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1. 发明专利

TW201710688A 電壓監測器审中-公开
简体标题：电压监测器
公开(公告)号：TW201710688A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105118957
申请日：2016-06-16
申请人：諾迪克半導體股份有限公司 , NORDIC SEMICONDUCTOR ASA
发明人：達爾漢斯O , DAHL, HANS OLA , 依涅賽巴斯汀L , ENE, SEBASTIAN LOAN
IPC分类号： G01R19/165 , H03M1/34
CPC分类号： G01R19/16576 , G01R19/0038 , G01R19/16519 , G01R19/16538 , G06F1/28 , H03K5/2481
摘要：一種電壓監測器電路包含有：一受監測電壓輸入；一參考電容器，其係布置來能夠將該受監測電壓之一值儲存為一參考電容器電壓；一逾時電容器，其係布置來能夠將該受監測電壓之一值儲存為一逾時電容器電壓。該逾時電容器經歷一比該參考電容器更高的漏電。該電壓監測器電路亦包含有一比較器，其係布置來：比較該受監測電壓與該參考電容器電壓；比較該逾時電容器電壓與該參考電容器電壓；以及基於該等比較而在該比較器之一輸出產生一邏輯信號，若該參考電容器電壓低於或等於該受監測電壓及該逾時電容器電壓兩者，則該邏輯信號具有一第一邏輯值。
简体摘要：一种电压监测器电路包含有：一受监测电压输入；一参考电容器，其系布置来能够将该受监测电压之一值存储为一参考电容器电压；一逾时电容器，其系布置来能够将该受监测电压之一值存储为一逾时电容器电压。该逾时电容器经历一比该参考电容器更高的漏电。该电压监测器电路亦包含有一比较器，其系布置来：比较该受监测电压与该参考电容器电压；比较该逾时电容器电压与该参考电容器电压；以及基于该等比较而在该比较器之一输出产生一逻辑信号，若该参考电容器电压低于或等于该受监测电压及该逾时电容器电压两者，则该逻辑信号具有一第一逻辑值。

2. 发明专利

TWI387863B 形成電流感應電路之方法以及用於其之結構有权
简体标题：形成电流感应电路之方法以及用于其之结构
公开(公告)号：TWI387863B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW095127321
申请日：2006-07-26
申请人：半導體組件工業公司 , SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：赫伯葛蘭瑞 , GRANDRY, HUBERT
IPC分类号： G05F1/10
CPC分类号： G01R19/16538 , G01R19/16519 , H02M3/156 , H02M2001/0009

3. 发明专利

TW201021415A 順應高信號位準之輸入／輸出電路 HIGH SIGNAL LEVEL COMPLIANT INPUT/OUTPUT CIRCUITS 审中-公开
简体标题：顺应高信号位准之输入／输出电路 HIGH SIGNAL LEVEL COMPLIANT INPUT/OUTPUT CIRCUITS
公开(公告)号：TW201021415A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098125562
申请日：2009-07-29
申请人：高通公司
发明人：山卡爾維杰 , 固帕塔艾柏赫克 , 史林福斯凡那福 , 摩漢福克
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K19/018507 , G01R19/16519 , G01R19/16552 , H03K19/00315
摘要：本發明提供一種位準偵測器，其具有一輸入電路，該輸入電路經調適以接受多個信號位準之信號，以用於偵測一特定位準。該等信號位準包括一第一信號位準及一較大之第二信號位準。該輸入電路之電子組件具有小於該第二信號位準之可靠性位準。一鎖存電路經耦接至該輸入電路，以用於鎖存一與一所接受信號之一所偵測位準一致的信號。
简体摘要：本发明提供一种位准侦测器，其具有一输入电路，该输入电路经调适以接受多个信号位准之信号，以用于侦测一特定位准。该等信号位准包括一第一信号位准及一较大之第二信号位准。该输入电路之电子组件具有小于该第二信号位准之可靠性位准。一锁存电路经耦接至该输入电路，以用于锁存一与一所接受信号之一所侦测位准一致的信号。

