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1. 发明专利

TWI511219B 測量構件及測量晶圓堆疊之層厚度及空隙的方法有权
简体标题：测量构件及测量晶圆堆栈之层厚度及空隙的方法
公开(公告)号：TWI511219B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW100138142
申请日：2011-10-20
申请人： EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：威普林格馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , G01B7/06 , G01B11/0625 , G01B17/02 , G01B17/025 , G01N21/9501 , G01N21/9505 , G01N29/043 , G01N29/265 , G01N29/27 , G01N29/275 , G01N2291/0231 , G01N2291/02854 , G01N2291/0289 , G01N2291/044 , G01N2291/2697 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L22/12

2. 发明专利

TW200533911A 偵測金屬間之成帶現象(BANDING)之超音波方法 ULTRASONIC METHOD FOR DETECTING BANDING IN METALS 审中-公开
简体标题：侦测金属间之成带现象(BANDING)之超音波方法 ULTRASONIC METHOD FOR DETECTING BANDING IN METALS
公开(公告)号：TW200533911A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094104903
申请日：2005-02-18
申请人：客寶公司 CABOT CORPORATION
发明人：查爾司E 崴克雪二世 WICKERSHAM, CHARLES E. JR.
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N29/4427 , C22C27/02 , G01N29/06 , G01N29/07 , G01N29/11 , G01N29/265 , G01N29/28 , G01N29/343 , G01N29/348 , G01N29/48 , G01N2291/0231 , G01N2291/044 , G01N2291/101 , G01N2291/2632 , G01N2291/2697
摘要：本發明闡述一種以非破壞性方式偵測一金屬內成帶區域之存在之方法。該方法包括發送一超音波至該金屬內及獲得反射信號。互相比較該等反射信號，以確定信號強度之變化。一金屬內之成帶區域可被觀測為一較一反射後壁信號為弱之反射信號，由此，可精確地識別該金屬內成帶現象之一位置。本發明亦闡述具有低百分比之成帶現象之金屬物件。
简体摘要：本发明阐述一种以非破坏性方式侦测一金属内成带区域之存在之方法。该方法包括发送一超音波至该金属内及获得反射信号。互相比较该等反射信号，以确定信号强度之变化。一金属内之成带区域可被观测为一较一反射后壁信号为弱之反射信号，由此，可精确地识别该金属内成带现象之一位置。本发明亦阐述具有低百分比之成带现象之金属对象。

3. 发明专利

TW455686B 使用最佳波長調諧於雷射超音頻控制之系統與方法失效
简体标题：使用最佳波长调谐于激光超音频控制之系统与方法
公开(公告)号：TW455686B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW089114841
申请日：2000-07-25
申请人：洛克希德馬汀公司
发明人：馬克杜波斯 , 彼得羅蘭 , 芭芭拉凡西亞拉提 , 羅伯特非爾金斯 , 安東尼鮑可
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N29/348 , G01N29/2418 , G01N29/34 , G01N2291/015 , G01N2291/0231 , G01N2291/2694
摘要：本發明揭示了一種用來回應一雷射脈波而在自一目標發射的雷射產生的超音波中產生一所需聲頻內容之系統及方法。該方法包含下列步驟：利用一雷射光源產生一產生雷射脈波。利用一電腦決定該產生雷射脈波之一最佳波長λ0。利用該電腦可存取的一儲存裝置中儲存的與特定材料相關且憑經驗計算之資料決定該最佳波長資料。將該產生雷射脈波移到該最佳波長λ0，而產生一最佳雷射脈波。將該最佳雷射脈波導向該目標,以便產生具有所需頻率內容的雷射產生之超音波。
简体摘要：本发明揭示了一种用来回应一激光脉波而在自一目标发射的激光产生的超音波中产生一所需声频内容之系统及方法。该方法包含下列步骤：利用一激光光源产生一产生激光脉波。利用一电脑决定该产生激光脉波之一最佳波长λ0。利用该电脑可存取的一存储设备中存储的与特定材料相关且凭经验计算之数据决定该最佳波长数据。将该产生激光脉波移到该最佳波长λ0，而产生一最佳激光脉波。将该最佳激光脉波导向该目标,以便产生具有所需频率内容的激光产生之超音波。

