模型化测试结果，依据该等模型化测试结果由该等多数案例中决定最佳案例，以及依据该等最佳案例产生对应于一第二次产生之多数案例。

4. 发明专利

TW201546814A 薄膜電子電路的客製化方法审中-公开
简体标题：薄膜电子电路的客制化方法
公开(公告)号：TW201546814A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104104504
申请日：2015-02-11
申请人：愛美科公司 , IMEC VZW , 荷蘭應用科學研究院 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
发明人：曼尼克里斯喬夫瑞亞 , MYNY, KRIS JEF RIA , 吉林克喬溫 , GELINCK, GERWIN , 吉諾傑 , GENOE, JAN
IPC分类号： G11C29/00 , H01L21/66 , H01L51/00 , H01L27/12 , H01L27/28 , H01L51/05 , G11C11/56 , G11C13/00
CPC分类号： H01L51/0022 , G11C17/146 , G11C29/028 , G11C29/50004 , G11C2029/0403 , G11C2029/5002 , H01L22/14 , H01L22/22 , H01L27/283 , H01L51/0055 , H01L51/0512
摘要：本發明提供一種用於一薄膜電路之修改的方法，其中該方法包括：(a)獲得一薄膜電路，其包括具有一輸出之至少一個邏輯閘電路，該至少一個邏輯閘電路包括複數個驅動電晶體及複數個負載元件，至少一個負載元件經電連接至該輸出；(b)在該複數個驅動電晶體之一閘極與一源極之間提供一輸入電壓型樣；(c)量測對應於該輸入電壓型樣之該至少一個邏輯閘電路之一輸出電壓型樣；(d)比較該所量測輸出電壓型樣與一預定較佳輸出電壓型樣；(e)在該所量測輸出電壓型樣不同於該預定較佳輸出電壓型樣之情況中，調適經電連接至該輸出之負載元件的數目；及(f)重複步驟(b)至(e)直至該所量測輸出電壓型樣等於該預定較佳輸出電壓型樣。
简体摘要：本发明提供一种用于一薄膜电路之修改的方法，其中该方法包括：(a)获得一薄膜电路，其包括具有一输出之至少一个逻辑门电路，该至少一个逻辑门电路包括复数个驱动晶体管及复数个负载组件，至少一个负载组件经电连接至该输出；(b)在该复数个驱动晶体管之一闸极与一源极之间提供一输入电压型样；(c)量测对应于该输入电压型样之该至少一个逻辑门电路之一输出电压型样；(d)比较该所量测输出电压型样与一预定较佳输出电压型样；(e)在该所量测输出电压型样不同于该预定较佳输出电压型样之情况中，调适经电连接至该输出之负载组件的数目；及(f)重复步骤(b)至(e)直至该所量测输出电压型样等于该预定较佳输出电压型样。

5. 发明专利

TWI485703B 調整操作電壓的記憶體與方法有权
简体标题：调整操作电压的内存与方法
公开(公告)号：TWI485703B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101106212
申请日：2012-02-24
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG YI , 孫文堂 , SUN, WEIN TOWN , 林元泰 , LIN, YEN TAI , 劉承傑 , LIU, CHENG JYE , 沈俊吉 , SHEN, CHIUN CHI
IPC分类号： G11C11/4063 , G11C7/10
CPC分类号： G11C29/021 , G11C11/40 , G11C29/028 , G11C29/50016 , G11C2029/5002

