专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201128001A 金屬矽純化裝置审中-公开
简体标题：金属硅纯化设备
公开(公告)号：TW201128001A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099104551
申请日：2010-02-12
申请人：星野政宏 , 高政治
发明人：星野政宏 , 高政治
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C01B33/037 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/06 , F27B14/14 , H05B7/18
摘要：本發明提供一種金屬矽純化裝置，針對以往太陽能電池所使用複晶矽的生產方式需伴隨化學反應之大規模製造設備，因價格高昂且建設期間長，不但會產生化學副產物污染環境，且在製造過程中亦因毒性化學藥品的使用而增加工安危險。為解決此一問題，本發明採用將現有純化設備加以改造方式，設置包括以下至少一種的裝置：一組設於坩堝上方獨立的噴射機構，以將純化所需電漿、氣體、藥品等以高速噴射氣流供給至熔融矽之表面進行循環攪拌；一組設於坩堝內熔融矽液面上方適當位置之誘導構件，以導引熔融矽所蒸發氣體迴流至熔融矽表面；及一組設於腔室下方可昇降、旋轉及水平移動坩堝的操控機構，藉以控制坩堝相對於加熱體及誘導構件位置達到純化的效果。藉由上述結構性的改造而具備構成簡單、改造規模小、建設期間短、無有害原料、不產生毒性副產物等優點，因此可因應市場要求而彈性調整生產體制。
简体摘要：本发明提供一种金属硅纯化设备，针对以往太阳能电池所使用复晶硅的生产方式需伴随化学反应之大规模制造设备，因价格高昂且建设期间长，不但会产生化学副产物污染环境，且在制造过程中亦因毒性化学药品的使用而增加工安危险。为解决此一问题，本发明采用将现有纯化设备加以改造方式，设置包括以下至少一种的设备：一组设于坩埚上方独立的喷射机构，以将纯化所需等离子、气体、药品等以高速喷射气流供给至熔融硅之表面进行循环搅拌；一组设于坩埚内熔融硅液面上方适当位置之诱导构件，以导引熔融硅所蒸发气体回流至熔融硅表面；及一组设于腔室下方可升降、旋转及水平移动坩埚的操控机构，借以控制坩埚相对于加热体及诱导构件位置达到纯化的效果。借由上述结构性的改造而具备构成简单、改造规模小、建设期间短、无有害原料、不产生毒性副产物等优点，因此可因应市场要求而弹性调整生产体制。

2. 发明专利

TWI473677B 供應鋁合金熔融液的裝置有权
简体标题：供应铝合金熔融液的设备
公开(公告)号：TWI473677B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101130646
申请日：2012-08-23
申请人：游家龍
发明人：游家龍
IPC分类号： B22D17/30
CPC分类号： F27D3/14 , C22B21/0084 , F27B14/06 , F27B14/08 , F27B14/20 , F27D3/10 , F27D17/004

3. 发明专利

TW201408398A 供應鋁合金熔融液的方法及裝置审中-公开
简体标题：供应铝合金熔融液的方法及设备
公开(公告)号：TW201408398A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101130646
申请日：2012-08-23
申请人：游家龍
发明人：游家龍
IPC分类号： B22D17/30
CPC分类号： F27D3/14 , C22B21/0084 , F27B14/06 , F27B14/08 , F27B14/20 , F27D3/10 , F27D17/004
摘要：一種供應鋁合金熔融液的方法及裝置，該方法包含下列步驟：步驟1：建構一具有一出口的密閉空間，並將該密閉空間區分為互相連通的一熔解室及一預熱室。步驟2：將固態鋁合金放入該預熱室內預熱，以去除固態鋁合金內的氫、氧及水氣。步驟3：將已預熱的固態鋁合金送至該熔解室內並加熱成鋁合金熔融液。步驟4：利用一湯勺將鋁合金熔融液自該密閉空間取出。藉此，使固態鋁合金在該密閉空間內熔融為鋁合金熔融液，能夠有效降低熱能的逸散，達到節省用電的目的，同時提高鑄造時的良率。
简体摘要：一种供应铝合金熔融液的方法及设备，该方法包含下列步骤：步骤1：建构一具有一出口的密闭空间，并将该密闭空间区分为互相连通的一熔解室及一预热室。步骤2：将固态铝合金放入该预热室内预热，以去除固态铝合金内的氢、氧及水汽。步骤3：将已预热的固态铝合金送至该熔解室内并加热成铝合金熔融液。步骤4：利用一汤勺将铝合金熔融液自该密闭空间取出。借此，使固态铝合金在该密闭空间内熔融为铝合金熔融液，能够有效降低热能的逸散，达到节省用电的目的，同时提高铸造时的良率。

