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2. 发明专利

TWI568705B 導電性氧化物燒結體及其製造方法有权
简体标题：导电性氧化物烧结体及其制造方法
公开(公告)号：TWI568705B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW102103077
申请日：2013-01-28
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01B1/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/04 , C04B35/16 , C04B35/20 , C04B35/645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C23C14/3414 , H01B1/08

4. 发明专利

TWI418529B 氧化物燒結體及氧化物半導體薄膜有权
简体标题：氧化物烧结体及氧化物半导体薄膜
公开(公告)号：TWI418529B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW100127841
申请日：2011-08-05
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：高見英生 , TAKAMI, HIDEO , 長田幸三 , OSADA, KOZO
IPC分类号： C04B35/01 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/04 , C04B35/057 , C04B35/14 , C04B35/16 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C23C14/08 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869

5. 发明专利

TW201302986A 螢光層及其製造方法與用途审中-公开
简体标题：萤光层及其制造方法与用途
公开(公告)号：TW201302986A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101111384
申请日：2012-03-30
申请人：信源陶磁股份有限公司 , BELL CERAMICS CO., LTD.
发明人：江德馨 , CHIANG, TE HSIN , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 江德信 , CHIANG, DER SHING , 江長陽 , CHIANG, CHANG YANG
IPC分类号： C09K11/80 , C04B35/44 , C04B35/58 , H01L33/50 , H01L33/64
CPC分类号： C09K11/025 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3215 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C09K11/7774 , H01L33/502
摘要：一種螢光層及其製造方法與用途，其係包含一螢光材料與一煆燒材料，且以該螢光層之總重量計，該螢光材料之含量係約5重量%至約95重量%。本發明螢光層可用於發光二極體，改變發光顏色並可增進發光二極體之散熱效果，且本發明螢光層因不含有機樹脂，不會有老化(黃化)的問題，使得最後產品發光之品質穩定、經久、耐用。
简体摘要：一种萤光层及其制造方法与用途，其系包含一萤光材料与一煅烧材料，且以该萤光层之总重量计，该萤光材料之含量系约5重量%至约95重量%。本发明萤光层可用于发光二极管，改变发光颜色并可增进发光二极管之散热效果，且本发明萤光层因不含有机树脂，不会有老化(黄化)的问题，使得最后产品发光之品质稳定、经久、耐用。

6. 发明专利

TWI360530B 高熱膨脹性環矽酸鹽玻璃陶瓷 HIGH THERMAL EXPANSION CYCLOSILICATE GLASS-CERAMICS 有权
简体标题：高热膨胀性环硅酸盐玻璃陶瓷 HIGH THERMAL EXPANSION CYCLOSILICATE GLASS-CERAMICS
公开(公告)号：TWI360530B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：TW096112496
申请日：2007-04-09
申请人：康寧公司
发明人：林達魯平克尼 , 史提芬帶節
IPC分类号： C03C , C04B
CPC分类号： C03C8/24 , C03B19/06 , C03C8/02 , C03C8/04 , C03C10/0009 , C03C10/0036 , C03C10/0045 , C03C29/00 , C03C2207/02 , C04B35/16 , C04B35/22 , C04B35/653 , C04B37/005 , C04B37/025 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C04B2237/10 , C23C24/08 , C23C24/082 , H01M8/0282 , H01M2008/1293
摘要：本發明係關於高度結晶燒結玻璃料之玻璃陶瓷組成份，其熱膨脹係數在85-115x10-7/℃範圍內。本發明玻璃陶瓷主要晶相具有環矽酸鹽結構。本發明玻璃陶瓷有用於金屬與金屬，金屬與陶瓷以及陶瓷與陶瓷密封劑，以及金屬與陶瓷之高性能塗膜。在廣泛組成份中，玻璃陶瓷以重量百分比表示包含30-55% SiO2,5-40% CaO,0-50% BaO,0.1-10% Al2O3，以及0-40% SrO，其中CaO+BaO+SrO總和在35-65%重量比範圍內。選擇性地玻璃陶瓷組成份含有至少一種>0-16%重量比MgO以及>0-10%重量比ZnO。選擇性地，玻璃陶瓷組成份含有>0-10%至少一種過渡金屬或稀土族金屬氧化物。
简体摘要：本发明系关于高度结晶烧结玻璃料之玻璃陶瓷组成份，其热膨胀系数在85-115x10-7/℃范围内。本发明玻璃陶瓷主要晶相具有环硅酸盐结构。本发明玻璃陶瓷有用于金属与金属，金属与陶瓷以及陶瓷与陶瓷密封剂，以及金属与陶瓷之高性能涂膜。在广泛组成份中，玻璃陶瓷以重量百分比表示包含30-55% SiO2,5-40% CaO,0-50% BaO,0.1-10% Al2O3，以及0-40% SrO，其中CaO+BaO+SrO总和在35-65%重量比范围内。选择性地玻璃陶瓷组成份含有至少一种>0-16%重量比MgO以及>0-10%重量比ZnO。选择性地，玻璃陶瓷组成份含有>0-10%至少一种过渡金属或稀土族金属氧化物。

