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1. 发明专利

TWI645429B 變壓器結構有权
简体标题：变压器结构
公开(公告)号：TWI645429B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW107103121
申请日：2018-01-29
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F19/00

2. 发明专利

TWI643217B 八字形電感性線圈裝置有权
简体标题：八字形电感性线圈设备
公开(公告)号：TWI643217B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107101443
申请日：2018-01-15
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F17/00

3. 发明专利

TWI622137B 半導體封裝結構有权
简体标题：半导体封装结构
公开(公告)号：TWI622137B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW106107634
申请日：2017-03-08
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 鄧平援 , DENG, PING YUAN , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L23/10 , H01L23/48

4. 发明专利

TW201810657A 鰭式場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：鳍式场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW201810657A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105120341
申请日：2016-06-28
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：葉達勳 , YEH, TA HSUN , 羅正瑋 , LUO, CHENG WEI , 顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/772 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/30604 , H01L21/823431 , H01L29/0847 , H01L29/7851
摘要：一種鰭式場效電晶體，包含：半導體基板、鰭式結構、閘極介電層、閘極電極結構、汲極結構及源極結構。半導體基板包含絕緣區。鰭式結構延伸設置於半導體基板上，並位於二絕緣區間。閘極介電層設置以橫跨鰭式結構之兩側。閘極電極結構設置於閘極介電層上。汲極結構設置於鰭式結構對應於閘極電極結構之第一側，並與閘極電極結構間具有第一電阻值。源極結構設置於鰭式結構對應於閘極電極結構之第二側，並與閘極電極結構間具有第二電阻值，其中第一電阻值大於第二電阻值。
简体摘要：一种鳍式场效应管，包含：半导体基板、鳍式结构、闸极介电层、闸极电极结构、汲极结构及源极结构。半导体基板包含绝缘区。鳍式结构延伸设置于半导体基板上，并位于二绝缘区间。闸极介电层设置以横跨鳍式结构之两侧。闸极电极结构设置于闸极介电层上。汲极结构设置于鳍式结构对应于闸极电极结构之第一侧，并与闸极电极结构间具有第一电阻值。源极结构设置于鳍式结构对应于闸极电极结构之第二侧，并与闸极电极结构间具有第二电阻值，其中第一电阻值大于第二电阻值。

5. 发明专利

TWI550819B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI550819B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW103108269
申请日：2014-03-11
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L23/60 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/0288 , H01L21/02107 , H01L21/0273 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/30604 , H01L21/311 , H01L27/0255 , H01L27/0688 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/66181 , H01L29/945

6. 发明专利

TWI645428B 積體電感有权
简体标题：积体电感
公开(公告)号：TWI645428B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW105138910
申请日：2016-11-25
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F17/06 , H01F41/04

7. 发明专利

TWI643216B 積體電感有权
简体标题：积体电感
公开(公告)号：TWI643216B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106139042
申请日：2017-11-10
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01F17/00

8. 发明专利

TW201801280A 圖案式防護結構审中-公开
简体标题：图案式防护结构
公开(公告)号：TW201801280A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119153
申请日：2016-06-17
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 羅正瑋 , LUO, CHENG WEI , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L23/58 , H01F27/34
CPC分类号： H01L23/552 , H01L28/10
摘要：一種圖案式防護結構，其應用於積體電路中。圖案式防護結構位於積體電路之電感與基板之間。圖案式防護結構包含中央結構單元、第一圖案化結構單元及第二圖案化結構單元。中央結構單元包含第一次中央結構單元及第二次中央結構單元。第二次中央結構單元以中央結構單元之中央為基準而與第一次中央結構單元對稱配置。第一圖案化結構單元配置於中央結構單元之一側。第二圖案化結構單元配置於中央結構單元之另一側，且第二圖案化結構單元以中央結構單元為基準而與第一圖案化結構單元對稱配置。
简体摘要：一种图案式防护结构，其应用于集成电路中。图案式防护结构位于集成电路之电感与基板之间。图案式防护结构包含中央结构单元、第一图案化结构单元及第二图案化结构单元。中央结构单元包含第一次中央结构单元及第二次中央结构单元。第二次中央结构单元以中央结构单元之中央为基准而与第一次中央结构单元对称配置。第一图案化结构单元配置于中央结构单元之一侧。第二图案化结构单元配置于中央结构单元之另一侧，且第二图案化结构单元以中央结构单元为基准而与第一图案化结构单元对称配置。

