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1. 发明专利

TW201324789A 積層構造體、鐵電閘薄膜電晶體及鐵電薄膜電容器审中-公开
简体标题：积层构造体、铁电闸薄膜晶体管及铁电薄膜电容器
公开(公告)号：TW201324789A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101141077
申请日：2012-11-06
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI , 德光永輔 , TOKUMITSU, EISUKE , 斐元國呈 , BUI, NGUYEN QUOC TRINH
IPC分类号： H01L29/786 , H01G4/10 , B32B7/02
CPC分类号： H01L29/516 , C01G25/00 , C01G25/006 , C01G29/006 , C01G35/00 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/75 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0478 , H01L41/0805
摘要：本發明的課題為提供一種以鐵電閘薄膜電晶體的轉移特性容易劣化(例如記憶體視窗的寬度容易變窄)的問題為首，往往起因於Pb原子由PZT層擴散到氧化物導體層而發生的各種問題被解決的鐵電閘薄膜電晶體。本發明的解決手段為一種鐵電閘薄膜電晶體20，包含:通道層28；控制通道層28的導通狀態之閘電極層22；配置於通道層28與閘電極層22之間之由鐵電層構成的閘絕緣層25，閘絕緣層(鐵電層)25具有:PZT層23與BLT層(Pb擴散防止層)24被積層的構造，通道層(氧化物導體層)28配置於閘絕緣層(鐵電層)25中的BLT層(Pb擴散防止層)24側的面。
简体摘要：本发明的课题为提供一种以铁电闸薄膜晶体管的转移特性容易劣化(例如内存窗口的宽度容易变窄)的问题为首，往往起因于Pb原子由PZT层扩散到氧化物导体层而发生的各种问题被解决的铁电闸薄膜晶体管。本发明的解决手段为一种铁电闸薄膜晶体管20，包含:信道层28；控制信道层28的导通状态之闸电极层22；配置于信道层28与闸电极层22之间之由铁电层构成的闸绝缘层25，闸绝缘层(铁电层)25具有:PZT层23与BLT层(Pb扩散防止层)24被积层的构造，信道层(氧化物导体层)28配置于闸绝缘层(铁电层)25中的BLT层(Pb扩散防止层)24侧的面。

2. 发明专利

TW201222827A 記憶體單元區塊及其製造方法、記憶體裝置以及記憶體裝置的驅動方法审中-公开
简体标题：内存单元区块及其制造方法、内存设备以及内存设备的驱动方法
公开(公告)号：TW201222827A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100132261
申请日：2011-09-07
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構
发明人：下田達也 , 德光永輔 , 宮迫毅明 , 斐元國呈
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1159 , G11C11/223 , H01L27/11587 , H01L29/78391
摘要：本發明的記憶體單元包含由具有由鐵電層構成的第一閘絕緣層的資訊記憶用的TRI，與具有第二閘絕緣層的資訊讀出／寫入用的TRZ被並聯連接之固態電子元件構成的複數個記憶體單元，該等複數個記憶體單元被串聯連接。第一通道區域及第二通道區域是由以同一製程形成的導體層或半導體層構成。接鄰的兩個記憶體單元藉由延續於第一通道區域及第二通道區域的連接層連接。當使用於NAND型記憶體裝置時不會使〔寫入干擾問題〕及〔讀出干擾問題」發生。而且，可藉由一次的製程形成第一通道區域及第二通道區域與連接層。而且，可降低第一通道區域及第二通道區域與連接層之間的接觸電阻。
简体摘要：本发明的内存单元包含由具有由铁电层构成的第一闸绝缘层的信息记忆用的TRI，与具有第二闸绝缘层的信息读出／写入用的TRZ被并联连接之固态电子组件构成的复数个内存单元，该等复数个内存单元被串联连接。第一信道区域及第二信道区域是由以同一制程形成的导体层或半导体层构成。接邻的两个内存单元借由延续于第一信道区域及第二信道区域的连接层连接。当使用于NAND型内存设备时不会使〔写入干扰问题〕及〔读出干扰问题”发生。而且，可借由一次的制程形成第一信道区域及第二信道区域与连接层。而且，可降低第一信道区域及第二信道区域与连接层之间的接触电阻。

3. 发明专利

TWI520346B 積層構造體、鐵電閘薄膜電晶體及鐵電薄膜電容器有权
简体标题：积层构造体、铁电闸薄膜晶体管及铁电薄膜电容器
公开(公告)号：TWI520346B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101141077
申请日：2012-11-06
申请人：國立研究開發法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI , 德光永輔 , TOKUMITSU, EISUKE , 斐元國呈 , BUI, NGUYEN QUOC TRINH
IPC分类号： H01L29/786 , H01G4/10 , B32B7/02
CPC分类号： H01L29/516 , C01G25/00 , C01G25/006 , C01G29/006 , C01G35/00 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/75 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0478 , H01L41/0805

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