6. 发明专利

TW201335936A 以六電晶體為基礎架構之靜態隨機記憶體陣列审中-公开
简体标题：以六晶体管为基础架构之静态随机内存数组
公开(公告)号：TW201335936A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101106197
申请日：2012-02-24
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：莊景德 , CHUANG, CHING TE , 周世傑 , JOU, SHYH JYE , 黃威 , HWANG, WEI , 林宜緯 , LIN, YI WEI , 蔡銘謙 , TSAI, MING CHIEN , 楊皓義 , YANG, HAO I , 杜明賢 , TU, MING HSIEN , 石維強 , SHIH, WEI CHIANG , 連南鈞 , LIEN, NAN CHUN , 李坤地 , LEE, KUEN DI
IPC分类号： G11C11/417
CPC分类号： G11C29/50 , G11C11/41 , G11C2029/5002
摘要：本發明係提供一種以六電晶體架構組成之靜態隨機存取記憶體，其包含第一反相單元、第二反相單元第一傳送閘電晶體以及第二傳送閘電晶體。第一反相單元包含一第一升壓電晶體與一第一降壓電晶體。第二反相單元包含第二升壓電晶體與第二降壓電晶體。第二升壓電晶體之閘極係耦接第二降壓電晶體之閘極，第二升壓電晶體之汲極係耦接第二降壓電晶體之汲極。靜態隨機存取記憶體僅需藉由控制第一位元線、第二位元線、第一字元線、接地以及電壓源之輸入電壓，而不需改變製程中之物理參數，即可量測轉態電壓、讀取干擾電壓或寫入邊界。
简体摘要：本发明系提供一种以六晶体管架构组成之静态随机存取内存，其包含第一反相单元、第二反相单元第一发送闸晶体管以及第二发送闸晶体管。第一反相单元包含一第一升压晶体管与一第一降压晶体管。第二反相单元包含第二升压晶体管与第二降压晶体管。第二升压晶体管之闸极系耦接第二降压晶体管之闸极，第二升压晶体管之汲极系耦接第二降压晶体管之汲极。静态随机存取内存仅需借由控制第一比特线、第二比特线、第一字符线、接地以及电压源之输入电压，而不需改变制程中之物理参数，即可量测转态电压、读取干扰电压或写入边界。

7. 发明专利

TW201327142A 具有縮短硬碟耐用性測試時間的電子裝置及方法审中-公开
简体标题：具有缩短硬盘耐用性测试时间的电子设备及方法
公开(公告)号：TW201327142A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101100691
申请日：2012-01-06
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：譚敏 , TAN, MIN
IPC分类号： G06F11/26 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/08 , G11C29/50 , G11C29/56 , G11C2029/5002
摘要：本發明提供一種具有縮短硬碟耐用性測試時間的電子裝置及方法，該電子裝置包括有存儲單元及處理單元，該存儲單元中存儲有一配置表,其記錄了不同容量的硬碟對應的多個邏輯位址選項，該多個邏輯位址選項包括一默認的邏輯位址選項，讀取模組，讀取插入電子裝置介面的硬碟的容量；選項獲取模組，根據讀取模組所讀取硬碟的容量及存儲單元中的配置表確定該硬碟容量默認的邏輯位址選項；容量讀取模組，根據確定的默認邏輯位址選項讀取該邏輯位址對應的該硬碟實際需要測試的容量；及測試模組，測試該硬碟實際需要測試的容量的耐用性耗費的時間。
简体摘要：本发明提供一种具有缩短硬盘耐用性测试时间的电子设备及方法，该电子设备包括有存储单元及处理单元，该存储单元中存储有一配置表,其记录了不同容量的硬盘对应的多个逻辑位址选项，该多个逻辑位址选项包括一默认的逻辑位址选项，读取模块，读取插入电子设备界面的硬盘的容量；选项获取模块，根据读取模块所读取硬盘的容量及存储单元中的配置表确定该硬盘容量默认的逻辑位址选项；容量读取模块，根据确定的默认逻辑位址选项读取该逻辑位址对应的该硬盘实际需要测试的容量；及测试模块，测试该硬盘实际需要测试的容量的耐用性耗费的时间。

8. 发明专利

TW200643974A 用於記憶體模組之多重元件的溫度判定及傳遞技術 TEMPERATURE DETERMINATION AND COMMUNICATION FOR MULTIPLE DEVICES OF A MEMORY MODULE 审中-公开
简体标题：用于内存模块之多重组件的温度判定及传递技术 TEMPERATURE DETERMINATION AND COMMUNICATION FOR MULTIPLE DEVICES OF A MEMORY MODULE
公开(公告)号：TW200643974A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW095110979
申请日：2006-03-29
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：傑恩桑迪普 JAIN, SANDEEP , 席峻 SHI, JUN , 米許拉安奈梅斯 MISHRA, ANIMESH , 懷特大衛 WYATT, DAVID , 哈伯特約翰 HALBERT, JOHN , 伊斯巴拉麥里克 ISBARA, MELIK
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C5/04 , G01K7/425 , G11C7/04 , G11C7/1048 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C11/40626 , G11C29/028 , G11C2029/5002
摘要：熱管理與傳遞技術係針對含有數個記憶體裝置之記憶體模組來描述。在一範例中，本發明包括判定一第一記憶體裝置之一溫度，該第一記憶體裝置含有多個記憶體晶胞，在判定該第一記憶體裝置之該溫度後判定一第二記憶體裝置之一溫度，該第二記憶體裝置含有多個記憶體晶胞，以及根據該第一和該第二溫度之評估產生一警告。在另一範例中，此發明包括檢測在含有多個記憶體裝置之一記憶體模組中之一記憶體裝置上的一熱事件，檢測該記憶體模組之一事件匯流排之狀態，並在該事件匯流排在一未佔用狀態時在該事件匯流排上傳送一警示。
简体摘要：热管理与传递技术系针对含有数个内存设备之内存模块来描述。在一范例中，本发明包括判定一第一内存设备之一温度，该第一内存设备含有多个内存晶胞，在判定该第一内存设备之该温度后判定一第二内存设备之一温度，该第二内存设备含有多个内存晶胞，以及根据该第一和该第二温度之评估产生一警告。在另一范例中，此发明包括检测在含有多个内存设备之一内存模块中之一内存设备上的一热事件，检测该内存模块之一事件总线之状态，并在该事件总线在一未占用状态时在该事件总线上载送一警示。