4. 发明专利

TW293148B 在一化學蝕刻過程期間之蝕刻率的即時量測失效
简体标题：在一化学蚀刻过程期间之蚀刻率的实时量测
公开(公告)号：TW293148B
公开(公告)日：1996-12-11
申请号：TW084101687
申请日：1995-02-23
申请人：萬國商業機器公司
发明人：尤金尼.H.拉茲拉夫 , 史帝芬.G.巴比 , 李萊平 , 東尼.F.海茲 , 賈斯汀.W.王 , 蕭怡平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/013 , G01N29/348 , G01N29/42 , G01N2291/0231 , G01N2291/2694 , G03F7/3028 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係揭示一種在濕化學蝕刻劑浴中蝕刻至少一個晶圓期間即時原地監視之無接觸方法與裝置。此方法包括以下步驟，在濕化學浴中提供兩個導電性電極，其中該兩個電極係緊鄰一個晶圓，但未與其接觸；監視此兩電極間之電特性，作為在至少一個晶圓之蝕刻劑浴中時間之函數，其中在該電特性上之一項指示改變，係表示蝕刻程序之一項指項條件；及記錄該電特性之多個數值，作為蝕刻期間之函數。從多個所記錄之數值及相應時間，可測定瞬間蝕刻速率、平均蝕刻速率及蝕刻終點。因此，此種方法與裝置特別可用於濕化學蝕刻站中。
简体摘要：本发明系揭示一种在湿化学蚀刻剂浴中蚀刻至少一个晶圆期间实时原地监视之无接触方法与设备。此方法包括以下步骤，在湿化学浴中提供两个导电性电极，其中该两个电极系紧邻一个晶圆，但未与其接触；监视此两电极间之电特性，作为在至少一个晶圆之蚀刻剂浴中时间之函数，其中在该电特性上之一项指示改变，系表示蚀刻进程之一项指项条件；及记录该电特性之多个数值，作为蚀刻期间之函数。从多个所记录之数值及相应时间，可测定瞬间蚀刻速率、平均蚀刻速率及蚀刻终点。因此，此种方法与设备特别可用于湿化学蚀刻站中。

5. 发明专利

TW226435B 核對雙管之界面之厚度及內聚力之方法及裝置失效
简体标题：核对双管之界面之厚度及内聚力之方法及设备
公开(公告)号：TW226435B
公开(公告)日：1994-07-11
申请号：TW080104512
申请日：1991-06-10
申请人：法瑪湯姆股份有限公司 , 柯吉瑪公司 , 澤坎圖柏合股公司
发明人：丹狄爾.岱汝爾斯
IPC分类号： G01B
CPC分类号： G01N27/72 , G01B17/025 , G01N29/11 , G01N29/221 , G01N29/2456 , G01N2291/0231 , G01N2291/02854 , G01N2291/02863 , G01N2291/02881 , G01N2291/0421 , G01N2291/044 , G01N2291/048 , G01N2291/101 , G01N2291/2634
摘要：雙管（１）包含一種管形核心（２）以及由一種合金製成的護套層或覆蓋層（３），這些本體金屬與組成管形核心（２）的合金本體金屬是相同的。超音波從正上方投射時，可以射入到管（１）的核心（２）及覆蓋層（３）的厚度內，超音波並且由管的內部及外部表面反射回來，或藉由它的介面（４）及藉由凝聚在介面內的任何流體的反射，超音波在管子厚度內的傳遞時間可以被量測，而且反射波的大小及形狀也可決定，管（１）從它的外部表面開始，受到一種由多頻正弦電流所感應的磁場，而且我們可以量測到在管內所感應出來的電流的相位及／或大小，因此可以推得覆蓋層（３）的厚度，並且可以由超音波的傳遞時間以及覆蓋層（３）的厚度來計算出管（１）的總厚度，至於管（１）在介面（４）上的內聚力可以藉由分析從介面（４）反射回來的超音波或由覆蓋層（３）所傳回的超音波的大小（振幅）及形狀得到內聚力的大小。圖（１）。
简体摘要：双管（１）包含一种管形内核（２）以及由一种合金制成的护套层或覆盖层（３），这些本体金属与组成管形内核（２）的合金本体金属是相同的。超音波从正上方投射时，可以射入到管（１）的内核（２）及覆盖层（３）的厚度内，超音波并且由管的内部及外部表面反射回来，或借由它的界面（４）及借由凝聚在界面内的任何流体的反射，超音波在管子厚度内的传递时间可以被量测，而且反射波的大小及形状也可决定，管（１）从它的外部表面开始，受到一种由多频正弦电流所感应的磁场，而且我们可以量测到在管内所感应出来的电流的相位及／或大小，因此可以推得覆盖层（３）的厚度，并且可以由超音波的传递时间以及覆盖层（３）的厚度来计算出管（１）的总厚度，至于管（１）在界面（４）上的内聚力可以借由分析从界面（４）反射回来的超音波或由覆盖层（３）所传回的超音波的大小（振幅）及形状得到内聚力的大小。图（１）。

