会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 4. 发明专利
    • 相對於基板的第二表面選擇性沈積在基板的第一表面上的製程與方法
    • 相对于基板的第二表面选择性沉积在基板的第一表面上的制程与方法
    • TW201809333A
    • 2018-03-16
    • TW106114561
    • 2017-05-03
    • ASM IP控股公司ASM IP HOLDING B.V.
    • 凡 艾琳娜FARM, ELINA末盛 秀美SUEMORI, HIDEMI梅特洛 雷傑MATERO, RAIJA尼森卡恩 安堤NISKANEN, ANTTI賀加 蘇維 P.HAUKKA, SUVI P.
    • C23C16/04C23C16/40H01L21/02
    • H01L21/0228C23C16/40C23C16/405C23C16/45525C23C16/45553H01L21/02181H01L21/02189H01L21/32
    • 本發明提供其中將材料相對於第二有機表面選擇性地沈積於基板的第一表面上的氣相沈積製程。在某些實施例中,使包括第一表面(例如金屬、半金屬、或者氧化金屬或氧化半金屬)的基板與第一氣相疏水性反應物及第二氣相反應物接觸,以使得所述材料相對於第二有機表面選擇性地沈積於第一表面上。第二有機表面可包含例如自組裝單層、定向自組裝層或聚合物(例如聚醯亞胺、聚醯胺、聚脲、或聚苯乙烯)。進行沈積的材料可為例如金屬材料或金屬性材料。在某些實施例中,所述材料為金屬氧化物(例如ZrO2或HfO2)。在某些實施例中,氣相沈積製程為循環化學氣相沈積(CVD)製程或原子層沈積(ALD)製程。在某些實施例中,所述材料以大於約50%、大於約60%、大於約70%、大於約80%、大於約90%、或大於約95%的選擇性相對於第二表面沈積於第一表面上。
    • 本发明提供其中将材料相对于第二有机表面选择性地沉积于基板的第一表面上的气相沉积制程。在某些实施例中,使包括第一表面(例如金属、半金属、或者氧化金属或氧化半金属)的基板与第一气相疏水性反应物及第二气相反应物接触,以使得所述材料相对于第二有机表面选择性地沉积于第一表面上。第二有机表面可包含例如自组装单层、定向自组装层或聚合物(例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚脲、或聚苯乙烯)。进行沉积的材料可为例如金属材料或金属性材料。在某些实施例中,所述材料为金属氧化物(例如ZrO2或HfO2)。在某些实施例中,气相沉积制程为循环化学气相沉积(CVD)制程或原子层沉积(ALD)制程。在某些实施例中,所述材料以大于约50%、大于约60%、大于约70%、大于约80%、大于约90%、或大于约95%的选择性相对于第二表面沉积于第一表面上。