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1. 发明专利

TWI491768B 用於測定由污染材料所添加至高純度矽中之雜質之量的方法有权
简体标题：用于测定由污染材料所添加至高纯度硅中之杂质之量的方法
公开(公告)号：TWI491768B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW098133306
申请日：2009-09-30
申请人：漢洛克半導體公司 , HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：迪霈沙丹尼司 , DEPESA, DENNIS , 后斯特瓊 , HOST, JON , 哈梭福特洛伊 , HOUTHOOFD, TROY , 瑞陶司基愛倫 , RYTLEWSKI, ALAN
IPC分类号： C30B31/02 , G01N30/72
CPC分类号： F27B17/0033 , C01B33/021 , C01B33/037 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B35/00 , F27D19/00 , F27D2019/0006

2. 发明专利

TW201507835A 多晶矽碎塊及用於破碎多晶矽棒的方法审中-公开
简体标题：多晶硅碎块及用于破碎多晶硅棒的方法
公开(公告)号：TW201507835A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103128612
申请日：2014-08-20
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：派屈雷納 , PECH, REINER , 格魯伯彼得
IPC分类号： B28D5/00
CPC分类号： C30B35/007 , B02C1/10 , B02C2/005 , B02C4/305 , B02C13/28 , B02C17/20 , B02C2210/02 , C01B33/02 , C01B33/021 , C30B15/00 , C30B29/06
摘要：在表面上具有碳化鎢顆粒的多晶矽碎塊，其中碳化鎢顆粒根據重量加權的中位數粒徑為小於或等於0.5微米、較佳為小於或等於0.2微米或者中位數粒徑為大於或等於0.8微米、較佳為大於或等於1.3微米。一種用於將多晶矽棒破碎成為碎塊的方法，係利用至少一個具有包含碳化鎢的表面的破碎工具，其中該工具表面的碳化鎢含量為小於或等於95%，碳化鎢顆粒根據重量加權的中位數粒徑為大於或等於0.8微米，或者該工具表面的碳化鎢含量為大於或等於80%並且碳化鎢顆粒的中位數粒徑為小於或等於0.5微米。
简体摘要：在表面上具有碳化钨颗粒的多晶硅碎块，其中碳化钨颗粒根据重量加权的中位数粒径为小于或等于0.5微米、较佳为小于或等于0.2微米或者中位数粒径为大于或等于0.8微米、较佳为大于或等于1.3微米。一种用于将多晶硅棒破碎成为碎块的方法，系利用至少一个具有包含碳化钨的表面的破碎工具，其中该工具表面的碳化钨含量为小于或等于95%，碳化钨颗粒根据重量加权的中位数粒径为大于或等于0.8微米，或者该工具表面的碳化钨含量为大于或等于80%并且碳化钨颗粒的中位数粒径为小于或等于0.5微米。

3. 发明专利

TW201429593A 雷射退火設備审中-公开
简体标题：激光退火设备
公开(公告)号：TW201429593A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102118556
申请日：2013-05-27
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：朴喆鎬 , PARK, CHEOL-HO , 秋秉權 , CHOO, BYOUNG-KWON , 金銀哲 , KIM, EUN-CHEOL , 孫希根 , SON, HEE-GEUN , 尹種鉉 , YUN, JONG-HYUN
IPC分类号： B23K26/066 , B23K26/70 , H01L21/268
CPC分类号： C01B33/021 , B23K26/128 , B23K26/704
摘要：一種雷射退火設備包含配置以傳輸要照射的雷射光到照射目標上之透鏡單元；容納透鏡單元且具有開口配置以使雷射光穿過開口之透鏡單元外罩；配置以在雷射光傳輸穿過透鏡單元到照射目標之後阻擋由照射目標反射的至少一部份雷射光之阻擋板；以及位於阻擋板及透鏡單元外罩之間之冷卻單元。
简体摘要：一种激光退火设备包含配置以传输要照射的激光光到照射目标上之透镜单元；容纳透镜单元且具有开口配置以使激光光穿过开口之透镜单元外罩；配置以在激光光传输穿过透镜单元到照射目标之后阻挡由照射目标反射的至少一部份激光光之阻挡板；以及位于阻挡板及透镜单元外罩之间之冷却单元。

