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1. 实用新型

TWM593069U 排氣管結構有权
简体标题：排气管结构
公开(公告)号：TWM593069U
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW108214669
申请日：2019-11-06
申请人：景澤國際有限公司 , CHING TZE INTERNATIONAL CO., LTD
发明人：陳家賢 , CHEN, CHIA-HSIEN , 彭俊烜 , PENG, CHUN-HSUAN
IPC分类号： H01L33/64 , H01L21/302 , F01N13/08

2. 发明专利

TWI683458B 用於高亮度發光裝置之周邊散熱配置有权
简体标题：用于高亮度发光设备之周边散热配置
公开(公告)号：TWI683458B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW105109733
申请日：2016-03-28
申请人：荷蘭商皇家飛利浦有限公司 , KONINKLIJKE PHILIPS N. V.
发明人：洛培茲東尼 , LOPEZ, TONI
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/50

3. 发明专利

TW202005125A 發光装置审中-公开
简体标题：发光装置
公开(公告)号：TW202005125A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108119492
申请日：2019-06-05
申请人：日商日亞化學工業股份有限公司 , NICHIA CORPORATION
发明人：髙鶴一真 , KOZURU, KAZUMA , 榎本聖史 , ENOMOTO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/56
摘要：本發明提供一種散熱性優異的發光裝置。本發明之發光裝置具備半導體雷射元件、及將以金屬為主材料之底部與以陶瓷為主材料之框部接合而成之基部，基部具有配置半導體雷射元件之配置面、圍繞所配置之半導體雷射元件四周之框、及用於與半導體雷射元件電性連接之第一及第二電極層，底部具有配置面，框部具有與配置面接合之接合面、與接合面相交且形成比配置面大的框之內側面、及與接合面相交且形成比配置面小的框之內側面，第二電極層於框部中設置於與接合面不同的平面上，且該平面與形成比配置面小的框之內側面之至少一部分相交。
简体摘要：本发明提供一种散热性优异的发光设备。本发明之发光设备具备半导体激光组件、及将以金属为主材料之底部与以陶瓷为主材料之框部接合而成之基部，基部具有配置半导体激光组件之配置面、围绕所配置之半导体激光组件四周之框、及用于与半导体激光组件电性连接之第一及第二电极层，底部具有配置面，框部具有与配置面接合之接合面、与接合面相交且形成比配置面大的框之内侧面、及与接合面相交且形成比配置面小的框之内侧面，第二电极层于框部中设置于与接合面不同的平面上，且该平面与形成比配置面小的框之内侧面之至少一部分相交。

4. 发明专利

TW201947791A 發光二極體結構审中-公开
简体标题：发光二极管结构
公开(公告)号：TW201947791A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107115805
申请日：2018-05-09
申请人：相豐科技股份有限公司 , MUTUAL-PAK TECHNOLOGY CO.,LTD. , 合信材料有限公司 , HSN MATERIALS CO.,LTD.
发明人：黃祿珍 , HWAN, LU-CHEN , 李坤錐 , LEE, KUN-CHUI
IPC分类号： H01L33/64 , H01L23/62 , H01L23/15 , H01L23/13
摘要：本發明為一種發光二極體結構，其包含一可撓性基板及一或複數個晶圓封裝級(CSP)發光二極體晶片。該可撓性基板是由金屬層為基底而外圍包覆陶瓷絕緣層，該可撓性基板設置有複數個導電電極。該晶圓封裝級(CSP)發光二極體晶片係設置於該可撓性基板之上；其中，該晶圓封裝級(CSP)發光二極體晶片的導電單元會電性連接該可撓性基板之該複數個導電電極。
简体摘要：本发明为一种发光二极管结构，其包含一可挠性基板及一或复数个晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片。该可挠性基板是由金属层为基底而外围包覆陶瓷绝缘层，该可挠性基板设置有复数个导电电极。该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片系设置于该可挠性基板之上；其中，该晶圆封装级(CSP)发光二极管芯片的导电单元会电性连接该可挠性基板之该复数个导电电极。

5. 发明专利

TWI669837B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI669837B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104107889
申请日：2015-03-12
申请人：日商迪睿合股份有限公司 , DEXERIALS CORPORATION
发明人：梅津典雄 , UMETSU, NORIO , 松村孝 , MATSUMURA, TAKASHI
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64