9. 发明专利

TW201535662A 半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201535662A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103108269
申请日：2014-03-11
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 葉達勳 , YEH, TA HSUN
IPC分类号： H01L23/60 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/0288 , H01L21/02107 , H01L21/0273 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/30604 , H01L21/311 , H01L27/0255 , H01L27/0688 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/66181 , H01L29/945
摘要：一種半導體元件，包含：基板、第一及第二槽狀結構。第一槽狀結構位於該基板，包含第一導電層、第一摻雜層及第一絕緣層，第一絕緣層位於該第一導電層與該第一摻雜層之間。第二槽狀結構位於該基板，與該第一槽狀結構之間以該基板之一間隔部分作為間隔，包含第二導電層及第二絕緣層。該第一摻雜層設置第一接點，該基板之該間隔部分設置第二接點，該第二導電層設置第三接點；其中，該基板之該間隔部分形成一電阻，耦接該第一接點與該第二接點之間，該基板、該第二絕緣層及該第二導電層形成一電容，耦接該第二接點與該第三接點之間。
简体摘要：一种半导体组件，包含：基板、第一及第二槽状结构。第一槽状结构位于该基板，包含第一导电层、第一掺杂层及第一绝缘层，第一绝缘层位于该第一导电层与该第一掺杂层之间。第二槽状结构位于该基板，与该第一槽状结构之间以该基板之一间隔部分作为间隔，包含第二导电层及第二绝缘层。该第一掺杂层设置第一接点，该基板之该间隔部分设置第二接点，该第二导电层设置第三接点；其中，该基板之该间隔部分形成一电阻，耦接该第一接点与该第二接点之间，该基板、该第二绝缘层及该第二导电层形成一电容，耦接该第二接点与该第三接点之间。

10. 发明专利

TW201506423A 電路使用期計量裝置與方法审中-公开
简体标题：电路使用期计量设备与方法
公开(公告)号：TW201506423A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW102127684
申请日：2013-08-01
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：葉達勳 , YEH, TA HSUN , 簡育生 , JEAN, YUH SHENG , 翁啟舜 , WENG, CHI SHUN
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2855 , G01R31/30 , G01R31/31727
摘要：本發明揭露了一種電路使用期計量裝置，用來估測一目標電路之剩餘使用期，包含：一參考時脈接收端，用來接收一參考時脈；一關聯訊號產生電路，用來提供一關聯訊號，該關聯訊號產生電路與該目標電路之至少部分操作條件係同步變化；一儲存電路，用來儲存該參考時脈與該關聯訊號之一初始關係；一計量電路，耦接該參考時脈接收端與該關聯訊號產生電路，用來計量該參考時脈與該關聯訊號之一當前關係；以及一估測電路，耦接該儲存電路與該計量電路，用來依據該初始關係與該當前關係產生一估測值，其中該估測值指示該目標電路之剩餘使用期。
简体摘要：本发明揭露了一种电路使用期计量设备，用来估测一目标电路之剩余使用期，包含：一参考时脉接收端，用来接收一参考时脉；一关联信号产生电路，用来提供一关联信号，该关联信号产生电路与该目标电路之至少部分操作条件系同步变化；一存储电路，用来存储该参考时脉与该关联信号之一初始关系；一计量电路，耦接该参考时脉接收端与该关联信号产生电路，用来计量该参考时脉与该关联信号之一当前关系；以及一估测电路，耦接该存储电路与该计量电路，用来依据该初始关系与该当前关系产生一估测值，其中该估测值指示该目标电路之剩余使用期。

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