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1. 发明专利

TWI601583B 壓延銅箔及其製造方法、以及積層板有权
简体标题：压延铜箔及其制造方法、以及积层板
公开(公告)号：TWI601583B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW102122065
申请日：2013-06-21
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO , 吉川拓摩 , YOSHIKAWA, TAKUMA
IPC分类号： B21B3/00 , B21B1/22 , B21B1/40 , B32B15/08 , H05K1/09
CPC分类号： B32B15/08 , B21B1/40 , B32B15/20 , B32B2307/406 , B32B2307/412 , B32B2457/08 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K2201/0355

2. 发明专利

TWI570250B 壓延銅箔、使用其之覆銅積層板、印刷配線板、電子機器、電路連接構件之製造方法及電路連接構件有权
简体标题：压延铜箔、使用其之覆铜积层板、印刷配线板、电子机器、电路连接构件之制造方法及电路连接构件
公开(公告)号：TWI570250B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW103133708
申请日：2014-09-29
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：三木敦史 , MIKI, ATSUSHI , 新井英太 , ARAI, HIDETA , 新井康修 , ARAI, KOHSUKE , 中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO , 青島一貴 , AOSHIMA, KAZUTAKA , 冠和樹 , KAMMURI, KAZUKI
IPC分类号： C22C9/00 , C22F1/08 , H05K1/09 , B32B15/08 , H01B5/14 , H05K1/02

3. 发明专利

TWI556951B 表面處理銅箔及使用其之積層板有权
简体标题：表面处理铜箔及使用其之积层板
公开(公告)号：TWI556951B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW102141159
申请日：2013-11-11
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：新井英太 , ARAI, HIDETA , 三木敦史 , MIKI, ATSUSHI , 新井康修 , ARAI, KOHSUKE , 中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO
IPC分类号： B32B15/00 , B32B38/10 , H05K3/38
CPC分类号： B32B15/08 , B32B7/06 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2307/748 , B32B2457/08 , C25D1/04 , C25D3/38 , C25D3/58 , C25D7/0614 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K3/384

4. 发明专利

TW201618362A 壓延銅箔及使用其之二次電池用集電體审中-公开
简体标题：压延铜箔及使用其之二次电池用集电体
公开(公告)号：TW201618362A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104118468
申请日：2015-06-08
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO
IPC分类号： H01M4/66 , H01M4/70
摘要：本發明提供一種與活性物質等對象材之密接性良好之壓延銅箔及使用其之二次電池用集電體。本發明之壓延銅箔其至少單面，將藉由共焦顯微鏡而測得之表面之三維實際表面積設為Sa，將進行該實際表面積Sa之測定時之投影面積設為Sm時，{(Sa/Sm)-1}為1.3以下，並且JIS B0601所規定之Rsm為20μm以上，且Rsk
简体摘要：本发明提供一种与活性物质等对象材之密接性良好之压延铜箔及使用其之二次电池用集电体。本发明之压延铜箔其至少单面，将借由共焦显微镜而测得之表面之三维实际表面积设为Sa，将进行该实际表面积Sa之测定时之投影面积设为Sm时，{(Sa/Sm)-1}为1.3以下，并且JIS B0601所规定之Rsm为20μm以上，且Rsk<0。

5. 发明专利

TWI480397B 壓延銅箔有权
简体标题：压延铜箔
公开(公告)号：TWI480397B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101141268
申请日：2012-11-07
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO
IPC分类号： C22F1/08 , B21B1/40 , H05K1/03
CPC分类号： C22F1/08 , B21B1/40 , B21B2003/005 , C22C9/04 , C22F1/00 , H05K1/09 , H05K2201/0355 , H05K2203/1105

6. 发明专利

TW201429703A 表面處理銅箔及使用其之積層板、印刷配線板以及覆銅積層板审中-公开
简体标题：表面处理铜箔及使用其之积层板、印刷配线板以及覆铜积层板
公开(公告)号：TW201429703A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102141157
申请日：2013-11-11
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：新井英太 , ARAI, HIDETA , 三木敦史 , MIKI, ATSUSHI , 新井康修 , ARAI, KOHSUKE , 中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO
IPC分类号： B32B15/08 , C25D7/06 , H05K3/38
CPC分类号： H05K3/022 , C25D1/04 , C25D7/0614 , H05K1/028 , H05K1/0346 , H05K1/09 , H05K1/14 , H05K3/361 , H05K3/384 , H05K2201/0154 , H05K2201/0317 , H05K2201/0355 , H05K2201/05 , H05K2201/058 , Y10T29/49126 , Y10T428/12431 , Y10T428/24917 , Y10T428/31681
摘要：本發明提供一種與樹脂良好地接著，且隔著樹脂進行觀察時實現優異之視認性之表面處理銅箔及使用其之積層板。本發明之表面處理銅箔係於積層表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之下述ΔB(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差ΔE＊ab成為50以上者，且於利用CCD攝影機，隔著自經過表面處理之表面側積層之上述聚醯亞胺對銅箔進行拍攝時，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，自銅箔之端部至無銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差ΔB(ΔB=Bt-Bb)為40以上。
简体摘要：本发明提供一种与树脂良好地接着，且隔着树脂进行观察时实现优异之视认性之表面处理铜箔及使用其之积层板。本发明之表面处理铜箔系于积层表面处理铜箔、与贴合于铜箔前之下述ΔB(PI)为50以上且65以下之聚酰亚胺而构成之覆铜积层板中隔着聚酰亚胺之表面的基于JIS Z8730之色差ΔE＊ab成为50以上者，且于利用CCD摄影机，隔着自经过表面处理之表面侧积层之上述聚酰亚胺对铜箔进行拍摄时，于针对借由拍摄获得之图像，沿着与所观察之铜箔延伸之方向垂直之方向，对每个观察地点之亮度进行测定而制作之观察地点-亮度曲线图中，自铜箔之端部至无铜箔之部分所产生之亮度曲线之顶部平均值Bt与底部平均值Bb的差ΔB(ΔB=Bt-Bb)为40以上。

