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1. 发明专利

TW201348177A 低折射率膜形成用燒結體及其製造方法审中-公开
简体标题：低折射率膜形成用烧结体及其制造方法
公开(公告)号：TW201348177A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102110220
申请日：2013-03-22
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/38 , C04B2235/444 , C04B2235/5436 , C04B2235/727 , C23C14/06 , C23C14/3414
摘要：本發明之燒結體係由鋅(Zn)、鎂(Mg)、氧(O)、氟(F)構成者，其特徵在於：含有以Mg之元素量換算計1.0~27mol%之鎂(Mg)之氟化物。基於該燒結體，提供一種可用於形成薄膜時之燒結體，且該薄膜係軟性顯示器用、有機EL電視用、觸控面板用電極用、形成光資訊記錄媒體之保護層、反射層或半透射層之光學薄膜用、硬碟之籽晶層用。藉此，可提供一種非晶質且消光係數為0.01以下(波長450nm)之良好之可見光透射率與折射率為2.0以下之低折射率的最適於上述用途之薄膜。
简体摘要：本发明之烧结体系由锌(Zn)、镁(Mg)、氧(O)、氟(F)构成者，其特征在于：含有以Mg之元素量换算计1.0~27mol%之镁(Mg)之氟化物。基于该烧结体，提供一种可用于形成薄膜时之烧结体，且该薄膜系软性显示器用、有机EL电视用、触摸皮肤用电极用、形成光信息记录媒体之保护层、反射层或半透射层之光学薄膜用、硬盘之籽晶层用。借此，可提供一种非晶质且消光系数为0.01以下(波长450nm)之良好之可见光透射率与折射率为2.0以下之低折射率的最适于上述用途之薄膜。

2. 发明专利

TW201343947A 濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201343947A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102103078
申请日：2013-01-28
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI , 佐藤和幸 , SATOH, KAZUYUKI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622
CPC分类号： C04B35/645 , C04B35/453 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/447 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：一種濺鍍靶，其基本組成係由鋅（Zn）、鋁（Al）、鎂（Mg）及／或矽（Si）之3元素或4元素及氧（O）構成，相對於該基本組成，含有形成低熔點氧化物之金屬，其特徵在於：基本組成係由以下構成：Al含量以Al2O3換算為0.2～3.0mol%，Mg及／或Si含量以MgO及／或SiO2換算為1～27mol%，剩餘部分為Zn以ZnO換算之含量，相對於此基本組成，進一步含有以氧化物重量換算為0.1～20wt%之金屬，該金屬會形成熔點在1000℃以下之低熔點氧化物。提供一種不含硫、體電阻低、可進行DC濺鍍且低折射率之光學薄膜形成用靶及其製造方法。由於靶本身為高密度，因此具有異常放電少、可進行穩定之濺鍍的特徵。並且，經濺鍍成膜之薄膜，透射率高且以非硫化物系構成，因此適用於形成鄰接之反射層、記錄層不易劣化的光資訊記錄媒體用薄膜。可大幅改善光資訊記錄媒體特性提升、設備成本降低化、藉由成膜速度提升達成的產量。
简体摘要：一种溅镀靶，其基本组成系由锌（Zn）、铝（Al）、镁（Mg）及／或硅（Si）之3元素或4元素及氧（O）构成，相对于该基本组成，含有形成低熔点氧化物之金属，其特征在于：基本组成系由以下构成：Al含量以Al2O3换算为0.2～3.0mol%，Mg及／或Si含量以MgO及／或SiO2换算为1～27mol%，剩余部分为Zn以ZnO换算之含量，相对于此基本组成，进一步含有以氧化物重量换算为0.1～20wt%之金属，该金属会形成熔点在1000℃以下之低熔点氧化物。提供一种不含硫、体电阻低、可进行DC溅镀且低折射率之光学薄膜形成用靶及其制造方法。由于靶本身为高密度，因此具有异常放电少、可进行稳定之溅镀的特征。并且，经溅镀成膜之薄膜，透射率高且以非硫化物系构成，因此适用于形成邻接之反射层、记录层不易劣化的光信息记录媒体用薄膜。可大幅改善光信息记录媒体特性提升、设备成本降低化、借由成膜速度提升达成的产量。

