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1. 发明专利

TW569323B 鎢膜的形成方法有权
简体标题：钨膜的形成方法
公开(公告)号：TW569323B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091118001
申请日：2002-08-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大久保和哉 , 立花光博 , 方成 , 鈴木健二 KENJI SUZUKI , 佐藤耕一 , 石塚穗高
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/0281 , C23C16/14 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76877
摘要：以提供一種埋入孔孔徑雖小，亦能抑制付予特性不良影響程度大之間隙發生或火山發生，而埋填特性良好之鎢膜形成方法。
在被設成可真空汲引之處理容器(22)內，對被處理体W表面予以形成鎢膜時，將供應還原性氣體之還原性氣體供應製程(70)與供應含鎢氣體之鎢氣體供應製程(72)，在兩製程間介存供應惰性氣體同時真空汲引之清理製程(74)下，加以交錯反覆實行以形成初期鎢膜(76)。藉此，可形成膜厚均勻性高之種子層的初期鎢膜，進而，以後在堆積主要鎢膜時，例如埋入孔孔徑雖小，亦能抑制賦予特性不良影響程度大之間隙發生或火山發生。
简体摘要：以提供一种埋入孔孔径虽小，亦能抑制付予特性不良影响程度大之间隙发生或火山发生，而埋填特性良好之钨膜形成方法。在被设成可真空汲引之处理容器(22)内，对被处理体W表面予以形成钨膜时，将供应还原性气体之还原性气体供应制程(70)与供应含钨气体之钨气体供应制程(72)，在两制程间介存供应惰性气体同时真空汲引之清理制程(74)下，加以交错反复实行以形成初期钨膜(76)。借此，可形成膜厚均匀性高之种子层的初期钨膜，进而，以后在堆积主要钨膜时，例如埋入孔孔径虽小，亦能抑制赋予特性不良影响程度大之间隙发生或火山发生。

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