4. 发明专利

TW201402885A 多晶矽晶塊的製造方法审中-公开
简体标题：多晶硅晶块的制造方法
公开(公告)号：TW201402885A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW101124418
申请日：2012-07-06
申请人：茂迪股份有限公司
发明人：何鎧安 , 周建綱
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/021 , C30B11/003 , C30B29/06
摘要：一種多晶矽晶塊的製造方法，包含：(A)準備一裝有矽熔湯的容器，保持該矽熔湯表面溫度高於矽熔點，並將該容器的底部溫度自一初始溫度降溫至一第一溫度，而且本步驟的降溫速率大於或等於2.6℃/分鐘。(B)將該容器的底部溫度升溫至一個小於該初始溫度的第二溫度，接著再進行一次降溫與一次升溫，本步驟的降溫速率大於或等於2.6℃/分鐘。(C)降溫以形成多晶矽晶塊。本發明透過至少兩次的快速降溫與兩次的升溫，利用溫度反覆變化以成長出樹枝晶結構，可得到較大的晶粒尺寸，使成長出的多晶矽晶塊具有較佳的結晶性。
简体摘要：一种多晶硅晶块的制造方法，包含：(A)准备一装有硅熔汤的容器，保持该硅熔汤表面温度高于硅熔点，并将该容器的底部温度自一初始温度降温至一第一温度，而且本步骤的降温速率大于或等于2.6℃/分钟。(B)将该容器的底部温度升温至一个小于该初始温度的第二温度，接着再进行一次降温与一次升温，本步骤的降温速率大于或等于2.6℃/分钟。(C)降温以形成多晶硅晶块。本发明透过至少两次的快速降温与两次的升温，利用温度反复变化以成长出树枝晶结构，可得到较大的晶粒尺寸，使成长出的多晶硅晶块具有较佳的结晶性。

5. 发明专利

TW201209231A 矽的電磁鑄造裝置 ELECTROMAGNETIC CASTING DEVICE FOR SILICON 审中-公开
简体标题：硅的电磁铸造设备 ELECTROMAGNETIC CASTING DEVICE FOR SILICON
公开(公告)号：TW201209231A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW099141937
申请日：2010-12-02
申请人：勝高股份有限公司 , 勝高太陽能股份有限公司
发明人：海老大輔 , 小屋浩 , 竹村泰夫
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C01B33/021 , C30B11/001 , C30B29/06
摘要：一種矽的電磁鑄造裝置，其具有無底冷卻模組、加熱用感應線圈以及保溫裝置。上述保溫裝置配置於上述模組的下方，且對凝固的矽進行緩冷。對藉由上述感應線圈的電磁感應加熱而熔融的矽向下拉而凝固。使用非導電性構件來作為上述保溫裝置的外框的構成構件。亦可將上述非導電性構件僅在熔損嚴重的外框的特定的面或外框整面的上部使用。作為非導電性構件，較為理想的是氧化鋁、碳化矽。可防止加熱用感應線圈的下側所設置的保溫裝置的外框的熱引起的熔損，防止因金屬雜質造成爐內以及錠的污染，從而可製造適合作為太陽電池的基板材料的多晶矽。
简体摘要：一种硅的电磁铸造设备，其具有无底冷却模块、加热用感应线圈以及保温设备。上述保温设备配置于上述模块的下方，且对凝固的硅进行缓冷。对借由上述感应线圈的电磁感应加热而熔融的硅向下拉而凝固。使用非导电性构件来作为上述保温设备的外框的构成构件。亦可将上述非导电性构件仅在熔损严重的外框的特定的面或外框整面的上部使用。作为非导电性构件，较为理想的是氧化铝、碳化硅。可防止加热用感应线圈的下侧所设置的保温设备的外框的热引起的熔损，防止因金属杂质造成炉内以及锭的污染，从而可制造适合作为太阳电池的基板材料的多晶硅。