7. 发明专利

TW201004873A 斥水化的矽－鐵混合氧化物 HYDROPHOBIZED SILICON-IRON MIXED OXIDE 审中-公开
简体标题：斥水化的硅－铁混合氧化物 HYDROPHOBIZED SILICON-IRON MIXED OXIDE
公开(公告)号：TW201004873A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098113504
申请日：2009-04-23
申请人：贏創德固賽有限責任公司
发明人：卡圖席史蒂芬 , 梅爾喬根
IPC分类号： C01G , C01B , C09C , H01F , C09J
CPC分类号： C09C1/22 , B82Y30/00 , C01B33/183 , C01G49/00 , C01P2002/52 , C01P2004/64 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/32 , C01P2006/42 , C04B35/16 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/5409 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C09C1/28 , H01F1/112 , H01F1/344 , H01F1/36
摘要：本發明係有關斥水化的矽-鐵混合氧化物粉末，其特徵為其具有下列物化特性：BET表面積20至75m 2 /g 碳含量0.5至10重量％填實密度150至600g/l 氯化物含量0.1至3.0％乾燥損失0.1至4重量％ DVS等溫（60％）0.5至1.5重量％加熱速率（1s，10％）50至550℃/s 90％範圍（數量）5至50nm 90％範圍（重量）5至150nm 總體範圍2至200nm，其係經由以噴霧形態或蒸氣形態的表面改質劑處理矽-鐵混合氧化物粉末，且接著將其熱處理而製成。該表面改質的氧化物粒子可用作黏著劑中的填料。其他的應用領域為用於數據載體，用作造像方法的對比劑（contrast agent），用於生化分離和分析方法，用於醫藥應用，用作研磨劑，用作觸媒或用作觸媒載體，用作增稠劑，用於隔熱，用作分散助劑，用作流動助劑及用於鐵磁流體（ferrofluid）。
简体摘要：本发明系有关斥水化的硅-铁混合氧化物粉末，其特征为其具有下列物化特性：BET表面积20至75m 2 /g 碳含量0.5至10重量％填实密度150至600g/l 氯化物含量0.1至3.0％干燥损失0.1至4重量％ DVS等温（60％）0.5至1.5重量％加热速率（1s，10％）50至550℃/s 90％范围（数量）5至50nm 90％范围（重量）5至150nm 总体范围2至200nm，其系经由以喷雾形态或蒸气形态的表面改质剂处理硅-铁混合氧化物粉末，且接着将其热处理而制成。该表面改质的氧化物粒子可用作黏着剂中的填料。其他的应用领域为用于数据载体，用作造像方法的对比剂（contrast agent），用于生化分离和分析方法，用于医药应用，用作研磨剂，用作触媒或用作触媒载体，用作增稠剂，用于隔热，用作分散助剂，用作流动助剂及用于铁磁流体（ferrofluid）。

8. 发明专利

TW535030B 相移空白光罩及其製造方法有权
简体标题：相移空白光罩及其制造方法
公开(公告)号：TW535030B
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW091113905
申请日：2002-06-25
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：金子英雄 , 稻月判臣 , 塚本哲史 , 岡崎智
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/58 , B32B18/00 , C04B35/16 , C04B35/58007 , C04B35/58042 , C04B35/597 , C04B2235/9653 , C04B2237/34 , C04B2237/36 , C04B2237/704 , G03F1/32
摘要：【解決手段】
一種相移空白光罩，是在透明基板上形成有相移膜，其特徵為：前述相移膜是包含自金屬、矽、氧以及氮選擇的至少一種膜組成互異的兩種以上的膜交互疊層的互層膜構成。【功效】
如果依照本發明，藉由形成包含自金屬、矽、氧以及氮選擇的至少一種組成互異的兩種以上的膜交互疊層的互層膜，可提供耐藥品性被改良的高品質的相移空白光罩。
简体摘要：【解决手段】一种相移空白光罩，是在透明基板上形成有相移膜，其特征为：前述相移膜是包含自金属、硅、氧以及氮选择的至少一种膜组成互异的两种以上的膜交互叠层的互层膜构成。【功效】如果依照本发明，借由形成包含自金属、硅、氧以及氮选择的至少一种组成互异的两种以上的膜交互叠层的互层膜，可提供耐药品性被改良的高品质的相移空白光罩。