4. 发明专利

TW498604B 高速低電流比較器有权
简体标题：高速低电流比较器
公开(公告)号：TW498604B
公开(公告)日：2002-08-11
申请号：TW089126365
申请日：2000-12-11
申请人：華邦電子股份有限公司
发明人：林泓均 , 黃志豪 , 王是琦
IPC分类号： H03F
CPC分类号： G01R19/16519 , G01R19/16538 , G11C7/062 , G11C2207/063
摘要：本發明揭示一種高速低電流比較器，其包含：第一對互補金氧半電晶體，其各源極連接一訊號輸入端；第二對互補金氧半電晶體，其各閘極連接該訊號輸入端；一採二極體方式連接之金氧半電晶體，具有一閘汲共接端與一源極端，並以此兩端串接於該第二對互補金氧半電晶體之兩汲極之間；第三對互補金氧半電晶體，其NMOS電晶體之閘極連接該閘汲共接端，其PMOS電晶體之閘極連接至該源極端；第四對互補金氧半電晶體，其各閘極共同連接該第三對互補金氧半電晶體之各汲極；以及第五對互補金氧半電晶體，其各閘極共同連接至該第四對互補金氧半電晶體之各汲極，且各汲極共接一輸出端。
简体摘要：本发明揭示一种高速低电流比较器，其包含：第一对互补金氧半晶体管，其各源极连接一信号输入端；第二对互补金氧半晶体管，其各闸极连接该信号输入端；一采二极管方式连接之金氧半晶体管，具有一闸汲共接端与一源极端，并以此两端串接于该第二对互补金氧半晶体管之两汲极之间；第三对互补金氧半晶体管，其NMOS晶体管之闸极连接该闸汲共接端，其PMOS晶体管之闸极连接至该源极端；第四对互补金氧半晶体管，其各闸极共同连接该第三对互补金氧半晶体管之各汲极；以及第五对互补金氧半晶体管，其各闸极共同连接至该第四对互补金氧半晶体管之各汲极，且各汲极共接一输出端。

5. 发明专利

TW247940B 使用高壓電晶體之逆增益的積體高壓差動感測器失效
简体标题：使用高压晶体管之逆增益的积体高压差动传感器
公开(公告)号：TW247940B
公开(公告)日：1995-05-21
申请号：TW083102053
申请日：1994-03-09
申请人：飛利浦電子股份有限公司
发明人：史帝芬.L.王
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R19/10 , G01R19/16519
摘要：一種積體高壓差動感測器，此感測器利用一對寄生接合型場效電晶體(JFETs)之逆增益以提供一低功率電路，用以使差動高壓信號往下變換為較低電壓位準，俾可由功率 IC中之低壓控制電路易於感測，而不須使用電阻性分壓器。此IC包括，在第一高壓輸入(11)與地之間，第一JFET(J1)第一電壓位準位移電阻器(R1)及偏向電流源(13)之第一串聯電路。而基準電阻器(RL)，第二JFET(J2)，第二電壓位準位移電阻器(R2)與偏電流源(15)之第二串聯電路則連接於第二高壓輸入(12)與地之間。包括有運算放大器(19)之反饋電路係連接於第一串聯電路之低壓點與兩 JFET之閘極之間，因此能予調整兩JFET之偏電壓。比較器(16)係與第二串聯電路之低壓點相連接，並依I5RL輸入差動臨限值轉換。
简体摘要：一种积体高压差动传感器，此传感器利用一对寄生接合型场效应管(JFETs)之逆增益以提供一低功率电路，用以使差动高压信号往下变换为较低电压位准，俾可由功率 IC中之低压控制电路易于传感，而不须使用电阻性分压器。此IC包括，在第一高压输入(11)与地之间，第一JFET(J1)第一电压位准位移电阻器(R1)及偏向电流源(13)之第一串联电路。而基准电阻器(RL)，第二JFET(J2)，第二电压位准位移电阻器(R2)与偏电流源(15)之第二串联电路则连接于第二高压输入(12)与地之间。包括有运算放大器(19)之反馈电路系连接于第一串联电路之低压点与两 JFET之闸极之间，因此能予调整两JFET之偏电压。比较器(16)系与第二串联电路之低压点相连接，并依I5RL输入差动临限值转换。

6. 发明专利

TWI585420B 電壓檢測電路有权
简体标题：电压检测电路
公开(公告)号：TWI585420B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW101105244
申请日：2012-02-17
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：陳柏宏 , CHEN, PO HUNG , 高宮真 , TAKAMIYA, MAKOTO , 櫻井貴康 , SAKURAI, TAKAYASU
IPC分类号： G01R19/165
CPC分类号： G01R19/16519 , G01F3/20