6. 发明专利

TWI650885B 發光模組以及照明裝置有权
简体标题：发光模块以及照明设备
公开(公告)号：TWI650885B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104129581
申请日：2015-09-08
申请人：日商東芝照明技術股份有限公司 , TOSHIBA LIGHTING & TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：日野弘喜 , HINO, KOKI , 田内亮彦 , TAUCHI, AKIHIKO , 田中貴章 , TANAKA, TAKAAKI , 前田祥平 , MAEDA, SYOHEI , 加藤剛雄 , KATO, TAKEO , 藤岡純 , FUJIOKA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L33/64

7. 发明专利

TWI645580B 發光二極體覆晶晶粒及顯示器有权
简体标题：发光二极管覆晶晶粒及显示器
公开(公告)号：TWI645580B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW105125361
申请日：2016-08-09
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.
发明人：沈佳輝 , SHEN, CHIA-HUI , 洪梓健 , HUNG, TZU-CHIEN , 彭建忠 , PENG, CHIEN-CHUNG , 黃建翔 , HUANG, CHIEN-SHIANG , 黃世晟 , HUANG, SHIH-CHENG , 劉芝蓉 , LIU, CHIH-JUNG
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/64

8. 发明专利

TW201840733A 樹脂化合物及將樹脂化合物成型而成之成形物审中-公开
简体标题：树脂化合物及将树脂化合物成型而成之成形物
公开(公告)号：TW201840733A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103423
申请日：2018-01-31
申请人：日商NTI股份有限公司 , NTI CO., LTD.
发明人：見勢信猛 , MISE, NOBUTAKE
IPC分类号： C08L101/00 , C08K3/04 , C09K5/14 , H01B1/24 , H01L33/64 , H05K9/00 , H01M8/0267
摘要：本發明之課題係提供一種熱傳導率高、成型性優異、機械強度高的熱傳導性樹脂化合物及其成形物。該課題之解決手段係一種樹脂化合物，其係含有熱塑性樹脂和石墨，於該樹脂化合物中，更包含氮吸附比表面積為10至100m2/g及/或DBP吸收量為30至100ml/100g之碳黑。
简体摘要：本发明之课题系提供一种热传导率高、成型性优异、机械强度高的热传导性树脂化合物及其成形物。该课题之解决手段系一种树脂化合物，其系含有热塑性树脂和石墨，于该树脂化合物中，更包含氮吸附比表面积为10至100m2/g及/或DBP吸收量为30至100ml/100g之碳黑。

9. 发明专利

TW201836129A 微型發光二極體及顯示面板审中-公开
简体标题：微型发光二极管及显示皮肤
公开(公告)号：TW201836129A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106110086
申请日：2017-03-27
申请人：英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 , PLAYNITRIDE INC.
发明人：吳志凌 , WU, CHIH-LING , 賴育弘 , LAI, YU-HUNG , 蘇義閔 , SU, YI-MIN , 羅玉雲 , LO, YU-YUN , 林子暘 , LIN, TZU-YANG
IPC分类号： H01L27/12 , H01L33/38 , H01L33/64
摘要：一種微型發光二極體，包括磊晶疊層、第一電極以及第二電極。第一電極的下表面與磊晶疊層的第一半導體層的上表面接觸。第二電極的上表面與磊晶疊層的第二半導體層的下表面接觸。第一電極的下表面實質上重合於第一半導體層的上表面。第二電極的上表面實質上重合於第二半導體層的下表面。另，一種顯示面板亦被提出。
简体摘要：一种微型发光二极管，包括磊晶叠层、第一电极以及第二电极。第一电极的下表面与磊晶叠层的第一半导体层的上表面接触。第二电极的上表面与磊晶叠层的第二半导体层的下表面接触。第一电极的下表面实质上重合于第一半导体层的上表面。第二电极的上表面实质上重合于第二半导体层的下表面。另，一种显示皮肤亦被提出。

10. 发明专利

TWI635631B 垂直型發光二極體晶粒的結構及其製造方法有权
简体标题：垂直型发光二极管晶粒的结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI635631B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW106139859
申请日：2017-11-17
申请人：晶呈科技股份有限公司
发明人：陳亞理 , 王起明 , 涂家瑋 , 鍾承育 , 馮祥銨
IPC分类号： H01L33/64

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