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    • 3. 发明专利
    • 半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩
    • 半色调相移型空白光罩、其制造方法及半色调相移型光罩
    • TW201826011A
    • 2018-07-16
    • TW106133055
    • 2017-09-27
    • 日商信越化學工業股份有限公司SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    • 髙坂卓郎KOSAKA, TAKURO稲月判臣INAZUKI, YUKIO金子英雄KANEKO, HIDEO
    • G03F1/32
    • 本發明的解決手段為藉由使導入腔室內之反應性氣體流量增加後減少進行掃掠時,在藉由反應性氣體流量、與藉由反應性氣體流量的掃掠所測定之濺鍍電壓值或濺鍍電流值所形成之滯後曲線,係以在相當於超過表示滯後之反應性氣體流量的下限且未滿上限的範圍之區域的濺鍍狀態,連續性或階段性增加或減少選自施加在靶之電力、惰性氣體流量及反應性氣體流量中之1個或2個以上,成膜成半色調相移膜。   本發明的效果為可提供一種耐藥品性優異,在具有含有過渡金屬與矽與氮之層的半色調相移膜,於可改善光學特性之面內均勻性,確保預定之相位差及透過率之外,且具有面內均勻性良好之半色調相移膜的半色調相移型空白光罩及光罩。
    • 本发明的解决手段为借由使导入腔室内之反应性气体流量增加后减少进行扫掠时,在借由反应性气体流量、与借由反应性气体流量的扫掠所测定之溅镀电压值或溅镀电流值所形成之滞后曲线,系以在相当于超过表示滞后之反应性气体流量的下限且未满上限的范围之区域的溅镀状态,连续性或阶段性增加或减少选自施加在靶之电力、惰性气体流量及反应性气体流量中之1个或2个以上,成膜成半色调相移膜。   本发明的效果为可提供一种耐药品性优异,在具有含有过渡金属与硅与氮之层的半色调相移膜,于可改善光学特性之面内均匀性,确保预定之相位差及透过率之外,且具有面内均匀性良好之半色调相移膜的半色调相移型空白光罩及光罩。
    • 4. 发明专利
    • 半色調相移空白遮罩及半色調相移遮罩
    • 半色调相移空白遮罩及半色调相移遮罩
    • TW201823851A
    • 2018-07-01
    • TW106133058
    • 2017-09-27
    • 日商信越化學工業股份有限公司SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    • 稲月判臣INAZUKI, YUKIO坂卓郎KOSAKA, TAKURO笹本紘平SASAMOTO, KOUHEI金子英雄KANEKO, HIDEO
    • G03F1/32
    • 本發明的解決手段為一種半色調相移空白遮罩,其特徵為半色調相移膜係由含有過渡金屬、矽及氮作為必需成分、可含有氧作為任意成分之矽系材料所構成,係至少包含1層由過渡金屬的含有率為3原子%以下、矽、氮及氧的合計的含有率為90原子%以上、矽的含有率為30~70原子%、氮及氧的合計的含有率為30~60原子%,且氧的含有率為30原子%以下之矽系材料所構成,且片電阻為1013Ω/□以下之層。   本發明的效果為可提供一種具有相對於波長200nm以下之光的照射,圖型尺寸變動劣化較小,具有良好之藥品耐性,並且與未含有過渡金屬之矽系材料的膜相比較,改善加工性之半色調相移膜的半色調相移空白遮罩及半色調相移遮罩。
    • 本发明的解决手段为一种半色调相移空白遮罩,其特征为半色调相移膜系由含有过渡金属、硅及氮作为必需成分、可含有氧作为任意成分之硅系材料所构成,系至少包含1层由过渡金属的含有率为3原子%以下、硅、氮及氧的合计的含有率为90原子%以上、硅的含有率为30~70原子%、氮及氧的合计的含有率为30~60原子%,且氧的含有率为30原子%以下之硅系材料所构成,且片电阻为1013Ω/□以下之层。   本发明的效果为可提供一种具有相对于波长200nm以下之光的照射,图型尺寸变动劣化较小,具有良好之药品耐性,并且与未含有过渡金属之硅系材料的膜相比较,改善加工性之半色调相移膜的半色调相移空白遮罩及半色调相移遮罩。