6. 发明专利

TWI460946B 使用雷射－超音波系統作樣本光譜特性分析之方法及裝置有权
简体标题：使用激光－超音波系统作样本光谱特性分析之方法及设备
公开(公告)号：TWI460946B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW098116309
申请日：2009-05-15
申请人：洛伊馬汀公司 , LOCKHEED MARTIN CORPORATION
发明人：德瑞克湯瑪斯E 二世 , DRAKE, THOMAS E., JR. , 杜博馬克 , DUBOIS, MARC , 羅瑞恩彼德W , LORRAINE, PETER W. , 迪頓約翰B 二世 , DEATON, JOHN B., JR. , 費爾金斯羅伯特 , FILKINS, ROBERT
IPC分类号： H01S5/00 , G03B42/06
CPC分类号： G01N29/2418 , G01N29/12 , G01N29/4409 , G01N2291/0231 , G01N2291/2694

7. 发明专利

TW201441586A 聲音微元件測試裝置與測試方法审中-公开
简体标题：声音微组件测试设备与测试方法
公开(公告)号：TW201441586A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102115097
申请日：2013-04-26
申请人：鑫創科技股份有限公司 , SOLID STATE SYSTEM CO., LTD.
发明人：操禮齊 , TSAO, LI CHI , 李建興 , LEE, CHIEN HSING
IPC分类号： G01H17/00
CPC分类号： G01N29/30 , G01N29/14 , G01N29/4436 , G01N2291/0231
摘要：一種聲音微元件測試裝置，包括發聲元件、至少一待測元件、承載板。發聲元件提供一測試聲源。承載板有一第一面與一第二面，第一面有凹陷於該承載板的一腔室，第二面有凹陷於該承載板的一承載空間以承載該待測元件。承載板還有一主通道連接該腔室與該待測元件，以及至少一個側通道，直接或是經由該主通道用以連結該腔室與該承載空間。測試聲源經過該主通道提供給待測元件的一第一面。測試聲源經過該側通道提供給待測元件的一第二面。覆蓋單元覆蓋於承載板，使得承載空間與腔室一起是一密閉空間，且待測元件是在密閉空間內。
简体摘要：一种声音微组件测试设备，包括发声组件、至少一待测组件、承载板。发声组件提供一测试声源。承载板有一第一面与一第二面，第一面有凹陷于该承载板的一腔室，第二面有凹陷于该承载板的一承载空间以承载该待测组件。承载板还有一主信道连接该腔室与该待测组件，以及至少一个侧信道，直接或是经由该主信道用以链接该腔室与该承载空间。测试声源经过该主信道提供给待测组件的一第一面。测试声源经过该侧信道提供给待测组件的一第二面。覆盖单元覆盖于承载板，使得承载空间与腔室一起是一密闭空间，且待测组件是在密闭空间内。

8. 发明专利

TWI246144B 判定半導體晶圓夾持狀態之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING CLAMPING STATUS OF SEMICONDUCTOR WAFER 失效
简体标题：判定半导体晶圆夹持状态之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING CLAMPING STATUS OF SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TWI246144B
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：TW091110876
申请日：2002-05-23
申请人：東京威力科創有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：安卓米卓維 ANDREJ MITROVIC , 威簾瓊思 WILLIAM JONES , 保羅摩羅滋 PAUL MOROZ
IPC分类号： G01N , H01L
CPC分类号： H01L21/6831 , G01N29/11 , G01N29/4427 , G01N29/48 , G01N2291/011 , G01N2291/0231 , G01N2291/044 , G01N2291/105 , G01N2291/2697 , G01N2291/2698 , H01L21/67259
摘要：一種判定一半導體晶圓被夾持至一支撐組件良窳之裝置。該裝置具有至少一個經被配置以朝該晶圓及該支撐組件之間一介面發射超音波能之超音波轉發器，所以該介面產生回波訊號，及一被配置以分析該回波訊號之資料處理單元，以達到有關該半導體晶圓被夾持至該支撐組件良窳之一判定。第一種方法係確保一晶圓於一半導體製程開始前被牢固地夾持至一支撐組件。第二種方法於一半導體製程完成時，一半導體晶圓自一支撐組件被移去前，驗證該半導體晶圓自該支撐組件的適當脫持。
简体摘要：一种判定一半导体晶圆被夹持至一支撑组件良窳之设备。该设备具有至少一个经被配置以朝该晶圆及该支撑组件之间一界面发射超音波能之超音波转发器，所以该界面产生回波信号，及一被配置以分析该回波信号之数据处理单元，以达到有关该半导体晶圆被夹持至该支撑组件良窳之一判定。第一种方法系确保一晶圆于一半导体制程开始前被牢固地夹持至一支撑组件。第二种方法于一半导体制程完成时，一半导体晶圆自一支撑组件被移去前，验证该半导体晶圆自该支撑组件的适当脱持。