6. 发明专利

TW201016920A 含有奈米粒子之纖維及製造該奈米粒子之方法 FIBERS INCLUDING NANOPARTICLES AND A METHOD OF PRODUCING THE NANOPARTICLES 审中-公开
简体标题：含有奈米粒子之纤维及制造该奈米粒子之方法 FIBERS INCLUDING NANOPARTICLES AND A METHOD OF PRODUCING THE NANOPARTICLES
公开(公告)号：TW201016920A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098128409
申请日：2009-08-24
申请人：道康寧公司
发明人：亞希拉夫默哈麥德亞特 , 黃秉槿 , 盧德維邦妮J
IPC分类号： D06M , D01F , C09K , B82B
CPC分类号： C04B35/6268 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/907 , C01B32/956 , C01B33/021 , C04B35/6224 , C04B35/62281 , C04B35/62675 , C04B2235/3418 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/483 , C04B2235/5264 , C04B2235/5454 , C04B2235/9661 , D01F6/94
摘要：本發明係關於一種由具有至少一個矽原子之矽組合物進行電紡絲來製造奈米粒子之方法。由該矽組合物之電紡絲法形成纖維。熱解該等纖維以製造奈米粒子。該等奈米粒子具有極佳光致發光性且適用於許多不同應用。
简体摘要：本发明系关于一种由具有至少一个硅原子之硅组合物进行电纺丝来制造奈米粒子之方法。由该硅组合物之电纺丝法形成纤维。热解该等纤维以制造奈米粒子。该等奈米粒子具有极佳光致发光性且适用于许多不同应用。

7. 发明专利

TWI224580B Si製造方法 SI PRODUCTION PROCESS 失效
简体标题： Si制造方法 SI PRODUCTION PROCESS
公开(公告)号：TWI224580B
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW092120083
申请日：2003-07-23
申请人：新日本製鐵股份有限公司 NIPPON STEEL CORPORATION
发明人：近藤次郎 JIRO KONDO , 岡島正樹 MASAKI OKAJIMA , 德丸慎司 SHINJI TOKUMARU , 堂野前等 HITOSHI DOHNOMAE
IPC分类号： C01B , C30B
CPC分类号： C01B33/021
摘要：本發明之目標在於可廉價且效率佳地由Si製造步驟等當中產生之無工業價值之各種形態之SiO固體製造Si。因此，本發明係提供一種Si製造方法，係於SiO固體，添加總量莫耳數為SiO固體莫耳數之1/20以上1000倍以下之量之鹼金屬元素之氧化物、氫氧化物、碳酸化物、氟化物其中任一者，或鹼土類金屬元素之氧化物、氫氧化物、碳酸化物、氟化物其中任一者，或2種以上之該等化合物，且將該混合物加熱至Si之熔點以上2000℃以下，使之進行化學反應以生成 Si，並自反應副生成物分離回收該Si。
简体摘要：本发明之目标在于可廉价且效率佳地由Si制造步骤等当中产生之无工业价值之各种形态之SiO固体制造Si。因此，本发明系提供一种Si制造方法，系于SiO固体，添加总量莫耳数为SiO固体莫耳数之1/20以上1000倍以下之量之碱金属元素之氧化物、氢氧化物、碳酸化物、氟化物其中任一者，或碱土类金属元素之氧化物、氢氧化物、碳酸化物、氟化物其中任一者，或2种以上之该等化合物，且将该混合物加热至Si之熔点以上2000℃以下，使之进行化学反应以生成 Si，并自反应副生成物分离回收该Si。

