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1. 发明专利

TWI686886B 蝕刻基板的方法和設備及製造電極組件的方法有权
简体标题：蚀刻基板的方法和设备及制造电极组件的方法
公开(公告)号：TWI686886B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW104128248
申请日：2015-08-28
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01L21/67 , C25B11/00

2. 发明专利

TW201626482A 用於離子束蝕刻的離子注射器電極組件审中-公开
简体标题：用于离子束蚀刻的离子注射器电极组件
公开(公告)号：TW201626482A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104128248
申请日：2015-08-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01L21/67 , C25B11/00
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/32623 , H01J37/32715 , H01L21/3065
摘要：文中的實施例係關於在半導體基板上進行離子蝕刻的複數方法與設備以及此類設備的形成方法。在某些實施例中，可製造一電極組件，此電極組件包含具有不同用途的複數電極，每一電極係以機械穩定方法固定至下一電極。在該些電極固定在一起後，可在每一該電極中形成複數孔口，藉此確保相鄰電極之間的該複數孔口準確對準。在某些情況中，該些電極係自退化摻雜矽所製成且該電極組件係經由靜電接合在一起。亦可使用其他電極材料及固定方法。在某些情況中該電極組件可包含一中空陰極射極電極，該中空陰極射極電極可具有截頭圓錐或其他非圓筒形之孔口形狀。在某些情況中亦可存在腔室襯墊及/或反射器。
简体摘要：文中的实施例系关于在半导体基板上进行离子蚀刻的复数方法与设备以及此类设备的形成方法。在某些实施例中，可制造一电极组件，此电极组件包含具有不同用途的复数电极，每一电极系以机械稳定方法固定至下一电极。在该些电极固定在一起后，可在每一该电极中形成复数孔口，借此确保相邻电极之间的该复数孔口准确对准。在某些情况中，该些电极系自退化掺杂硅所制成且该电极组件系经由静电接合在一起。亦可使用其他电极材料及固定方法。在某些情况中该电极组件可包含一中空阴极射极电极，该中空阴极射极电极可具有截头圆锥或其他非圆筒形之孔口形状。在某些情况中亦可存在腔室衬垫及/或反射器。

3. 发明专利

TW202018807A 電子激勵原子層蝕刻审中-公开
简体标题：电子激励原子层蚀刻
公开(公告)号：TW202018807A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108123893
申请日：2019-07-08
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/027
摘要：所揭示者為用以執行原子層蝕刻之設備及方法。一種方法可包含對基板上之材料的一或更多表面層進行改質、及使基板上之經改質的該一或更多表面層暴露於一電子源，從而在沒有使用電漿之情況下移除基板上之經改質的該一或更多表面層。一種設備可包含一處理腔室、一處理氣體單元、一電子源、及一控制器，該控制器具有配置以引致下列步驟的指令：使該處理氣體單元使該第一處理氣體流至該腔室內部中的基板，該第一處理氣體係配置以對該基板上之材料的一或更多層進行改質；並且使該電子源產生電子，並使該基板上之經改質的該一或更多表面層暴露於該等電子，在沒有使用電漿之情況下將經改質的該一或更多表面層移除。
简体摘要：所揭示者为用以运行原子层蚀刻之设备及方法。一种方法可包含对基板上之材料的一或更多表面层进行改质、及使基板上之经改质的该一或更多表面层暴露于一电子源，从而在没有使用等离子之情况下移除基板上之经改质的该一或更多表面层。一种设备可包含一处理腔室、一处理气体单元、一电子源、及一控制器，该控制器具有配置以引致下列步骤的指令：使该处理气体单元使该第一处理气体流至该腔室内部中的基板，该第一处理气体系配置以对该基板上之材料的一或更多层进行改质；并且使该电子源产生电子，并使该基板上之经改质的该一或更多表面层暴露于该等电子，在没有使用等离子之情况下将经改质的该一或更多表面层移除。

4. 发明专利

TW201642339A 蝕刻氮化矽時達成超高選擇性之方法审中-公开
简体标题：蚀刻氮化硅时达成超高选择性之方法
公开(公告)号：TW201642339A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105105057
申请日：2016-02-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：朱海倫 H , ZHU, HELEN H. , 馬克斯琳達 , MARQUEZ, LINDA , 雅各布費薩爾 , YAQOOB, FAISAL , 朴弼延 , PARK, PILYEON , 貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 安格洛夫伊弗霖 A , ANGELOV, IVELIN A. , 朴准弘 , PARK, JOON HONG
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32357
摘要：本說明書提供藉由將矽提供至電漿以達到氮化矽相對於含矽材料之高選擇性而在半導體基板上選擇性蝕刻氮化矽的方法。該等方法涉及自固體或流體的矽源或兩者提供矽。固體矽源可位於基板上游，例如位於或靠近製程腔室之噴淋頭、或位於遠端電漿產生器中。矽氣體源可在蝕刻期間流至電漿。
简体摘要：本说明书提供借由将硅提供至等离子以达到氮化硅相对于含硅材料之高选择性而在半导体基板上选择性蚀刻氮化硅的方法。该等方法涉及自固体或流体的硅源或两者提供硅。固体硅源可位于基板上游，例如位于或靠近制程腔室之喷淋头、或位于远程等离子产生器中。硅气体源可在蚀刻期间流至等离子。

