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1. 发明专利

TWI601707B ＬａＮｉＯ薄膜形成用組成物及使用此組成物之ＬａＮｉＯ薄膜的形成方法有权
简体标题：ＬａＮｉＯ薄膜形成用组成物及使用此组成物之ＬａＮｉＯ薄膜的形成方法
公开(公告)号：TWI601707B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW103104074
申请日：2014-02-07
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：藤井順 , FUJII, JUN , 桜井英章 , SAKURAI, HIDEAKI , 曽山信幸 , SOYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/64 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01B5/14 , H01L21/28
CPC分类号： H01B1/08 , C04B35/01 , C04B35/624 , C04B35/62625 , C04B35/632 , C04B2235/3227 , C04B2235/3279 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , H01B13/00

2. 发明专利

TWI525219B 電解法用之陰極及其製法有权
简体标题：电解法用之阴极及其制法
公开(公告)号：TWI525219B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW099131342
申请日：2010-09-16
申请人：第諾拉工業公司 , INDUSTRIE DE NORA S.P.A.
发明人：安托茲安東尼奧羅倫佐 , ANTOZZI, ANTONIO LORENZO , 布里姬斯瑪麗安娜 , BRICHESE, MARIANNA , 卡達拉拉愛麗斯 , CALDERARA, ALICE
IPC分类号： C25B1/34 , C25B11/04 , C25B11/06
CPC分类号： C25B11/0484 , C23C18/08 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1241 , C25B1/34 , C25B11/0494

3. 发明专利

TWI525213B 矽層之製法有权
简体标题：硅层之制法
公开(公告)号：TWI525213B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW099139377
申请日：2010-11-16
申请人：贏創德固賽有限責任公司 , EVONIK DEGUSSA GMBH
发明人：偉伯史蒂芬 , WIEBER, STEPHAN , 帕茲麥瑟斯 , PATZ, MATTHIAS , 卡魯斯倫哈德 , CARIUS, REINHARD , 布朗格托斯坦 , BRONGER, TORSTEN , 科洛麥克 , COELLE, MICHAEL
IPC分类号： C23C18/12 , H01L21/208
CPC分类号： C23C18/1204 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/122 , C23C18/1225 , C23C18/1229 , C23C18/1295 , C23C18/14 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02628

4. 发明专利

TWI455900B 用於塗佈簡易清洗塗層之基板元件有权
简体标题：用于涂布简易清洗涂层之基板组件
公开(公告)号：TWI455900B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW101119490
申请日：2012-05-31
申请人：首德公司 , SCHOTT AG
发明人：沃瑟馬登 , WALTHER, MARTEN
IPC分类号： C03C17/34 , C03C17/23
CPC分类号： C23C18/1245 , C03C17/42 , C03C2218/113 , C23C18/1212 , C23C18/1225 , C23C18/1254 , C23C28/04 , Y10T428/24975 , Y10T428/249985 , Y10T428/265 , Y10T428/2848 , Y10T428/2857

5. 发明专利

TWI425571B 含有一耦合介電層及金屬層之半導體裝置，其製造方法及用於半導體裝置之含有多個有機成分的被動耦合材料有权
简体标题：含有一耦合介电层及金属层之半导体设备，其制造方法及用于半导体设备之含有多个有机成分的被动耦合材料
公开(公告)号：TWI425571B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW096106197
申请日：2007-02-16
申请人：飛思卡爾半導體公司 , FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. , 恩智浦股份有限公司 , NXP B. V.
发明人：傑諾斯法卡斯 , FARKAS, JANOS , 瑪利亞路易莎卡沃穆諾茲 , CALVO-MUNOZ, MARIA-LUISA , 瑟健柯狄 , KORDIC, SRDJAN
IPC分类号： H01L21/312 , C08G77/04 , C07F7/02
CPC分类号： H01L21/76829 , C23C18/122 , C23C18/1225 , C23C18/1893 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3105 , H01L21/3122 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201305079A 用於塗佈簡易清洗塗層之基板元件审中-公开
简体标题：用于涂布简易清洗涂层之基板组件
公开(公告)号：TW201305079A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101119489
申请日：2012-05-31
申请人：首德公司 , SCHOTT AG
发明人：沃瑟馬登 , WALTHER, MARTEN , 克齊薩克馬塔 , KRZYZAK, MARTA
IPC分类号： C03C17/34 , C03C17/23 , C03C17/25
CPC分类号： C03C17/3417 , C03C17/3429 , C03C2217/734 , C03C2218/113 , C23C18/1212 , C23C18/1225 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C28/04 , G02B1/115 , Y10T428/249969 , Y10T428/265
摘要：一種用於塗佈簡易清洗塗層之基板元件，其中，該基板元件可提高該簡易清洗塗層之疏水性、疏油性及耐久性。該基板元件包括由玻璃或玻璃陶瓷構成的載體材料以及由一層或由至少兩層構成的防反射塗層，其中，該一層或該等至少兩層之最上層為助黏劑層，該助黏劑層可與簡易清洗塗層進行相互作用，該助黏劑層包含混氧化物，特別是混氧化矽。
简体摘要：一种用于涂布简易清洗涂层之基板组件，其中，该基板组件可提高该简易清洗涂层之疏水性、疏油性及耐久性。该基板组件包括由玻璃或玻璃陶瓷构成的载体材料以及由一层或由至少两层构成的防反射涂层，其中，该一层或该等至少两层之最上层为助黏剂层，该助黏剂层可与简易清洗涂层进行相互作用，该助黏剂层包含混氧化物，特别是混氧化硅。