8. 发明专利

TWI595954B 雷射退火設備有权
简体标题：激光退火设备
公开(公告)号：TWI595954B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102118556
申请日：2013-05-27
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：朴喆鎬 , PARK, CHEOL-HO , 秋秉權 , CHOO, BYOUNG-KWON , 金銀哲 , KIM, EUN-CHEOL , 孫希根 , SON, HEE-GEUN , 尹種鉉 , YUN, JONG-HYUN
IPC分类号： B23K26/066 , B23K26/70 , H01L21/268
CPC分类号： C01B33/021 , B23K26/128 , B23K26/704

9. 发明专利

TW201704149A 矽微粉末之製造方法、及氮化矽微粉末之製造方法审中-公开
简体标题：硅微粉末之制造方法、及氮化硅微粉末之制造方法
公开(公告)号：TW201704149A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105112312
申请日：2016-04-20
申请人： TKX股份有限公司 , TKX CORPORATION , 地方獨立行政法人京都市產業技術研究所 , KYOTO MUNICIPAL INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY AND CULTURE
发明人：池內正彥 , IKEUCHI, MASAHIKO , 下司辰郎 , GUESHI, TATSURO , 山本豊大 , YAMAMOTO, TOYOHIRO , 川田誠 , KAWATA, MAKOTO , 高石大吾 , TAKAISHI, TAIGO , 稲田博文 , INADA, HIROFUMI , 荒川裕也 , ARAKAWA, YUYA , 門野純一郎 , KADONO, JUNICHIRO , 南秀明 , MINAMI, HIDEAKI
IPC分类号： C01B33/02 , C01B21/068 , B28D5/04 , B24B55/12
CPC分类号： B08B3/08 , B08B3/10 , B24B27/06 , B24B57/02 , B28D5/04 , C01B21/068 , C01B33/021
摘要：本發明提供一種矽微粉末之製造方法，自對矽晶錠進行切片加工時所產生之矽之切削屑，不使用球磨機或噴射式磨機等機械性破碎機構即能夠採集高純度之鱗片狀矽微粉末。進而提供一種以該鱗片狀矽微粉末為起始原料之氮化矽微粉末之製造方法。利用固定研磨粒線鋸2將固定於包含氫氧化鋁之固定板4之矽晶錠3切斷，且以包含矽切削粉、雜質及冷卻液之漿料之形式回收。將所回收之漿料進行固液分離而取出包含矽切削粉與雜質之濾餅18。將該濾餅18於加熱至50~90℃之包含1~40重量%之硫酸之硫酸水溶液中浸漬攪拌20~60分鐘而洗淨。
简体摘要：本发明提供一种硅微粉末之制造方法，自对硅晶锭进行切片加工时所产生之硅之切削屑，不使用球磨机或喷射式磨机等机械性破碎机构即能够采集高纯度之鳞片状硅微粉末。进而提供一种以该鳞片状硅微粉末为起始原料之氮化硅微粉末之制造方法。利用固定研磨粒线锯2将固定于包含氢氧化铝之固定板4之硅晶锭3切断，且以包含硅切削粉、杂质及冷却液之浆料之形式回收。将所回收之浆料进行固液分离而取出包含硅切削粉与杂质之滤饼18。将该滤饼18于加热至50~90℃之包含1~40重量%之硫酸之硫酸水溶液中浸渍搅拌20~60分钟而洗净。

10. 发明专利

TWI554472B 製備高級鹵基矽烷和氫矽烷的方法有权
简体标题：制备高级卤基硅烷和氢硅烷的方法
公开(公告)号：TWI554472B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100145536
申请日：2011-12-09
申请人：贏創德固賽有限責任公司 , EVONIK DEGUSSA GMBH
发明人：偉伯史蒂芬 , WIEBER, STEPHAN , 帕茲麥瑟斯 , PATZ, MATTHIAS , 史都格哈洛德 , STUEGER, HARALD , 沃克納克里斯多夫 , WALKNER, CHRISTOPH
IPC分类号： C01B33/08 , C01B33/03
CPC分类号： C01B33/10773 , B01J31/0267 , C01B33/021 , C01B33/04

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