5. 发明专利

TW201635383A 使用一氧化氮活化之矽氧化物的同向性原子層蝕刻审中-公开
简体标题：使用一氧化氮活化之硅氧化物的同向性原子层蚀刻
公开(公告)号：TW201635383A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104143036
申请日：2015-12-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 朴弼延 , PARK, PILYEON , 雅各布費薩爾 , YAQOOB, FAISAL
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L21/02252 , H01L21/0274 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31144
摘要：本說明書提供用於在具有原子尺度之保真度之情況下受控制地同向性蝕刻矽氧化物層及鍺氧化物層的方法。該方法利用氧化物表面之NO活化作用。一旦活化後，含氟氣體或蒸氣即蝕刻該活化表面。蝕刻係自身限制的，如一旦移除該活化表面，由於氟物種並不會自發性地與未活化之氧化物表面反應，因此蝕刻停止。該等方法可用於內連線預潔淨應用、閘極介電層處理、記憶體裝置生產、或需要準確移除一或多個原子層之材料的任何其他應用中。
简体摘要：本说明书提供用于在具有原子尺度之保真度之情况下受控制地同向性蚀刻硅氧化物层及锗氧化物层的方法。该方法利用氧化物表面之NO活化作用。一旦活化后，含氟气体或蒸气即蚀刻该活化表面。蚀刻系自身限制的，如一旦移除该活化表面，由于氟物种并不会自发性地与未活化之氧化物表面反应，因此蚀刻停止。该等方法可用于内连接预洁净应用、闸极介电层处理、内存设备生产、或需要准确移除一或多个原子层之材料的任何其他应用中。

6. 发明专利

TW201635381A 選擇性氮化物蝕刻审中-公开
简体标题：选择性氮化物蚀刻
公开(公告)号：TW201635381A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142384
申请日：2015-12-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 安格洛夫伊弗霖 , ANGELOV, IVELIN , 馬克斯琳達 , MARQUEZ, LINDA , 雅各布費薩爾 , YAQOOB, FAISAL , 朴弼延 , PARK, PILYEON , 朱海倫 H , ZHU, HELEN H. , 希由斯沃洛巴猶阿特馬查 , THEDJOISWORO, BAYU ATMAJA , 李釗 , LI, ZHAO
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31116 , C09K13/00 , H01L21/67069
摘要：提供矽氮化物之選擇性蝕刻方法。將矽氮化物層暴露到氟化氣體與一氧化氮(NO)，一氧化碳可透過在電漿中使一氧化二氮(N2 O)與氧(O2 )進行反應來形成。方法亦包括在關閉電漿之前將基板去氟，以提高矽氮化物的蝕刻選擇比。
简体摘要：提供硅氮化物之选择性蚀刻方法。将硅氮化物层暴露到氟化气体与一氧化氮(NO)，一氧化碳可透过在等离子中使一氧化二氮(N2 O)与氧(O2 )进行反应来形成。方法亦包括在关闭等离子之前将基板去氟，以提高硅氮化物的蚀刻选择比。

7. 发明专利

TWI687962B 使用離子束蝕刻以產生環繞式閘極結構有权
简体标题：使用离子束蚀刻以产生环绕式闸极结构
公开(公告)号：TWI687962B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW104134288
申请日：2015-10-20
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01J37/302 , H01L29/423 , H01L21/3065 , H01J37/305 , H01L29/786 , H01L21/68 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01L29/66 , H01L29/06

