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1. 发明专利

TW201207164A 製造多晶矽晶錠之方法和設備 PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON INGOTS 审中-公开
简体标题：制造多晶硅晶锭之方法和设备 PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON INGOTS
公开(公告)号：TW201207164A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100120806
申请日：2011-06-15
申请人：森特羅悌姆矽科技有限公司
发明人：胡希史蒂芬 , 普羅柯平柯歐雷克善德爾 , 克羅斯拉爾夫 , 后斯克利斯提恩
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C01B33/021 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/04 , F27B14/06 , F27B14/20 , F27D99/0006
摘要：本申請案敘述一用於製造多晶矽晶錠之方法和設備。於製造之過程中，一製程反應室內裝置有一熔化鍋，其中該熔化鍋內被裝入固體矽原料或是於該製程反應室中矽原料被裝入該熔化鍋內。該熔化鍋位置之設置與至少一對角加熱裝置有關，其設置之方式係該對角加熱裝置偏靠在該即將被製造之矽晶錠之側面且大致位在該矽晶錠之上方。然後，熔化鍋內之固體矽原料於高於該矽原料之熔點溫度下被加熱以於熔化鍋內生成熔化之矽，接著於低於該熔化矽之凝固溫度下冷卻熔化鍋內之矽原料，其中該矽原料於冷卻過程中之溫度分佈至少有部份係由至少一對角加熱裝置所控制。該設備包含一製程反應室，一位在該製程反應室內之熔化鍋支撐架，及至少一位在該製程反應室內之對角加熱裝置。該對角加熱裝置之位置係在該熔化鍋支撐架之側面，且通常沿著和熔化鍋垂直之方向延伸，且又和熔化鍋於垂直方向上間隔一段距離，使得該對角加熱裝置通常位在於即將於熔化鍋內形成多晶矽晶錠之上方。當製程反應室關閉時，該對角加熱裝置，相關於該熔化鍋支撐架，是固定不動的。
简体摘要：本申请案叙述一用于制造多晶硅晶锭之方法和设备。于制造之过程中，一制程反应室内设备有一熔化锅，其中该熔化锅内被装入固体硅原料或是于该制程反应室中硅原料被装入该熔化锅内。该熔化锅位置之设置与至少一对角加热设备有关，其设置之方式系该对角加热设备偏靠在该即将被制造之硅晶锭之侧面且大致位在该硅晶锭之上方。然后，熔化锅内之固体硅原料于高于该硅原料之熔点温度下被加热以于熔化锅内生成熔化之硅，接着于低于该熔化硅之凝固温度下冷却熔化锅内之硅原料，其中该硅原料于冷却过程中之温度分布至少有部份系由至少一对角加热设备所控制。该设备包含一制程反应室，一位在该制程反应室内之熔化锅支撑架，及至少一位在该制程反应室内之对角加热设备。该对角加热设备之位置系在该熔化锅支撑架之侧面，且通常沿着和熔化锅垂直之方向延伸，且又和熔化锅于垂直方向上间隔一段距离，使得该对角加热设备通常位在于即将于熔化锅内形成多晶硅晶锭之上方。当制程反应室关闭时，该对角加热设备，相关于该熔化锅支撑架，是固定不动的。

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