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1. 发明专利

TWI700391B 薄膜沈積的方法及裝置有权
简体标题：薄膜沉积的方法及设备
公开(公告)号：TWI700391B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105122325
申请日：2016-07-15
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：川原潤 , KAWAHARA, JUN , 賀加蘇維 , HAUKKA, SUVI , 尼森卡恩安堤 , NISKANEN, ANTTI , 多益斯艾娃 , TOIS, EVA , 梅特洛雷傑 , MATERO, RAIJA , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 安提拉雅各 , ANTTILA, JAAKKO , 森幸博 , MORI, YUKIHIRO
IPC分类号： C23C16/52 , H01L21/205

2. 发明专利

TW201708605A 薄膜沈積的方法及裝置审中-公开
简体标题：薄膜沉积的方法及设备
公开(公告)号：TW201708605A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105122325
申请日：2016-07-15
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：川原潤 , KAWAHARA, JUN , 賀加蘇維 , HAUKKA, SUVI , 尼森卡恩安堤 , NISKANEN, ANTTI , 多益斯艾娃 , TOIS, EVA , 梅特洛雷傑 , MATERO, RAIJA , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 安提拉雅各 , ANTTILA, JAAKKO , 森幸博 , MORI, YUKIHIRO
IPC分类号： C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45548 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L21/67748 , H01L21/67754 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：根據本文中的某些實施例，闡述用於沈積薄膜的方法及裝置。在某些實施例中，在多個站中執行薄膜沈積，其中每一站提供不同反應物或反應物的組合。所述站可彼此氣體隔離以最小化或防止所述不同反應物或反應物的組合之間的不期望的化學氣相沈積（CVD）及/或原子層沈積（ALD）反應。
简体摘要：根据本文中的某些实施例，阐述用于沉积薄膜的方法及设备。在某些实施例中，在多个站中运行薄膜沉积，其中每一站提供不同反应物或反应物的组合。所述站可彼此气体隔离以最小化或防止所述不同反应物或反应物的组合之间的不期望的化学气相沉积（CVD）及/或原子层沉积（ALD）反应。

3. 发明专利

TW201809333A 相對於基板的第二表面選擇性沈積在基板的第一表面上的製程與方法审中-公开
简体标题：相对于基板的第二表面选择性沉积在基板的第一表面上的制程与方法
公开(公告)号：TW201809333A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106114561
申请日：2017-05-03
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：凡艾琳娜 , FARM, ELINA , 末盛秀美 , SUEMORI, HIDEMI , 梅特洛雷傑 , MATERO, RAIJA , 尼森卡恩安堤 , NISKANEN, ANTTI , 賀加蘇維 P. , HAUKKA, SUVI P.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/40 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45553 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/32
摘要：本發明提供其中將材料相對於第二有機表面選擇性地沈積於基板的第一表面上的氣相沈積製程。在某些實施例中，使包括第一表面（例如金屬、半金屬、或者氧化金屬或氧化半金屬）的基板與第一氣相疏水性反應物及第二氣相反應物接觸，以使得所述材料相對於第二有機表面選擇性地沈積於第一表面上。第二有機表面可包含例如自組裝單層、定向自組裝層或聚合物（例如聚醯亞胺、聚醯胺、聚脲、或聚苯乙烯）。進行沈積的材料可為例如金屬材料或金屬性材料。在某些實施例中，所述材料為金屬氧化物（例如ZrO2或HfO2）。在某些實施例中，氣相沈積製程為循環化學氣相沈積（CVD）製程或原子層沈積（ALD）製程。在某些實施例中，所述材料以大於約50%、大於約60%、大於約70%、大於約80%、大於約90%、或大於約95%的選擇性相對於第二表面沈積於第一表面上。
简体摘要：本发明提供其中将材料相对于第二有机表面选择性地沉积于基板的第一表面上的气相沉积制程。在某些实施例中，使包括第一表面（例如金属、半金属、或者氧化金属或氧化半金属）的基板与第一气相疏水性反应物及第二气相反应物接触，以使得所述材料相对于第二有机表面选择性地沉积于第一表面上。第二有机表面可包含例如自组装单层、定向自组装层或聚合物（例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚脲、或聚苯乙烯）。进行沉积的材料可为例如金属材料或金属性材料。在某些实施例中，所述材料为金属氧化物（例如ZrO2或HfO2）。在某些实施例中，气相沉积制程为循环化学气相沉积（CVD）制程或原子层沉积（ALD）制程。在某些实施例中，所述材料以大于约50%、大于约60%、大于约70%、大于约80%、大于约90%、或大于约95%的选择性相对于第二表面沉积于第一表面上。

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