7. 发明专利

TW200952306A 充電控制用半導體積體電路审中-公开
简体标题：充电控制用半导体集成电路
公开(公告)号：TW200952306A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098116388
申请日：2009-05-18
申请人：三美電機股份有限公司
发明人：元市芳裕 , 鈴木大介 , 高橋佳周 , 黑川源太郎
IPC分类号： H02J , G05F
CPC分类号： H02J7/0052 , G01R19/16519 , H03K17/0822
摘要：一種充電控制用半導體積體電路，係在藉由電流鏡方式檢測並控制在電流控制用MOS電晶體中流過的電流的充電控制用IC中，即使電晶體的尺寸比波動，也能夠提高電流檢測精度。其係在電流鏡方式的電流檢測電路中，設置偏壓狀態控制用電晶體、以及將電流控制用電晶體與電流檢測用電晶體的汲極電壓作為輸入的運算放大電路。根據該運算放大電路的輸出，電流檢測用MOS電晶體的偏壓狀態變得與電流控制用電晶體的偏壓狀態相同，並且調整電流檢測用電晶體的汲極佈線的長度，以使從電流控制用電晶體和電流檢測用電晶體的各汲極到運算放大電路的對應的輸入點的佈線的寄生電阻導致的電壓降相同。
简体摘要：一种充电控制用半导体集成电路，系在借由电流镜方式检测并控制在电流控制用MOS晶体管中流过的电流的充电控制用IC中，即使晶体管的尺寸比波动，也能够提高电流检测精度。其系在电流镜方式的电流检测电路中，设置偏压状态控制用晶体管、以及将电流控制用晶体管与电流检测用晶体管的汲极电压作为输入的运算放大电路。根据该运算放大电路的输出，电流检测用MOS晶体管的偏压状态变得与电流控制用晶体管的偏压状态相同，并且调整电流检测用晶体管的汲极布线的长度，以使从电流控制用晶体管和电流检测用晶体管的各汲极到运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻导致的电压降相同。

8. 发明专利

TW200826545A 電源供應器電路 POWER SUPPLY CIRCUIT 审中-公开
简体标题：电源供应器电路 POWER SUPPLY CIRCUIT
公开(公告)号：TW200826545A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096128682
申请日：2007-08-03
申请人：力泰克斯半導體公司 ZETEX SEMICONDUCTORS PLC
发明人：芬尼阿達恩 FINNEY, ADRIAN
IPC分类号： H04L
CPC分类号： G01R31/40 , G01R19/16519 , G01R19/16547 , G01R31/026 , H01L27/088 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H04L12/10
摘要：一種電源供應器電路具有一第一MOSFET,其介於該源極與汲極之間具有一本體區域。該本體區域被連接而與該源極具有相同電位。將一適當電位施用於該閘極會造成該MOSFET切換至一傳導導通狀態。該電源供應器電路亦具有信號產生電路,其產生一信號以指出該第一MOSFET之一傳導狀態。該信號產生電路產生一不同於該源極電位之預定電位的一參考電壓。該電源供應器電路更包含一第二MOSFET,其具有被連接而與該第一MOSFET之該汲極具有相同電位之一本體區域,而該第二閘極連接來接收該參考電壓。該第一MOSFET之該汲極的該電位下降一預定電壓而低於該參考電壓時,該第二MOSFET於該第二源極與該第二汲極之間切換至一傳導導通狀態,該信號會根據該第二MOSFET之該狀態。
简体摘要：一种电源供应器电路具有一第一MOSFET,其介于该源极与汲极之间具有一本体区域。该本体区域被连接而与该源极具有相同电位。将一适当电位施用于该闸极会造成该MOSFET切换至一传导导通状态。该电源供应器电路亦具有信号产生电路,其产生一信号以指出该第一MOSFET之一传导状态。该信号产生电路产生一不同于该源极电位之预定电位的一参考电压。该电源供应器电路更包含一第二MOSFET,其具有被连接而与该第一MOSFET之该汲极具有相同电位之一本体区域,而该第二闸极连接来接收该参考电压。该第一MOSFET之该汲极的该电位下降一预定电压而低于该参考电压时,该第二MOSFET于该第二源极与该第二汲极之间切换至一传导导通状态,该信号会根据该第二MOSFET之该状态。