7. 发明专利

TW201303045A 壓延銅箔及其製造方法、以及覆銅積層板审中-公开
简体标题：压延铜箔及其制造方法、以及覆铜积层板
公开(公告)号：TW201303045A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101108598
申请日：2012-03-14
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：山路達也 , YAMAJI, TATSUYA , 中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO
IPC分类号： C22C9/00 , C22F1/08
CPC分类号： C22C9/00 , C22C9/02 , C22F1/08 , C23C26/00 , C23C30/00
摘要：提供一種彎曲性優異且表面蝕刻特性良好之壓延銅箔及其製造方法、以及覆銅積層板。一種壓延銅箔，其於200℃退火0.5小時後I(200)／I0(200)為50以上，且將觸針式表面粗糙度計測定之由JIS－B0601所規定之輪廓曲線要素的平均長度設定為Rsm時，於壓延平行方向測得之值RsmRD與於壓延垂直方向測得之值RsmTD的比(RsmTD／RsmRD)為2.0以上，且於以200℃退火0.5小時後，於表面(壓延面)之0.5mm見方內長徑20μm以下之晶粒所佔之面積率為20%以上，且於壓延平行剖面中，以SEM觀察壓延方向長度0.5mm之情形時，跨越銅箔厚度中心且長徑為20μm以下之晶粒所佔之面積率為觀察視野之20%以下。
简体摘要：提供一种弯曲性优异且表面蚀刻特性良好之压延铜箔及其制造方法、以及覆铜积层板。一种压延铜箔，其于200℃退火0.5小时后I(200)／I0(200)为50以上，且将触针式表面粗糙度计测定之由JIS－B0601所规定之轮廓曲线要素的平均长度设置为Rsm时，于压延平行方向测得之值RsmRD与于压延垂直方向测得之值RsmTD的比(RsmTD／RsmRD)为2.0以上，且于以200℃退火0.5小时后，于表面(压延面)之0.5mm见方内长径20μm以下之晶粒所占之面积率为20%以上，且于压延平行剖面中，以SEM观察压延方向长度0.5mm之情形时，跨越铜箔厚度中心且长径为20μm以下之晶粒所占之面积率为观察视野之20%以下。

8. 发明专利

TWI482882B 表面處理銅箔及使用其之積層板有权
简体标题：表面处理铜箔及使用其之积层板
公开(公告)号：TWI482882B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102132730
申请日：2013-09-10
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：新井英太 , ARAI, HIDETA , 三木敦史 , MIKI, ATSUSHI , 新井康修 , ARAI, KOHSUKE , 中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO
IPC分类号： C25D1/04 , C25D7/06 , B21B1/40 , B21B3/00 , H05K1/09 , H05K3/02 , H05K1/14 , G06T7/00
CPC分类号： C25F3/22 , B21B1/40 , B21B2003/005 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2307/412 , B32B2457/00 , B32B2457/08 , C25D1/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/562 , C25D3/58 , C25D7/0614 , H05K3/022 , H05K3/382

9. 发明专利

TWI477389B 表面處理銅箔及使用其之積層板有权
简体标题：表面处理铜箔及使用其之积层板
公开(公告)号：TWI477389B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW102141158
申请日：2013-11-11
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：新井英太 , ARAI, HIDETA , 三木敦史 , MIKI, ATSUSHI , 新井康修 , ARAI, KOHSUKE , 中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO
IPC分类号： B32B15/088 , B32B38/10 , C25D5/10 , H05K3/38
CPC分类号： H05K1/056 , C25D1/04 , C25D3/38 , C25D3/58 , C25D5/16 , C25D7/0692 , H05K1/09 , H05K1/14 , H05K3/022 , H05K3/36 , H05K3/384 , Y10T29/49126 , Y10T428/12431 , Y10T428/24917 , Y10T428/31678

10. 发明专利

TWI455394B 鋰離子電池集電器用銅箔有权
简体标题：锂离子电池集电器用铜箔
公开(公告)号：TWI455394B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW100109833
申请日：2011-03-23
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：西田習太郎 , NISHIDA, SHUTARO , 鮫島大輔 , SAMEJIMA, DAISUKE , 中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO
IPC分类号： H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/052
CPC分类号： H01M4/661 , H01M4/70 , H01M10/0525

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