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1. 发明专利

TWI547451B 利用可消耗電極真空電弧冶煉製程來精煉類金屬有权
简体标题：利用可消耗电极真空电弧冶炼制程来精炼类金属
公开(公告)号：TWI547451B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101130711
申请日：2012-08-23
申请人：康賽克公司 , CONSARC CORPORATION
发明人：羅柏茲雷蒙J , ROBERTS, RAYMOND J.
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： F27B14/14 , C01B33/037 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/06 , F27B2014/068 , Y02P20/129

2. 发明专利

TWI531533B 利用電感應電力將在固態為非電導性且在熔融狀態為電導性之材料純化有权
简体标题：利用电感应电力将在固态为非电导性且在熔融状态为电导性之材料纯化
公开(公告)号：TWI531533B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104106106
申请日：2009-12-01
申请人：殷達托德姆公司 , INDUCTOTHERM CORP.
发明人：費雪曼歐利格S , FISHMAN, OLEG S. , 摩堤米約翰H , MORTIMER, JOHN H.
IPC分类号： C01B33/037 , H05B6/02 , H05B6/24
CPC分类号： H05B3/26 , C01B33/037

3. 发明专利

TWI488807B 添加鹼金屬鎂鹵化物至溶劑金屬失效
简体标题：添加碱金属镁卤化物至溶剂金属
公开(公告)号：TWI488807B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW102122459
申请日：2013-06-25
申请人：希利柯爾材料股份有限公司 , SILICOR MATERIALS INC.
发明人：曼辛尼保羅 A , MANCINI, PAUL A. , 特倫娜亞連 , TURENNE, ALAIN
IPC分类号： C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , C01P2006/80

4. 发明专利

TWI472485B 利用酸洗以提供純化之矽晶體有权
简体标题：利用酸洗以提供纯化之硅晶体
公开(公告)号：TWI472485B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW097128406
申请日：2008-07-25
申请人：希利柯爾材料股份有限公司 , SILICOR MATERIALS INC.
发明人：尼可史考特 , NICHOL, SCOTT , 陳禎 , CHEN, JIAN J.
IPC分类号： C01B33/037 , C30B9/10 , C30B29/06 , C22C3/00
CPC分类号： C30B9/10 , C01B33/037 , C30B29/06

5. 发明专利

TWI465577B 純化鋁之方法及使用純化之鋁純化矽之方法有权
简体标题：纯化铝之方法及使用纯化之铝纯化硅之方法
公开(公告)号：TWI465577B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW102122410
申请日：2013-06-24
申请人：希利柯爾材料股份有限公司 , SILICOR MATERIALS INC.
发明人：特倫娜亞連 , TURENNE, ALAIN
IPC分类号： C22B21/00 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , C22B21/06

6. 发明专利

TWI460129B 由鋸切廢料回收矽的方法有权
简体标题：由锯切废料回收硅的方法
公开(公告)号：TWI460129B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW097142362
申请日：2008-11-03
申请人：洛桑聯邦理工學院 , ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE
发明人：赫夫曼派崔克 , HOFFMANN, PATRIK
IPC分类号： C01B33/02 , B01D45/00 , H01L21/30
CPC分类号： B03D1/02 , B28D5/007 , C01B33/02 , C01B33/037 , C02F1/24 , C02F1/70 , C02F9/00 , C02F2103/346 , Y02P70/179

7. 发明专利

TWI449818B 矽之純化方法有权
简体标题：硅之纯化方法
公开(公告)号：TWI449818B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW098127296
申请日：2009-08-13
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：大久保裕夫 , OOKUBO, YASUO
IPC分类号： C30B29/06 , H01L31/04
CPC分类号： C01B33/037

8. 发明专利

TW201313631A 利用可消耗電極真空電弧冶煉製程來精煉類金屬审中-公开
简体标题：利用可消耗电极真空电弧冶炼制程来精炼类金属
公开(公告)号：TW201313631A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130711
申请日：2012-08-23
申请人：康賽克公司 , CONSARC CORPORATION
发明人：羅柏茲雷蒙J , ROBERTS, RAYMOND J.
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： F27B14/14 , C01B33/037 , C30B11/003 , C30B29/06 , F27B14/06 , F27B2014/068 , Y02P20/129
摘要：利用在使用一低矮可消耗電極真空電弧冶煉(CEVAR)底部打開式坩堝之一CEVAR熔爐系統中熔融經預加熱之電極之後藉由在受控加熱及冷卻之情形下製造一鑄錠之一CEVAR精煉製程來精煉以一經預加熱之固體電極之形式之一類金屬(諸如矽)。
简体摘要：利用在使用一低矮可消耗电极真空电弧冶炼(CEVAR)底部打开式坩埚之一CEVAR熔炉系统中熔融经预加热之电极之后借由在受控加热及冷却之情形下制造一铸锭之一CEVAR精炼制程来精炼以一经预加热之固体电极之形式之一类金属(诸如硅)。

9. 发明专利

TWI385284B 矽之純化方法有权
简体标题：硅之纯化方法
公开(公告)号：TWI385284B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW098127160
申请日：2009-08-12
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：大久保裕夫 , OOKUBO, YASUO , 廣瀨洋一 , HIROSE, YOUICHI , 永田浩 , NAGATA, HIROSHI
IPC分类号： C30B13/00 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/037

10. 发明专利

TW201236970A 矽精鍊裝置及矽精鍊方法 AN APPARATUS FOR REFINING SILICON AND A METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：硅精炼设备及硅精炼方法 AN APPARATUS FOR REFINING SILICON AND A METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201236970A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100143721
申请日：2011-11-29
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：大久保裕夫
IPC分类号： C01B , B22D
CPC分类号： C01B33/037
摘要：提供一種以低成本來從矽原料而除去雜質之技術。在熔解容器(31)內配置由金屬矽所成之母材，並在真空氛圍中對於被配置在熔解容器(31)中之母材進行加熱而使其全部熔融，再於使熔解容器(31)之外側底面與冷卻手段(21)相分離並相對面的狀態下，對於外側底面進行冷卻，而使矽從熔解容器(31)之內部底面和熔融矽相接觸的部分起來凝固，並使凝固矽朝向上方成長，再將位置於凝固矽之上部處的未凝固矽從熔解容器(31)而除去。
简体摘要：提供一种以低成本来从硅原料而除去杂质之技术。在熔解容器(31)内配置由金属硅所成之母材，并在真空氛围中对于被配置在熔解容器(31)中之母材进行加热而使其全部熔融，再于使熔解容器(31)之外侧底面与冷却手段(21)相分离并相对面的状态下，对于外侧底面进行冷却，而使硅从熔解容器(31)之内部底面和熔融硅相接触的部分起来凝固，并使凝固硅朝向上方成长，再将位置于凝固硅之上部处的未凝固硅从熔解容器(31)而除去。

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