9. 发明专利

TWI261967B 用於脈波頻率調變(PFM)控制充電泵之衝流限制電路 RUSH CURRENT LIMITING CIRCUIT FOR A PFM CONTROL CHARGE PUMP 有权
简体标题：用于脉波频率调制(PFM)控制充电泵之冲流限制电路 RUSH CURRENT LIMITING CIRCUIT FOR A PFM CONTROL CHARGE PUMP
公开(公告)号：TWI261967B
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：TW092101995
申请日：2003-01-29
申请人：精工電子有限公司 SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：石井敏揮
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K5/08 , G01R19/16519 , H02M1/32 , H02M3/07
摘要：一用以偵測輸入電壓之電壓偵測電路被設置於PFM控制充電泵電路中，並且回應於來自輸入電壓偵測電路的訊號，藉由抑制充電泵之開關電晶體的閘極電壓來減少出現在閘極端之電位與出現在源極端之電位間的電位差，以抑制衝流值，藉以減小電流而防止雜訊的產生。
简体摘要：一用以侦测输入电压之电压侦测电路被设置于PFM控制充电泵电路中，并且回应于来自输入电压侦测电路的信号，借由抑制充电泵之开关晶体管的闸极电压来减少出现在闸极端之电位与出现在源极端之电位间的电位差，以抑制冲流值，借以减小电流而防止噪声的产生。

10. 发明专利

TW531647B 電流偵測的系統與方法有权
简体标题：电流侦测的系统与方法
公开(公告)号：TW531647B
公开(公告)日：2003-05-11
申请号：TW090125403
申请日：2001-10-15
申请人：普馬利恩股份有限公司
发明人：顧飛樂萊恩 , 蘇沙克戴夫
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R19/16519 , H02M2001/0009
摘要：本發明提出一種跨越環境溫度、製程、以及元件特性等變異而能保持一致性的電流偵測系統及方法。本發明提供與負載電流成一定比例的感測電流，以達到偵測負載電流的目的。在實施例中，電流偵測器包含一第一開關以及一第二開關。該第一開關耦合到一個或數個電阻性元件，這些電阻性元件是用來將第一開關的壓降以一定比例縮小，並輸出至一放大器的輸入端。該放大器耦接於該電阻性元件以及該第二開關之間，以偵測縮小後的第一開關壓降，並使第二開關壓降與等比例縮小後的第一開關壓降相同，然後在放大器的輸出端輸出與欲偵測電流成已知比例的較小電流。在電流偵測電路關閉的期間，為了避免放大器在第二開關與接地端之間輸出太大的電流，本發明可提供了一驅動時序電路。當放大器的輸入端電壓較低時(例如:當第一開關並未被驅動時)，驅動時序電路會將該輸入端的電阻性開關移開。基於以上的設計，本電流偵測電路可以採用低電壓元件與高電壓元件併用的方式，達到同時滿足高速、高精確性偵測電流的目的。
简体摘要：本发明提出一种跨越环境温度、制程、以及组件特性等变异而能保持一致性的电流侦测系统及方法。本发明提供与负载电流成一定比例的传感电流，以达到侦测负载电流的目的。在实施例中，电流侦测器包含一第一开关以及一第二开关。该第一开关耦合到一个或数个电阻性组件，这些电阻性组件是用来将第一开关的压降以一定比例缩小，并输出至一放大器的输入端。该放大器耦接于该电阻性组件以及该第二开关之间，以侦测缩小后的第一开关压降，并使第二开关压降与等比例缩小后的第一开关压降相同，然后在放大器的输出端输出与欲侦测电流成已知比例的较小电流。在电流侦测电路关闭的期间，为了避免放大器在第二开关与接地端之间输出太大的电流，本发明可提供了一驱动时序电路。当放大器的输入端电压较低时(例如:当第一开关并未被驱动时)，驱动时序电路会将该输入端的电阻性开关移开。基于以上的设计，本电流侦测电路可以采用低电压组件与高电压组件并用的方式，达到同时满足高速、高精确性侦测电流的目的。

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