9. 发明专利

TW438964B 圓筒儲罐底板之板厚測定裝置失效
简体标题：圆筒储罐底板之板厚测定设备
公开(公告)号：TW438964B
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：TW089115607
申请日：2000-08-03
申请人：旭引擎股份有限公司 , 新日本非破壞檢查股份有限公司
发明人：佐藤信義 , 野尻和寬 , 福永辰也 , 清田文範 , 木良太 , 西村裕二
IPC分类号： G01B
CPC分类号： G01N29/265 , G01B7/003 , G01B7/06 , G01B7/105 , G01B17/02 , G01N29/0609 , G01N2291/0231 , G01N2291/02854 , G01N2291/0427 , G01N2291/044 , G01N2291/106 , G01N2291/2632
摘要：本發明係在滑行儲罐底板(3.l)之上的測定台車(ll)，經由自由式連接機構(26,27)，而於寬度方向連結多數之子台車(18,19)。在各子台車(18,19)裝設反射型之超音波探觸子(22,23)及塗膜厚度計(24,25)，同時，在測定台車(ll)裝設用以測定其滑行距離的旋轉式編碼器(32)。測定從超音波探觸子(22,23)之輸出，塗膜厚度計(24,25)之輸出及旋轉式編碼器(32)之輸出，減去以旋轉式編碼器所測定之特定位置的儲罐底板(31)之塗膜厚度的實際之儲罐底板(31)的厚度且記憶，並將各部份之儲罐底板(31)的厚度顯示在畫面上。
简体摘要：本发明系在滑行储罐底板(3.l)之上的测定台车(ll)，经由自由式连接机构(26,27)，而于宽度方向链接多数之子台车(18,19)。在各子台车(18,19)装设反射型之超音波探触子(22,23)及涂膜厚度计(24,25)，同时，在测定台车(ll)装设用以测定其滑行距离的旋转式编码器(32)。测定从超音波探触子(22,23)之输出，涂膜厚度计(24,25)之输出及旋转式编码器(32)之输出，减去以旋转式编码器所测定之特定位置的储罐底板(31)之涂膜厚度的实际之储罐底板(31)的厚度且记忆，并将各部份之储罐底板(31)的厚度显示在画面上。

10. 发明专利

TW364058B 評鑑及檢查複合材料修補物的結構體所用之方法及儀器失效
简体标题：评鉴及检查复合材料修补物的结构体所用之方法及仪器
公开(公告)号：TW364058B
公开(公告)日：1999-07-11
申请号：TW085113819
申请日：1996-11-13
申请人：義系統公司
发明人： J.H.鍾
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N29/12 , G01N29/348 , G01N2291/0231 , G01N2291/0423 , G01N2291/102
摘要：一種方法及儀器，用以評鑑及檢查複合物修補結構體。它產生一組變化頻率的電場信號以測試及評鑑複合物修補區域。該電場信號被轉換成機械信號，被傳遞穿越該結構體的複合物修補區域。傳遞過來的機械信號被接收並轉換成電場信號以便處理。處理過的信號被用以比對基準參者信號以決定該複合物修補區域已受損傷或未受損傷。該基準參者信號是在作複合物修補結構體之時獲取的。
简体摘要：一种方法及仪器，用以评鉴及检查复合物修补结构体。它产生一组变化频率的电场信号以测试及评鉴复合物修补区域。该电场信号被转换成机械信号，被传递穿越该结构体的复合物修补区域。传递过来的机械信号被接收并转换成电场信号以便处理。处理过的信号被用以比对基准参者信号以决定该复合物修补区域已受损伤或未受损伤。该基准参者信号是在作复合物修补结构体之时获取的。

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