4. 发明专利

TW201207164A 製造多晶矽晶錠之方法和設備 PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON INGOTS 审中-公开
简体标题：制造多晶硅晶锭之方法和设备 PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON INGOTS
公开(公告)号：TW201207164A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100120806
申请日：2011-06-15
申请人：森特羅悌姆矽科技有限公司
发明人：胡希史蒂芬 , 普羅柯平柯歐雷克善德爾 , 克羅斯拉爾夫 , 后斯克利斯提恩
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C01B33/021 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/04 , F27B14/06 , F27B14/20 , F27D99/0006
摘要：本申請案敘述一用於製造多晶矽晶錠之方法和設備。於製造之過程中，一製程反應室內裝置有一熔化鍋，其中該熔化鍋內被裝入固體矽原料或是於該製程反應室中矽原料被裝入該熔化鍋內。該熔化鍋位置之設置與至少一對角加熱裝置有關，其設置之方式係該對角加熱裝置偏靠在該即將被製造之矽晶錠之側面且大致位在該矽晶錠之上方。然後，熔化鍋內之固體矽原料於高於該矽原料之熔點溫度下被加熱以於熔化鍋內生成熔化之矽，接著於低於該熔化矽之凝固溫度下冷卻熔化鍋內之矽原料，其中該矽原料於冷卻過程中之溫度分佈至少有部份係由至少一對角加熱裝置所控制。該設備包含一製程反應室，一位在該製程反應室內之熔化鍋支撐架，及至少一位在該製程反應室內之對角加熱裝置。該對角加熱裝置之位置係在該熔化鍋支撐架之側面，且通常沿著和熔化鍋垂直之方向延伸，且又和熔化鍋於垂直方向上間隔一段距離，使得該對角加熱裝置通常位在於即將於熔化鍋內形成多晶矽晶錠之上方。當製程反應室關閉時，該對角加熱裝置，相關於該熔化鍋支撐架，是固定不動的。
简体摘要：本申请案叙述一用于制造多晶硅晶锭之方法和设备。于制造之过程中，一制程反应室内设备有一熔化锅，其中该熔化锅内被装入固体硅原料或是于该制程反应室中硅原料被装入该熔化锅内。该熔化锅位置之设置与至少一对角加热设备有关，其设置之方式系该对角加热设备偏靠在该即将被制造之硅晶锭之侧面且大致位在该硅晶锭之上方。然后，熔化锅内之固体硅原料于高于该硅原料之熔点温度下被加热以于熔化锅内生成熔化之硅，接着于低于该熔化硅之凝固温度下冷却熔化锅内之硅原料，其中该硅原料于冷却过程中之温度分布至少有部份系由至少一对角加热设备所控制。该设备包含一制程反应室，一位在该制程反应室内之熔化锅支撑架，及至少一位在该制程反应室内之对角加热设备。该对角加热设备之位置系在该熔化锅支撑架之侧面，且通常沿着和熔化锅垂直之方向延伸，且又和熔化锅于垂直方向上间隔一段距离，使得该对角加热设备通常位在于即将于熔化锅内形成多晶硅晶锭之上方。当制程反应室关闭时，该对角加热设备，相关于该熔化锅支撑架，是固定不动的。

5. 发明专利

TW201021941A 一種輕金屬之真空熔解裝置及使用該熔解裝置之真空熔解方法 VACUUM MELTING DEVICE OF A LIGHT METAL, AND METHOD OF VACUUM MELTING USING THE SAME 审中-公开
简体标题：一种轻金属之真空熔解设备及使用该熔解设备之真空熔解方法 VACUUM MELTING DEVICE OF A LIGHT METAL, AND METHOD OF VACUUM MELTING USING THE SAME
公开(公告)号：TW201021941A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098133004
申请日：2009-09-29
申请人： NTT股份有限公司 , 高東瑾
发明人：高東瑾
IPC分类号： B22D
CPC分类号： B22D17/28 , B22D21/002 , B22D27/15 , F27B5/12 , F27B5/13 , F27B5/14 , F27B14/06 , F27B14/0806 , F27B14/14
摘要：本發明涉及一種輕金屬之真空熔解裝置及使用該熔解裝置之真空熔解方法，更具體地涉及具有如下特徵的輕金屬之真空熔解裝置及使用該熔解裝置之真空熔解方法：在真空熔解室內安裝有圓筒形管狀、外周面具有加熱裝置、並且在端部形成有阻擋器的傾斜的管狀熔爐，透過材料注入部投入的輕金屬材料在傾斜的管狀熔爐內、被阻擋器阻擋的狀態下透過加熱裝置來熔融，從輕金屬材料熔解開始到完全熔解時產生的熔湯以點滴狀流入熔湯保溫爐的內部，由此輕金屬熔融時所產生的氣體大致上完全從熔湯中分離，從而能夠製造出純輕金屬材料的鑄造物。
简体摘要：本发明涉及一种轻金属之真空熔解设备及使用该熔解设备之真空熔解方法，更具体地涉及具有如下特征的轻金属之真空熔解设备及使用该熔解设备之真空熔解方法：在真空熔解室内安装有圆筒形管状、外周面具有加热设备、并且在端部形成有阻挡器的倾斜的管状熔炉，透过材料注入部投入的轻金属材料在倾斜的管状熔炉内、被阻挡器阻挡的状态下透过加热设备来熔融，从轻金属材料熔解开始到完全熔解时产生的熔汤以点滴状流入熔汤保温炉的内部，由此轻金属熔融时所产生的气体大致上完全从熔汤中分离，从而能够制造出纯轻金属材料的铸造物。

