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    • 3. 发明专利
    • 光譜檢測裝置及光譜檢測方法
    • 光谱检测设备及光谱检测方法
    • TW201326791A
    • 2013-07-01
    • TW100147224
    • 2011-12-19
    • 財團法人工業技術研究院INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
    • 張光博CHANG, KUANG PO王淑儀WANG, SHU YI
    • G01N21/25
    • G01J3/2889G01J3/0224G01J3/4406G01J3/443G01N21/718
    • 一種光譜檢測裝置,包括一雷射裝置、一分光裝置、一光學光閘、一第一偏光元件、一第二偏光元件及一光分析裝置。雷射裝置用以提供一雷射光束。分光裝置用以將雷射光束分離為一第一光束與一第二光束,第二光束係傳送至一樣本以產生一光譜訊號。光學光閘設置於光分析裝置與樣本之間,第一光束係用以驅動光學光閘。第一偏光元件設置於樣本與光學光閘之間,第二偏光元件設置於光學光閘與光分析裝置之間。光分析裝置用以接收光譜訊號,其中當光學光閘被驅動而於一預定時間區間開啟時,光譜訊號係通過第一偏光元件、光學光閘與第二偏光元件而傳送至該光分析裝置。
    • 一种光谱检测设备,包括一激光设备、一分光设备、一光学光闸、一第一偏光组件、一第二偏光组件及一光分析设备。激光设备用以提供一激光光束。分光设备用以将激光光束分离为一第一光束与一第二光束,第二光束系发送至一样本以产生一光谱信号。光学光闸设置于光分析设备与样本之间,第一光束系用以驱动光学光闸。第一偏光组件设置于样本与光学光闸之间,第二偏光组件设置于光学光闸与光分析设备之间。光分析设备用以接收光谱信号,其中当光学光闸被驱动而于一预定时间区间打开时,光谱信号系通过第一偏光组件、光学光闸与第二偏光组件而发送至该光分析设备。
    • 5. 发明专利
    • 半導體晶圓中金屬的檢知方法
    • 半导体晶圆中金属的检知方法
    • TW544750B
    • 2003-08-01
    • TW091121932
    • 2002-09-24
    • 浦爾晶圓有限公司
    • 約翰格爾路斯
    • G01NH01L
    • G01N21/718G01N1/22G01N2001/045
    • 本發明係有關一種半導體晶圓中的金屬檢知方法,該方法採用鐳射照射半導體晶圓,使得產生局部汽化,並對汽化所產生柱狀電漿的電磁幅射作光譜特性分析,由此檢知出所述半導體晶圓中金屬的存在,測試每種金屬在其特性波長下電磁幅射的幅度,又可判斷出半導體晶圓中該金屬的濃度,該檢知方法快速而簡便易行,並能方便而可靠地得出每種金屬的含量,同時不會對半導體晶圓產生破壞。
    • 本发明系有关一种半导体晶圆中的金属检知方法,该方法采用激光照射半导体晶圆,使得产生局部汽化,并对汽化所产生柱状等离子的电磁幅射作光谱特性分析,由此检知出所述半导体晶圆中金属的存在,测试每种金属在其特性波长下电磁幅射的幅度,又可判断出半导体晶圆中该金属的浓度,该检知方法快速而简便易行,并能方便而可靠地得出每种金属的含量,同时不会对半导体晶圆产生破坏。