7. 发明专利

TW201245496A 電解法中陰極釋氫用之電極及其製法 ELECTRODE FOR ELECTROLYTIC PROCESSES AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF 审中-公开
简体标题：电解法中阴极释氢用之电极及其制法 ELECTRODE FOR ELECTROLYTIC PROCESSES AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
公开(公告)号：TW201245496A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101111213
申请日：2012-03-30
申请人：第諾拉工業公司
发明人：畢翠斯瑪麗安娜 , 安托茲安東尼奧羅倫佐 , 卡黛拉拉艾利斯
IPC分类号： C25B
CPC分类号： C25B11/04 , B01J23/462 , B01J23/892 , B01J37/0225 , C23C18/12 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C25B11/0484 , H01M4/9016
摘要：本發明係關於電解法用之電極，尤指適於工業電解法中釋氫用之陰極，包括金屬基材，塗佈外部觸媒層，含結晶性氧化釕，具有高度排序性金紅石型結構，有Ru-Ru和Ru-O鍵長度，其特徵為，Debye-Waller因數在臨界值以下。外部觸媒層可含稀土氧化物，諸如鐠。電極亦包括內部鉑質觸媒薄層，對意外電流反向事件有增進保護作用。
简体摘要：本发明系关于电解法用之电极，尤指适于工业电解法中释氢用之阴极，包括金属基材，涂布外部触媒层，含结晶性氧化钌，具有高度排序性金红石型结构，有Ru-Ru和Ru-O键长度，其特征为，Debye-Waller因子在临界值以下。外部触媒层可含稀土氧化物，诸如镨。电极亦包括内部铂质触媒薄层，对意外电流反向事件有增进保护作用。

8. 发明专利

TW201215708A 複數層之混合金屬氧化物電極及其製法 MULTI-LAYER MIXED METAL OXIDE ELECTRODE AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
简体标题：复数层之混合金属氧化物电极及其制法 MULTI-LAYER MIXED METAL OXIDE ELECTRODE AND METHOD FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW201215708A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW099145873
申请日：2010-12-24
申请人：水之星公司
发明人：尼克沙瑪麗蓮喬 , 尼克沙安德魯約翰
IPC分类号： C25B
CPC分类号： C25B11/0484 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C26/00 , C23C26/02 , C23C28/04
摘要：一種用於製造具有經控制之電化學活性之電極之組成物及方法，使該電極可應用於不同電-氧化製程。該電極係包括沈積於一導電基材上之緻密塗層，該塗層係由一種或多種鉑族金屬氧化物及一種或多種閥金屬氧化物之混合物之複數層所形成。該複數層之形成作用係使各層之鉑族金屬濃度及閥金屬濃度可依所欲應用而變化。例如，一電極結構可被製造以作為電鍍製程的陽極，因此，會顯著地抑制於該電解質中的有機添加物的氧化作用。另外，電極可被製造以於液態電解質中以高陽極電位(anodic potentials)操作，而生成強氧化劑如過氧化氫或臭氧。
简体摘要：一种用于制造具有经控制之电化学活性之电极之组成物及方法，使该电极可应用于不同电-氧化制程。该电极系包括沉积于一导电基材上之致密涂层，该涂层系由一种或多种铂族金属氧化物及一种或多种阀金属氧化物之混合物之复数层所形成。该复数层之形成作用系使各层之铂族金属浓度及阀金属浓度可依所欲应用而变化。例如，一电极结构可被制造以作为电镀制程的阳极，因此，会显着地抑制于该电解质中的有机添加物的氧化作用。另外，电极可被制造以于液态电解质中以高阳极电位(anodic potentials)操作，而生成强氧化剂如过氧化氢或臭氧。

9. 发明专利

TW200903227A 散熱模組的表面處理方法 SURFACE TREATMENT METHOD FOR THERMAL MODULE 审中-公开
简体标题：散热模块的表面处理方法 SURFACE TREATMENT METHOD FOR THERMAL MODULE
公开(公告)号：TW200903227A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW096124681
申请日：2007-07-06
申请人：華信精密股份有限公司 AMA PRECISION INC.
发明人：周育成 CHOU, YU CHENG , 蔡德利 TSAI, TE LI , 蔡明峰 TSAI, MING FENG , 沈志華 SHEN, CHICHHUA , 鄭學隆 CHENG, HSUEH LUNG
IPC分类号： G06F , B82B
CPC分类号： H01L23/373 , C23C18/1208 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/127 , F28F19/02 , H01L21/4871 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種散熱模組的表面處理方法,其包括下列步驟。首先,提供一散熱模組。接著,在一散熱模組之表面形成一奈米材料層,以阻絕散熱模組表面與空氣接觸,進而有效地防止散熱模組表面被氧化或受到污染。
简体摘要：一种散热模块的表面处理方法,其包括下列步骤。首先,提供一散热模块。接着,在一散热模块之表面形成一奈米材料层,以阻绝散热模块表面与空气接触,进而有效地防止散热模块表面被氧化或受到污染。

10. 发明专利

TWI233215B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME 失效
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
公开(公告)号：TWI233215B
公开(公告)日：2005-05-21
申请号：TW091114279
申请日：2002-06-28
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：奧良彰 YOSHIAKI OKU , 西山憲和 NORIKAZU NISHIYAMA , 上山惟一 KOREKAZU UEYAMA
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/7682 , C23C18/1208 , C23C18/1225 , H01L21/02126 , H01L21/02197 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31695 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , Y10S977/70 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置及其製造方法，其特徵在於：實現低介電率化，並包括有形成於基板表面上，且具備空孔率50%以上之週期性多孔結構的無機絕緣膜。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及其制造方法，其特征在于：实现低介电率化，并包括有形成于基板表面上，且具备空孔率50%以上之周期性多孔结构的无机绝缘膜。

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