6. 发明专利

TW200909619A 用於自種晶製備鑄態矽的方法和裝置(一) METHODS AND APPARATUSES FOR MANUFACTURING CAST SILICON FROM SEED CRYSTALS 审中-公开
简体标题：用于自种晶制备铸态硅的方法和设备(一) METHODS AND APPARATUSES FOR MANUFACTURING CAST SILICON FROM SEED CRYSTALS
公开(公告)号：TW200909619A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW097127405
申请日：2008-07-18
申请人： BP公司北美股份有限公司 BP CORPORATION NORTH AMERICA INC.
发明人：史托達德納桑G STODDARD, NATHAN G. , 吳蓓 WU, BEI , 克拉克羅杰F CLARK, ROGER F. , 史塔克道格拉斯L STARK, DOUGLAS L. , 李維斯蒙提A LEWIS, MONTE A. , 克利柏詹姆士A CLIBER, JAMES A.
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/02 , C30B19/067 , C30B29/06 , F27B14/06 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , Y10T428/12528
摘要：提供用於光伏打電池及其它用途之鑄造矽之方法及裝置。使用此等方法,可成長碳含量低之鑄錠,及其晶體之成長係控制成可於鑄造期間增加已種晶材料之截面積。
简体摘要：提供用于光伏打电池及其它用途之铸造硅之方法及设备。使用此等方法,可成长碳含量低之铸锭,及其晶体之成长系控制成可于铸造期间增加已种晶材料之截面积。

7. 发明专利

TWI602924B 電弧爐有权
简体标题：电弧炉
公开(公告)号：TWI602924B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW103129347
申请日：2014-08-26
申请人：大同特殊鋼股份有限公司 , DAIDO STEEL CO., LTD.
发明人：小川正人 , OGAWA, MASATO , 松尾國雄 , MATSUO, KUNIO , 富田規之 , TOMITA, NORIYUKI , 永谷哲洋 , NAGATANI, AKIHIRO
IPC分类号： C21C5/52 , F27B3/00
CPC分类号： F27B14/02 , F27B3/06 , F27B3/085 , F27B3/10 , F27B3/12 , F27B3/16 , F27B3/28 , F27B14/06 , F27B14/08 , F27B2014/002 , F27B2014/0831 , F27B2014/0887

8. 发明专利

TWI563131B 定向的晶體凝固爐及其製備晶體材料的錠之方法有权
简体标题：定向的晶体凝固炉及其制备晶体材料的锭之方法
公开(公告)号：TWI563131B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW101135514
申请日：2012-09-27
申请人：依西埃姆科技公司 , ECM TECHNOLOGIES
发明人：安德羅派翠克 , ANDROT, PATRICK , 雷菲力浦 , LAY, PHILIPPE , 瑞普林吉勒斯 , REPELLIN, GILLES , 雷蒙德菲力浦 , REYMOND, PHILIPPE
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/00 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/00 , F27B14/06 , F27B14/20

9. 发明专利

TWI547451B 利用可消耗電極真空電弧冶煉製程來精煉類金屬有权
简体标题：利用可消耗电极真空电弧冶炼制程来精炼类金属
公开(公告)号：TWI547451B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101130711
申请日：2012-08-23
申请人：康賽克公司 , CONSARC CORPORATION
发明人：羅柏茲雷蒙J , ROBERTS, RAYMOND J.
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： F27B14/14 , C01B33/037 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/06 , F27B2014/068 , Y02P20/129

10. 发明专利

TW201313631A 利用可消耗電極真空電弧冶煉製程來精煉類金屬审中-公开
简体标题：利用可消耗电极真空电弧冶炼制程来精炼类金属
公开(公告)号：TW201313631A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130711
申请日：2012-08-23
申请人：康賽克公司 , CONSARC CORPORATION
发明人：羅柏茲雷蒙J , ROBERTS, RAYMOND J.
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： F27B14/14 , C01B33/037 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/06 , F27B2014/068 , Y02P20/129
摘要：利用在使用一低矮可消耗電極真空電弧冶煉(CEVAR)底部打開式坩堝之一CEVAR熔爐系統中熔融經預加熱之電極之後藉由在受控加熱及冷卻之情形下製造一鑄錠之一CEVAR精煉製程來精煉以一經預加熱之固體電極之形式之一類金屬(諸如矽)。
简体摘要：利用在使用一低矮可消耗电极真空电弧冶炼(CEVAR)底部打开式坩埚之一CEVAR熔炉系统中熔融经预加热之电极之后借由在受控加热及冷却之情形下制造一铸锭之一CEVAR精炼制程来精炼以一经预加热之固体电极之形式之一类金属(诸如硅)。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式