9. 发明专利

TW200512469A 具有模擬修整的積體電路和其模擬與修整方法 CIRCUITRY AND METHOD OF A IC HAVING THE SIMULATIVE TRIMMING 失效
简体标题：具有仿真修整的集成电路和其仿真与修整方法 CIRCUITRY AND METHOD OF A IC HAVING THE SIMULATIVE TRIMMING
公开(公告)号：TW200512469A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW092125864
申请日：2003-09-19
申请人：凌越科技股份有限公司 TOPRO TECHNOLOGY INC.
发明人：簡丞星 CHIEN, CHENG HSING , 宋尤昱 SUNG, YU YU
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G11C29/50 , G11C29/028 , G11C29/54 , G11C2029/5002
摘要：一種具有模擬修整的積體電路(Integrated Circuit, IC)和其模擬與修整方法，此積體電路包含主要電路、多工器、修整電路及模擬裝置，模擬裝置可模擬修整電路的動作，在模擬修整時，可依據積體電路的電氣特性送出模擬訊號，暫時改變積體電路的電氣特性，可讓設計者預估積體電路經過修整後的電氣特性，是否符合要求。
简体摘要：一种具有仿真修整的集成电路(Integrated Circuit, IC)和其仿真与修整方法，此集成电路包含主要电路、多任务器、修整电路及仿真设备，仿真设备可仿真修整电路的动作，在仿真修整时，可依据集成电路的电气特性送出仿真信号，暂时改变集成电路的电气特性，可让设计者预估集成电路经过修整后的电气特性，是否符合要求。

10. 发明专利

TW200415590A 偵測磁資料儲存裝置中可能發生之熱鬆弛之方法及裝置 A METHOD AND DEVICE TO DETECT THE LIKELY ONSET OF THERMAL RELAXATION IN MAGNETIC DATA STORAGE DEVICES 审中-公开
简体标题：侦测磁数据存储设备中可能发生之热松弛之方法及设备 A METHOD AND DEVICE TO DETECT THE LIKELY ONSET OF THERMAL RELAXATION IN MAGNETIC DATA STORAGE DEVICES
公开(公告)号：TW200415590A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW092133030
申请日：2003-11-25
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：蓋文尼可拉司菲立普 PHILLIPS, GAVIN NICHOLAS , 漢思馬克伯特包夫 BOEVE, HANS MARC BERT
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11C11/16 , G11C29/50 , G11C2029/5002
摘要：本發明揭示一種在資料儲存裝置中寫入或圖案化具有小於實際資料儲存所用的最小尺寸之一磁容量範圍的參考磁元件或位元。該等參考元件或位元具有適當尺度，使其磁化鬆弛時間短於該等儲存元件或位元之最小期望鬆弛時間。對參考元件或位元之磁化的探測，使該等儲存元件或位元中可能發生之磁化鬆弛可得以偵測，因此發出必須重新寫入(重新磁化)該等儲存元件或位元之信號。此方案可以組織在列、行或區段上。
简体摘要：本发明揭示一种在数据存储设备中写入或图案化具有小于实际数据存储所用的最小尺寸之一磁容量范围的参考磁组件或比特。该等参考组件或比特具有适当尺度，使其磁化松弛时间短于该等存储组件或比特之最小期望松弛时间。对参考组件或比特之磁化的探测，使该等存储组件或比特中可能发生之磁化松弛可得以侦测，因此发出必须重新写入(重新磁化)该等存储组件或比特之信号。此方案可以组织在列、行或区段上。

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