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热词
    • 1. 发明专利
    • 冶金矽之純化方法
    • 冶金硅之纯化方法
    • TW201118204A
    • 2011-06-01
    • TW098138830
    • 2009-11-16
    • 星野政宏高政治
    • 星野政宏高政治
    • C30BH01L
    • C01B33/037H01L31/182Y02E10/546Y02P70/521
    • 本發明提供一種冶金矽之純化方法,主要針對習知太陽能電池所使用的多晶矽製造方法(如西門子製法),因成品品質超出太陽能電池之所需且製造價格偏高等缺點,加上在製造過程中需採用易爆性氣體及毒性原料,且會產生有害的衍生物而對環境造成污染等種種缺失。本發明主要藉由改造、使用既有的單晶生產設備,在完全不使用有害物質之狀況下,簡單地以製備整廠輸出方式執行生產;應用包括獨立氣體供應法、間歇加熱及氣體供應法、藥品添加法、熔融矽攪拌法以及真空控制法等純化方法,藉由上述純化方法在同一設備、同一時間,以單一、全部或複數組合方式整合進行生產太陽能電池所使用純度的矽製品,同時在生產過程在無需增加附加費用之情況下執行。
    • 本发明提供一种冶金硅之纯化方法,主要针对习知太阳能电池所使用的多晶硅制造方法(如西门子制法),因成品品质超出太阳能电池之所需且制造价格偏高等缺点,加上在制造过程中需采用易爆性气体及毒性原料,且会产生有害的衍生物而对环境造成污染等种种缺失。本发明主要借由改造、使用既有的单晶生产设备,在完全不使用有害物质之状况下,简单地以制备整厂输出方式运行生产;应用包括独立气体供应法、间歇加热及气体供应法、药品添加法、熔融硅搅拌法以及真空控制法等纯化方法,借由上述纯化方法在同一设备、同一时间,以单一、全部或复数组合方式集成进行生产太阳能电池所使用纯度的硅制品,同时在生产过程在无需增加附加费用之情况下运行。
    • 3. 发明专利
    • 金屬矽純化裝置
    • 金属硅纯化设备
    • TW201128001A
    • 2011-08-16
    • TW099104551
    • 2010-02-12
    • 星野政宏高政治
    • 星野政宏高政治
    • C30B
    • C01B33/037C30B11/002C30B11/003C30B29/06F27B14/06F27B14/14H05B7/18
    • 本發明提供一種金屬矽純化裝置,針對以往太陽能電池所使用複晶矽的生產方式需伴隨化學反應之大規模製造設備,因價格高昂且建設期間長,不但會產生化學副產物污染環境,且在製造過程中亦因毒性化學藥品的使用而增加工安危險。為解決此一問題,本發明採用將現有純化設備加以改造方式,設置包括以下至少一種的裝置:一組設於坩堝上方獨立的噴射機構,以將純化所需電漿、氣體、藥品等以高速噴射氣流供給至熔融矽之表面進行循環攪拌;一組設於坩堝內熔融矽液面上方適當位置之誘導構件,以導引熔融矽所蒸發氣體迴流至熔融矽表面;及一組設於腔室下方可昇降、旋轉及水平移動坩堝的操控機構,藉以控制坩堝相對於加熱體及誘導構件位置達到純化的效果。藉由上述結構性的改造而具備構成簡單、改造規模小、建設期間短、無有害原料、不產生毒性副產物等優點,因此可因應市場要求而彈性調整生產體制。
    • 本发明提供一种金属硅纯化设备,针对以往太阳能电池所使用复晶硅的生产方式需伴随化学反应之大规模制造设备,因价格高昂且建设期间长,不但会产生化学副产物污染环境,且在制造过程中亦因毒性化学药品的使用而增加工安危险。为解决此一问题,本发明采用将现有纯化设备加以改造方式,设置包括以下至少一种的设备:一组设于坩埚上方独立的喷射机构,以将纯化所需等离子、气体、药品等以高速喷射气流供给至熔融硅之表面进行循环搅拌;一组设于坩埚内熔融硅液面上方适当位置之诱导构件,以导引熔融硅所蒸发气体回流至熔融硅表面;及一组设于腔室下方可升降、旋转及水平移动坩埚的操控机构,借以控制坩埚相对于加热体及诱导构件位置达到纯化的效果。借由上述结构性的改造而具备构成简单、改造规模小、建设期间短、无有害原料、不产生毒性副产物等优点,因此可因应市场要求而弹性调整生产体制。