3. 发明专利

TW200632122A 濺鍍用靶材,自濺鍍用靶材形成之介電質薄膜及介電質薄膜之製造方法 SPUTTERING TARGET, DIELECTRIC FILM FORMED FROM THE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE DIELECTRIC FILM 审中-公开
简体标题：溅镀用靶材,自溅镀用靶材形成之介电质薄膜及介电质薄膜之制造方法 SPUTTERING TARGET, DIELECTRIC FILM FORMED FROM THE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE DIELECTRIC FILM
公开(公告)号：TW200632122A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094146662
申请日：2005-12-27
申请人：日本板硝子股份有限公司 NIPPON SHEET GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：國定照房 TERUFUSA KUNISADA , 荻野悦男 ETSUO OGINO , 筏井正博 MASAHIRO IKADAI
IPC分类号： C23C , C04B
CPC分类号： C04B35/46 , C04B35/495 , C04B2235/3237 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C23C14/083 , C23C14/3414
摘要：根據本發明之濺鍍用靶材包括含有NbOx和TiOx的氧化物燒結體，其中於靶材中的鈦原子豐富比為由70％至90％(皆含)。較佳，該氧化物燒結體具有比電阻值不高於10Ω．cm。較佳，該氧化物燒結體具有熱膨脹係數不大於7×10^–6／K，且具有導熱率不低於10×10^–4cal／mm．K．sec。
简体摘要：根据本发明之溅镀用靶材包括含有NbOx和TiOx的氧化物烧结体，其中于靶材中的钛原子丰富比为由70％至90％(皆含)。较佳，该氧化物烧结体具有比电阻值不高于10Ω．cm。较佳，该氧化物烧结体具有热膨胀系数不大于7×10^–6／K，且具有导热率不低于10×10^–4cal／mm．K．sec。

4. 发明专利

TWI580661B 低折射率之非晶質透明導電膜製作用燒結體及低折射率之非晶質透明導電膜有权
简体标题：低折射率之非晶质透明导电膜制作用烧结体及低折射率之非晶质透明导电膜
公开(公告)号：TWI580661B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102144012
申请日：2013-12-02
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/00 , C04B35/453 , C04B35/553 , C23C14/04 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/117 , C04B35/453 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/38 , C04B2235/42 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C23C14/3414

5. 发明专利

TWI487805B 濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI487805B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW102103078
申请日：2013-01-28
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI , 佐藤和幸 , SATOH, KAZUYUKI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622
CPC分类号： C04B35/645 , C04B35/453 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/447 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/3414

6. 发明专利

TWI568705B 導電性氧化物燒結體及其製造方法有权
简体标题：导电性氧化物烧结体及其制造方法
公开(公告)号：TWI568705B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW102103077
申请日：2013-01-28
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01B1/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/04 , C04B35/16 , C04B35/20 , C04B35/645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C23C14/3414 , H01B1/08

7. 发明专利

TW201250033A 氧化物燒結體、其製造方法及使用其的靶材审中-公开
简体标题：氧化物烧结体、其制造方法及使用其的靶材
公开(公告)号：TW201250033A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101107657
申请日：2012-03-07
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：中田邦彥 , 堀田翔平
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3237 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/44 , C04B2235/6581 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/79
摘要：本發明係提供一種即使藉由DC濺鍍法，亦可生產性佳地形成具有與AZO或GZO同等程度的導電性且化學耐久性佳之氧化鋅系透明導電膜之靶材及其製造方法，此外，係提供一種有用於製造該靶材之氧化物燒結體及其製造方法。本發明之氧化物燒結體，係實質上由鋅，鈦，氧，與選自由鋁、鎵及銦所組成之群組的至少1種微量添加元素(TE)所構成之氧化物燒結體，該鈦係來自由式：TiO2-X(X=0.1~1)表示之低原子價氧化鈦。
简体摘要：本发明系提供一种即使借由DC溅镀法，亦可生产性佳地形成具有与AZO或GZO同等程度的导电性且化学耐久性佳之氧化锌系透明导电膜之靶材及其制造方法，此外，系提供一种有用于制造该靶材之氧化物烧结体及其制造方法。本发明之氧化物烧结体，系实质上由锌，钛，氧，与选自由铝、镓及铟所组成之群组的至少1种微量添加元素(TE)所构成之氧化物烧结体，该钛系来自由式：TiO2-X(X=0.1~1)表示之低原子价氧化钛。