9. 发明专利

TW329422B 遠紅外線釋放物質之製造方法及使用遠紅外線釋放物質所製得之遠紅外線釋放製品失效
简体标题：远红外线释放物质之制造方法及使用远红外线释放物质所制得之远红外线释放制品
公开(公告)号：TW329422B
公开(公告)日：1998-04-11
申请号：TW084103816
申请日：1995-04-18
申请人：鄭承俊
发明人：鄭承俊
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/653 , C03C1/00 , C03C3/097 , C04B35/16 , Y10S501/904
摘要：本發明與可放射具有所定頻率帶波長之遠紅外線的遠紅外線釋放物質之製造方法及使用該遠紅外線釋放物質所製得之遠紅外線釋放製品有關，係把氧化硅45～65重量％、氧化長石7～9重量％、硼砂10～20重量％、硼酸4～6重量％、碳酸鉀2～4重量％、硝石1～1.2重量％、氫氧化鋁3.3～6.8重量％、石灰石1.4～1.8重量％、碳酸鋇0.8～1重量％、鋰0.7～0.8重量％、鋯石1～1.3重量％、磷酸0.2～0.4重量％、碳3～3.5重量％、碳酸鎂0.4～0.5重量％及彩色劑0.2～0.22重量％放入調配器，用33rpm的攪拌機攪拌混合0.5～1小時後，投入1,35O～1,550℃玻璃熔化爐熔化19～21小時為特徵者。
简体摘要：本发明与可放射具有所定频率带波长之远红外线的远红外线释放物质之制造方法及使用该远红外线释放物质所制得之远红外线释放制品有关，系把氧化硅45～65重量％、氧化长石7～9重量％、硼砂10～20重量％、硼酸4～6重量％、碳酸钾2～4重量％、硝石1～1.2重量％、氢氧化铝3.3～6.8重量％、石灰石1.4～1.8重量％、碳酸钡0.8～1重量％、锂0.7～0.8重量％、锆石1～1.3重量％、磷酸0.2～0.4重量％、碳3～3.5重量％、碳酸镁0.4～0.5重量％及彩色剂0.2～0.22重量％放入调配器，用33rpm的搅拌机搅拌混合0.5～1小时后，投入1,35O～1,550℃玻璃熔化炉熔化19～21小时为特征者。

10. 发明专利

TW201544612A 氧化物燒結體及其製造方法、以及氧化物膜审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及其制造方法、以及氧化物膜
公开(公告)号：TW201544612A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104104249
申请日：2015-02-09
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：曽我部健太郎 , SOGABE, KENTARO , 安東勳雄 , ANDO, ISAO , 小沢誠 , OZAWA, MAKOTO
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/10
CPC分类号： C04B35/16 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9623 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種製造安定性、成膜安定性、放電安定性及機械強度優異之氧化物燒結體及其製造方法、以及使用其氧化物燒結體所得之具有中間折射率之氧化物膜。本發明係製造含有In與Si，Si之含量以Si/In原子數比計為0.65以上1.75以下，相對密度為90%以上，且彎曲強度為90N/mm2以上之氧化物燒結體，且使用該氧化物燒結體，以濺鍍法製作折射率1.70以上1.90以下之氧化物膜。
简体摘要：本发明提供一种制造安定性、成膜安定性、放电安定性及机械强度优异之氧化物烧结体及其制造方法、以及使用其氧化物烧结体所得之具有中间折射率之氧化物膜。本发明系制造含有In与Si，Si之含量以Si/In原子数比计为0.65以上1.75以下，相对密度为90%以上，且弯曲强度为90N/mm2以上之氧化物烧结体，且使用该氧化物烧结体，以溅镀法制作折射率1.70以上1.90以下之氧化物膜。

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