8. 发明专利

TW201947657A 預測在熱蝕刻與原子層蝕刻中的蝕刻特性审中-公开
简体标题：预测在热蚀刻与原子层蚀刻中的蚀刻特性
公开(公告)号：TW201947657A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108114841
申请日：2019-04-29
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 費雪安德里斯 , FISCHER, ANDREAS , 貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 戴格內麗莎蘇 , DRAEGER, NERISSA SUE , 古思喬理查 A , GOTTSCHO, RICHARD A.
IPC分类号： H01L21/306 , G06F17/50 , G06N5/04 , G06N10/00 , G06N20/00
摘要：使用機器學習模型預測熱蝕刻反應中的蝕刻。使用量子力學模擬來識別給定熱蝕刻反應之一或多個反應路徑中的蝕刻製程之化學特性和相關能量。指示蝕刻特性的標籤可與給定熱蝕刻反應之化學特性和相關能量相關聯。機器學習模型可使用化學特性和相關能量作為獨立變量、及使用標籤作為不同類型的許多不同蝕刻反應之因變量來進行訓練。當在機器學習模型中提供新的熱蝕刻反應之化學特性和相關能量作為輸入時，機器學習模型可準確地預測新的熱蝕刻反應之蝕刻特性作為輸出。
简体摘要：使用机器学习模型预测热蚀刻反应中的蚀刻。使用量子力学仿真来识别给定热蚀刻反应之一或多个反应路径中的蚀刻制程之化学特性和相关能量。指示蚀刻特性的标签可与给定热蚀刻反应之化学特性和相关能量相关联。机器学习模型可使用化学特性和相关能量作为独立变量、及使用标签作为不同类型的许多不同蚀刻反应之因变量来进行训练。当在机器学习模型中提供新的热蚀刻反应之化学特性和相关能量作为输入时，机器学习模型可准确地预测新的热蚀刻反应之蚀刻特性作为输出。

9. 发明专利

TW201742146A 利用低溫晶圓溫度之離子束蝕刻审中-公开
简体标题：利用低温晶圆温度之离子束蚀刻
公开(公告)号：TW201742146A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106105506
申请日：2017-02-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L. , 瑞奇安東尼 , RICCI, ANTHONY
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01L43/08 , H01J37/32422 , H01J37/32724 , H01L21/67109 , H01L27/222 , H01L43/12
摘要：本文中之實施例係關於用以蝕刻半導體基板中之特徵部的方法與設備。在許多例子中，可蝕刻特徵部並形成旋轉力矩轉移隨機存取記憶體(STT-RAM)裝置。在許多實施例中，在特定處理步驟期間，可經由經冷卻之基板支持器將基板冷卻至低溫。經冷卻之基板支持器在降低所產生之裝置中與擴散相關之損害程度的方面可具有有利的影響。再者，使用在某些其他的處理步驟期間使用未冷卻之基板支持器同樣在降低與擴散相關之損害的方面可具有有利的影響，視特定步驟而定。在某些實施例中，經冷卻之基板支持器在一處理中可用以優先沉積材料(在一些例子中為反應物)於基板的某些部位上。所揭露之實施例可用以達到高品質之非等向性蝕刻結果。
简体摘要：本文中之实施例系关于用以蚀刻半导体基板中之特征部的方法与设备。在许多例子中，可蚀刻特征部并形成旋转力矩转移随机存取内存(STT-RAM)设备。在许多实施例中，在特定处理步骤期间，可经由经冷却之基板支持器将基板冷却至低温。经冷却之基板支持器在降低所产生之设备中与扩散相关之损害程度的方面可具有有利的影响。再者，使用在某些其他的处理步骤期间使用未冷却之基板支持器同样在降低与扩散相关之损害的方面可具有有利的影响，视特定步骤而定。在某些实施例中，经冷却之基板支持器在一处理中可用以优先沉积材料(在一些例子中为反应物)于基板的某些部位上。所揭露之实施例可用以达到高品质之非等向性蚀刻结果。

10. 发明专利

TW201729287A 基板上離子束之入射角控制审中-公开
简体标题：基板上离子束之入射角控制
公开(公告)号：TW201729287A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105139596
申请日：2016-12-01
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：安格洛夫伊弗霖 , ANGELOV, IVELIN , 貝里三世伊凡 L , BERRY III, IVAN L.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68764 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要：一系統包含腔室、卡盤組件、及離子源。該卡盤組件包含基板支撐體及進動組件，其中中心支撐體係連接至該基板支撐體的下方區域之靜止的中心點。該進動組件包含第一及第二致動器，其各自連接至第一及第二位置，該第一及第二位置位於該下方區域中且偏離該中心點。在該第一及第二致動器相對於該中心支撐體而上移及下移時，該進動組件對該基板支撐體賦予進動運動，而在該基板支撐體無轉動的情況下，被賦予至該基板支撐體的該進動運動造成該基板支撐體的轉動傾斜。該基板支撐體的該轉動傾斜係安排以使由離子源所產生的離子以持續改變的入射角撞擊基板之表面。
简体摘要：一系统包含腔室、卡盘组件、及离子源。该卡盘组件包含基板支撑体及进动组件，其中中心支撑体系连接至该基板支撑体的下方区域之静止的中心点。该进动组件包含第一及第二致动器，其各自连接至第一及第二位置，该第一及第二位置位于该下方区域中且偏离该中心点。在该第一及第二致动器相对于该中心支撑体而上移及下移时，该进动组件对该基板支撑体赋予进动运动，而在该基板支撑体无转动的情况下，被赋予至该基板支撑体的该进动运动造成该基板支撑体的转动倾斜。该基板支撑体的该转动倾斜系安排以使由离子源所产生的离子以持续改变的入射角撞击基板之表面。

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