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1. 发明专利

TW485457B 來自鹵化鉭先質之TaN薄膜之電漿增强化學蒸氣沉積(PECVD) 有权
简体标题：来自卤化钽先质之TaN薄膜之等离子增强化学蒸气沉积(PECVD)
公开(公告)号：TW485457B
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：TW089107849
申请日：2000-04-26
申请人：東京威力科創有限公司
发明人：强J 侯搭拉 , 喬漢尼斯F M 魏斯登朶普
IPC分类号： H01L
摘要：本發明說明以來自無機五鹵化鉭(TaX5)先質及氮沉積高品質保形氮化鉭(TaNx)薄膜之電漿增強化學蒸氣沉積法(PECVD)。無機五鹵化鉭先質是五氟化鉭(TaF5)、五氯化鉭(TaC15)及五溴化鉭(TaBr5)。將TaX5傳送至加熱室中。將蒸氣與含有氮氣之處理氣體組合，以便於在加熱至300℃-500℃之基板上沉積TaNx薄膜。經沉積之TaNx薄膜有用於含有銅薄膜之積體電路板，尤其是小的高縱橫比部件。這些薄膜的高保形性優於以PVD沉積之薄膜。
简体摘要：本发明说明以来自无机五卤化钽(TaX5)先质及氮沉积高品质保形氮化钽(TaNx)薄膜之等离子增强化学蒸气沉积法(PECVD)。无机五卤化钽先质是五氟化钽(TaF5)、五氯化钽(TaC15)及五溴化钽(TaBr5)。将TaX5发送至加热室中。将蒸气与含有氮气之处理气体组合，以便于在加热至300℃-500℃之基板上沉积TaNx薄膜。经沉积之TaNx薄膜有用于含有铜薄膜之集成电路板，尤其是小的高纵横比部件。这些薄膜的高保形性优于以PVD沉积之薄膜。

2. 发明专利

TW484180B 來自鹵化鉭先質之化學氣相沉積之積體鉭及氮化鉭膜失效
简体标题：来自卤化钽先质之化学气相沉积之积体钽及氮化钽膜
公开(公告)号：TW484180B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW089107863
申请日：2000-04-26
申请人：東京威力科創有限公司
发明人：强J 侯搭拉 , 喬漢尼斯F M 魏斯登朶普
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/08 , C23C16/34
摘要：本發明說明以來自無機五鹵化鉭(TaX5)先質及氮沉積高品質保形性鉭/氮化鉭(Ta/TaNx)雙層膜之化學氣相沉積法(CVD)。無機五鹵化鉭先質是五氟化鉭(TaF5)、五氯化鉭(TaC15)及五溴化鉭(TaBr5)。將Tax5傳送至加熱室中。將蒸氣與處理氣體組合，以便於在加熱至300℃至500℃之基板上沉積Ta膜，並將蒸氣與含有氮之處理氣體組合，以便於在該基板上沉積TaNx膜。經沉積之Ta/TaNx雙層膜有用於含有銅膜之積體電路板，尤其是小的高縱橫比部件。這些膜的高保形性優於以PVD沉積之膜。
简体摘要：本发明说明以来自无机五卤化钽(TaX5)先质及氮沉积高品质保形性钽/氮化钽(Ta/TaNx)双层膜之化学气相沉积法(CVD)。无机五卤化钽先质是五氟化钽(TaF5)、五氯化钽(TaC15)及五溴化钽(TaBr5)。将Tax5发送至加热室中。将蒸气与处理气体组合，以便于在加热至300℃至500℃之基板上沉积Ta膜，并将蒸气与含有氮之处理气体组合，以便于在该基板上沉积TaNx膜。经沉积之Ta/TaNx双层膜有用于含有铜膜之集成电路板，尤其是小的高纵横比部件。这些膜的高保形性优于以PVD沉积之膜。

3. 发明专利

TW466593B 自鹵化鈦先質形成化學蒸氣沉積氮化鈦柱塞失效
简体标题：自卤化钛先质形成化学蒸气沉积氮化钛柱塞
公开(公告)号：TW466593B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW089107861
申请日：2000-04-26
申请人：東京威力科創有限公司
发明人：强J 侯搭拉 , 喬漢尼斯F M 魏斯登朶普 , 塔齊那尼莫陀
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28556 , H01L21/76877
摘要：本發明說明利用TiN沉積高品質鈦化氮(TiN)膜及填充具有高縱橫比部件之小接點之方法。本方法利用以四碘化鈦當成先質物質之CVD法。本方法容許沉積厚度大於約0.3微米之TiN膜，不會裂化。就足夠高的TiN沉積速度及足夠低的TiN電阻係數而言，較佳的處理溫度是至少約500℃。本發明以改變處理壓力獲得在高縱橫比結構中的無縫TiN柱塞填充。
简体摘要：本发明说明利用TiN沉积高品质钛化氮(TiN)膜及填充具有高纵横比部件之小接点之方法。本方法利用以四碘化钛当成先质物质之CVD法。本方法容许沉积厚度大于约0.3微米之TiN膜，不会裂化。就足够高的TiN沉积速度及足够低的TiN电阻系数而言，较佳的处理温度是至少约500℃。本发明以改变处理压力获得在高纵横比结构中的无缝TiN柱塞填充。

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