8. 发明专利

TW201026631A 鈦酸鋁系陶瓷之製造方法 PROCESS FOR PRODUCING ALUMINIUM TITANATE-BASED CERAMICS 审中-公开
简体标题：钛酸铝系陶瓷之制造方法 PROCESS FOR PRODUCING ALUMINIUM TITANATE-BASED CERAMICS
公开(公告)号：TW201026631A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098129882
申请日：2009-09-04
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：真木一 , 鈴木敬一郎 , 岩崎健太郎
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/62655 , C04B35/478 , C04B35/6261 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62823 , C04B35/632 , C04B38/0645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3218 , C04B2235/322 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3237 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3463 , C04B2235/36 , C04B2235/3826 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/3886 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/448 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/81 , C04B2235/95 , C04B2235/9607 , C04B2235/9615 , C04B38/0054
摘要：本發明係以提供製造鈦酸鋁、鈦酸鋁鎂等之鈦酸鋁系陶瓷之成形體時，可降低鈦酸鋁系陶瓷之成形體對原材料混合物之成形體之收縮率，降低所得之鈦酸鋁系陶瓷之成形體之熱膨脹係數之方法為目的。本發明係將含鈦源物質及鋁源物質之原材料混合物進行煅燒以製造鈦酸鋁系陶瓷之方法，前述鋁源物質之BET比表面積為0.1m 2 /g以上，5m 2 /g以下之方法。
简体摘要：本发明系以提供制造钛酸铝、钛酸铝镁等之钛酸铝系陶瓷之成形体时，可降低钛酸铝系陶瓷之成形体对原材料混合物之成形体之收缩率，降低所得之钛酸铝系陶瓷之成形体之热膨胀系数之方法为目的。本发明系将含钛源物质及铝源物质之原材料混合物进行煅烧以制造钛酸铝系陶瓷之方法，前述铝源物质之BET比表面积为0.1m 2 /g以上，5m 2 /g以下之方法。

9. 发明专利

TWI564267B 低折射率膜形成用燒結體及其製造方法有权
简体标题：低折射率膜形成用烧结体及其制造方法
公开(公告)号：TWI564267B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW102110220
申请日：2013-03-22
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/38 , C04B2235/444 , C04B2235/5436 , C04B2235/727 , C23C14/06 , C23C14/3414

10. 发明专利

TW201439026A 低折射率之非晶質透明導電膜製作用燒結體及低折射率之非晶質透明導電膜审中-公开
简体标题：低折射率之非晶质透明导电膜制作用烧结体及低折射率之非晶质透明导电膜
公开(公告)号：TW201439026A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102144012
申请日：2013-12-02
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/00 , C04B35/453 , C04B35/553 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/117 , C04B35/453 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3237 , C04B2235/3239 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/38 , C04B2235/42 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C23C14/3414
摘要：一種燒結體，由鋅(Zn)、及鎵(Ga)或鋁(Al)或硼(B)、及鍺(Ge)或矽(Si)、及鎂(Mg)、及氧(O)、及氟(F)構成，當以Ga2O3或Al2O3或B2O3換算使鎵(Ga)或鋁(Al)或硼(B)之含量為A mol%，以GeO2或SiO2換算使鍺(Ge)或矽(Si)之含量為B mol%，以MgF2換算使鎂(Mg)之含量為C mol%時，為10≦A+B+C≦70。尤其是體電阻低，可進行DC濺鍍，且可形成低折射率之非晶質薄膜。
简体摘要：一种烧结体，由锌(Zn)、及镓(Ga)或铝(Al)或硼(B)、及锗(Ge)或硅(Si)、及镁(Mg)、及氧(O)、及氟(F)构成，当以Ga2O3或Al2O3或B2O3换算使镓(Ga)或铝(Al)或硼(B)之含量为A mol%，以GeO2或SiO2换算使锗(Ge)或硅(Si)之含量为B mol%，以MgF2换算使镁(Mg)之含量为C mol%时，为10≦A+B+C≦70。尤其是体电阻低，可进行DC溅镀，且可形成低折射率之非晶质薄膜。

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