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    • 7. 发明专利
    • 圖案形成方法及電子器件的製造方法
    • 图案形成方法及电子器件的制造方法
    • TW201701078A
    • 2017-01-01
    • TW105113012
    • 2016-04-27
    • 富士軟片股份有限公司FUJIFILM CORPORATION
    • 古谷創FURUTANI, HAJIME白川三千紘SHIRAKAWA, MICHIHIRO
    • G03F7/039G03F7/09G03F7/20G03F7/32G03F7/40H01L21/027
    • C08F20/26G03F7/004G03F7/038G03F7/039G03F7/20G03F7/40H01L21/3065
    • 本發明提供一種能夠形成具有優異的CDU之圖案之圖案形成方法、及電子器件的製造方法。圖案形成方法具備:膜形成製程,使用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物於具有基底層及基板之支撐體的基底層上形成膜;曝光製程,對膜進行曝光;顯影製程,對曝光製程後的膜進行顯影而形成光阻圖案的同時使基底層的至少一部分露出;及蝕刻製程,利用從包含沉積氣體之處理氣體生成之電漿對已露出之基底層進行蝕刻的同時於光阻圖案的側面堆積沉積物,組成物含有重量平均分子量為5,000以上且具有酸分解性基之樹脂,顯影製程係實施鹼顯影製程及有機溶劑顯影製程中的任意1個製程之後實施另1個製程者。
    • 本发明提供一种能够形成具有优异的CDU之图案之图案形成方法、及电子器件的制造方法。图案形成方法具备:膜形成制程,使用感光化射线性或感放射线性树脂组成物于具有基底层及基板之支撑体的基底层上形成膜;曝光制程,对膜进行曝光;显影制程,对曝光制程后的膜进行显影而形成光阻图案的同时使基底层的至少一部分露出;及蚀刻制程,利用从包含沉积气体之处理气体生成之等离子对已露出之基底层进行蚀刻的同时于光阻图案的侧面堆积沉积物,组成物含有重量平均分子量为5,000以上且具有酸分解性基之树脂,显影制程系实施碱显影制程及有机溶剂显影制程中的任意1个制程之后实施另1个制程者。
    • 8. 发明专利
    • 敏輻射線性樹脂組成物、聚合物及抗蝕圖型之形成方法
    • 敏辐射线性树脂组成物、聚合物及抗蚀图型之形成方法
    • TW201106103A
    • 2011-02-16
    • TW099117935
    • 2010-06-03
    • JSR股份有限公司
    • 松田恭彥藤澤友久濱由香里川上峰規
    • G03FC08FH01L
    • C08F20/26G03F7/0046G03F7/0392G03F7/0397G03F7/2041
    • 本發明之目的在於提供可獲得良好圖型形狀、難以溶出於水等之液浸曝光液中、對於液浸曝光液之後退接觸角大、難以發生顯像缺陷之抗蝕被膜之材料的敏輻射線性樹脂組成物及抗蝕圖型之形成方法。本發明之敏輻射線性樹脂組成物含有包含以下式(1)表示之重複單位之第一聚合物(A)、具有藉由酸之作用解離之酸解離性基且使該酸解離性基解離而變成鹼可溶性之第二聚合物(B)及敏輻射線性酸產生劑(C),

      [式中,R1表示氫原子、甲基或三氟甲基,R2表示單鍵或碳數1~20之2價直鏈狀、分支狀或環狀飽和或不飽和烴基,X表示經氟原子取代之伸甲基或碳數2~20之直鏈狀或分支狀氟伸烷基,R3表示氫原子或1價有機基]。
    • 本发明之目的在于提供可获得良好图型形状、难以溶出于水等之液浸曝光液中、对于液浸曝光液之后退接触角大、难以发生显像缺陷之抗蚀被膜之材料的敏辐射线性树脂组成物及抗蚀图型之形成方法。本发明之敏辐射线性树脂组成物含有包含以下式(1)表示之重复单位之第一聚合物(A)、具有借由酸之作用解离之酸解离性基且使该酸解离性基解离而变成碱可溶性之第二聚合物(B)及敏辐射线性酸产生剂(C), [式中,R1表示氢原子、甲基或三氟甲基,R2表示单键或碳数1~20之2价直链状、分支状或环状饱和或不饱和烃基,X表示经氟原子取代之伸甲基或碳数2~20之直链状或分支状氟伸烷基,R3表示氢原子或1价有机基]。