    • 8. 发明专利
    • 濺鍍用靶材,含矽膜之成膜方法及空白光罩基材 SPUTTERING TARGET MATERIAL, SILICON-CONTAINING FILM FORMING METHOD, AND PHOTOMASK BLANK
    • 溅镀用靶材,含硅膜之成膜方法及空白光罩基材 SPUTTERING TARGET MATERIAL, SILICON-CONTAINING FILM FORMING METHOD, AND PHOTOMASK BLANK
    • TW201233822A
    • 2012-08-16
    • TW100138304
    • 2011-10-21
    • 信越化學工業股份有限公司
    • 金子英雄稻月判臣吉川博樹
    • C23CG03F
    • C23C14/3414C23C14/0036C23C14/0676C23C14/564G03F1/54
    • 本發明課題為提供一種在濺鍍步驟中不易產生顆粒的矽靶材,以謀求成膜所得的含矽膜之低缺陷化(高品質化)。課題解決手段為將在室溫的比電阻為20Ω‧cm以上的矽靶材使用於含矽膜之成膜。矽靶材可為多結晶或非晶質之物,然而若設定為單結晶,則具有可實現較安定放電狀態的優點。另外,藉由FZ法養晶而成的單結晶矽由於氧含量低,故為適合作為高純度矽靶材的材料。另外從得到安定的放電特性的觀點看來,以含有施體雜質的n型為佳。含矽膜之濺鍍成膜,除了僅使用單一或多種本發明之矽靶材來進行之外,還可同時使用矽靶材與含過渡金屬以及矽的靶材,或可同時使用矽靶材與過渡金屬靶材來進行。
    • 本发明课题为提供一种在溅镀步骤中不易产生颗粒的硅靶材,以谋求成膜所得的含硅膜之低缺陷化(高品质化)。课题解决手段为将在室温的比电阻为20Ω‧cm以上的硅靶材使用于含硅膜之成膜。硅靶材可为多结晶或非晶质之物,然而若设置为单结晶,则具有可实现较安定放电状态的优点。另外,借由FZ法养晶而成的单结晶硅由于氧含量低,故为适合作为高纯度硅靶材的材料。另外从得到安定的放电特性的观点看来,以含有施体杂质的n型为佳。含硅膜之溅镀成膜,除了仅使用单一或多种本发明之硅靶材来进行之外,还可同时使用硅靶材与含过渡金属以及硅的靶材,或可同时使用硅靶材与过渡金属靶材来进行。
    • 9. 发明专利
    • 光罩基板及光罩 PHOTOMASK BLANK AND PHOTOMASK
    • TW201107868A
    • 2011-03-01
    • TW099109636
    • 2010-03-30
    • 信越化學工業股份有限公司
    • 稻月判臣金子英雄吉川博樹
    • G03F
    • G03F1/32G03F1/58G03F1/80
    • 本發明之解決手段為一種光罩基板,其係於透明基板上,具有:由可含過渡金屬之矽系材料所構成之遮光膜,以及由鉻化合物系材料構成,在從光罩基板加工成光罩之間的任一項步驟中完全被剝離之蝕刻掩膜之光罩基板,蝕刻掩膜係藉由反應性濺鍍成膜,並由彼此組成不同之2層以上的層所成之多層所構成,該多層係將由以單一組成層成膜於透明基板上時,賦予壓縮應力之材料所成之層,與由以單一組成層成膜於透明基板上時,賦予拉伸應力之材料所成之層予以組合而構成。本發明之效果如下,藉由使用本發明之光罩基板,在蝕刻掩膜的蝕刻去除前後,可使表面形狀僅產生些微變化,藉此可提升在光罩加工結束後所製得之光罩的圖型控制性。
    • 本发明之解决手段为一种光罩基板,其系于透明基板上,具有:由可含过渡金属之硅系材料所构成之遮光膜,以及由铬化合物系材料构成,在从光罩基板加工成光罩之间的任一项步骤中完全被剥离之蚀刻掩膜之光罩基板,蚀刻掩膜系借由反应性溅镀成膜,并由彼此组成不同之2层以上的层所成之多层所构成,该多层系将由以单一组成层成膜于透明基板上时,赋予压缩应力之材料所成之层,与由以单一组成层成膜于透明基板上时,赋予拉伸应力之材料所成之层予以组合而构成。本发明之效果如下,借由使用本发明之光罩基板,在蚀刻掩膜的蚀刻去除前后,可使表面形状仅产生些微变化,借此可提升在光罩加工结束后所制得之光罩的图型控制性。