专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI486996B 電漿裝置及電漿裝置的操作方法有权
简体标题：等离子设备及等离子设备的操作方法
公开(公告)号：TWI486996B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102144496
申请日：2013-12-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：翁志強 , WENG, CHIH CHIANG , 徐瑞美 , HSU, JUI MEI , 杜陳忠 , DU, CHEN CHUNG , 蔡陳德 , TSAI, CHEN DER
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32009 , H01J37/32348 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H05H1/2406 , H05H2001/2412

2. 实用新型

TWM498857U 靜電式氣體清淨機有权
简体标题：静电式气体清净机
公开(公告)号：TWM498857U
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW103221495
申请日：2014-12-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳建志 , CHEN, CHIEN CHIH , 張志振 , CHANG, CHIH CHEN , 蔡陳德 , TSAI, CHEN DER , 黃智勇 , HUANG, CHIH YUNG
IPC分类号： F24F3/16

3. 发明专利

TW201418515A 具氣幕之氣體噴灑裝置及其薄膜沉積裝置审中-公开
简体标题：具气幕之气体喷洒设备及其薄膜沉积设备
公开(公告)号：TW201418515A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW101140760
申请日：2012-11-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：王慶鈞 , WANG, CHING CHIUN , 黃智勇 , HUANG, CHIH YUNG , 林龔樑 , LIN, KUNG LIANG , 簡榮禎 , CHIEN, JUNG CHEN , 蔡陳德 , TSAI, CHEN DER , 陳建志 , CHEN, CHIEN CHIH
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45519
摘要：一種具氣幕之氣體噴灑裝置，包括一第一噴灑單元以及一第二噴灑單元。該第一噴灑單元提供噴灑一反應氣體以形成一製程氣體區。該第二噴灑單元環設於該第一噴灑單元周圍，該第二噴灑單元具有一緩衝氣供應腔與一板體。該緩衝氣供應腔提供一緩衝氣體。該板體環設於該第一噴灑單元周圍，且具有複數個通孔，以提供該緩衝氣體通過產生包圍在該反應氣體外圍之一氣幕。利用該具氣幕之氣體噴灑裝置，在另一實施例中，本發明更提供一種薄膜沉積裝置，透過該氣幕避免真空負壓對反應氣體直接影響，以延長反應氣體滯留時間，而提高氣體使用率與鍍膜效率。
简体摘要：一种具气幕之气体喷洒设备，包括一第一喷洒单元以及一第二喷洒单元。该第一喷洒单元提供喷洒一反应气体以形成一制程气体区。该第二喷洒单元环设于该第一喷洒单元周围，该第二喷洒单元具有一缓冲气供应腔与一板体。该缓冲气供应腔提供一缓冲气体。该板体环设于该第一喷洒单元周围，且具有复数个通孔，以提供该缓冲气体通过产生包围在该反应气体外围之一气幕。利用该具气幕之气体喷洒设备，在另一实施例中，本发明更提供一种薄膜沉积设备，透过该气幕避免真空负压对反应气体直接影响，以延长反应气体滞留时间，而提高气体使用率与镀膜效率。

4. 实用新型

TWM430479U 氣體噴灑頭 GAS SHOWERHEAD 有权
简体标题：气体喷洒头 GAS SHOWERHEAD
公开(公告)号：TWM430479U
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100224937
申请日：2011-12-29
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：陳建志 , 王慶鈞 , 黃智勇 , 簡榮禎 , 蔡陳德 , 林龔樑
IPC分类号： C23C
摘要：一種氣體噴灑頭，至少包括一噴灑頭主體，其特徵在於：噴灑頭主體具有一氣體作用表面及多個進氣孔，進氣孔是沿氣體作用表面上的兩垂直方向呈45度角對稱分布，且進氣孔總個數在980個～1050個之間。部份進氣孔的位置被多個觀察孔取代，且該些觀察孔呈直線排列。
简体摘要：一种气体喷洒头，至少包括一喷洒头主体，其特征在于：喷洒头主体具有一气体作用表面及多个进气孔，进气孔是沿气体作用表面上的两垂直方向呈45度角对称分布，且进气孔总个数在980个～1050个之间。部份进气孔的位置被多个观察孔取代，且该些观察孔呈直线排列。

5. 实用新型

TWM430478U 氣體噴灑模組 GAS SHOWER MODULE 有权
简体标题：气体喷洒模块 GAS SHOWER MODULE
公开(公告)号：TWM430478U
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100224936
申请日：2011-12-29
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：王慶鈞 , 黃智勇 , 陳建志 , 簡榮禎 , 蔡陳德 , 林龔樑
IPC分类号： C23C
摘要：一種氣體噴灑模組，包括噴灑頭主體、供氣板、氣體分佈板以及氣體噴灑板。噴灑頭主體具有氣體噴灑面和與其相對的進氣面。供氣板設於進氣面，具有至少一第一氣孔。氣體分佈板設於氣體噴灑面與進氣面之間的噴灑頭主體內，具有多個第二氣孔。氣體噴灑板設於氣體噴灑面，具有多個第三氣孔。供氣板與氣體分佈板之間距、氣體分佈板與氣體噴灑板之間距介於7～9mm。第一氣孔與第二氣孔數量之比例、第二氣孔與第三氣孔數量之比例介於1:4～1:100。第二氣孔的數量介於900個～1050個。第二氣孔是沿氣體分佈板之表面上的兩垂直方向呈45度角對稱分布。
简体摘要：一种气体喷洒模块，包括喷洒头主体、供气板、气体分布板以及气体喷洒板。喷洒头主体具有气体喷洒面和与其相对的进气面。供气板设于进气面，具有至少一第一气孔。气体分布板设于气体喷洒面与进气面之间的喷洒头主体内，具有多个第二气孔。气体喷洒板设于气体喷洒面，具有多个第三气孔。供气板与气体分布板之间距、气体分布板与气体喷洒板之间距介于7～9mm。第一气孔与第二气孔数量之比例、第二气孔与第三气孔数量之比例介于1:4～1:100。第二气孔的数量介于900个～1050个。第二气孔是沿气体分布板之表面上的两垂直方向呈45度角对称分布。

6. 实用新型

TWM430477U 氣體噴灑頭 GAS SHOWERHEAD 有权
简体标题：气体喷洒头 GAS SHOWERHEAD
公开(公告)号：TWM430477U
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100224935
申请日：2011-12-29
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：黃智勇 , 陳建志 , 王慶鈞 , 簡榮禎 , 蔡陳德 , 林龔樑
IPC分类号： C23C
摘要：一種氣體噴灑頭，包括一噴灑頭主體，其特徵在於：噴灑頭主體具有氣體作用表面與位於氣體作用表面上的多個進氣孔，其中各進氣孔包括一第一進氣道與開設於第一進氣道周圍的至少一第二進氣道，且第一進氣道的進氣面積與第二進氣道的進氣面積之比例在1:1.5～1:2.5之間。在進氣孔的進氣方向上，第一進氣道的長度比第二進氣道的長度多0.5 mm～1.5 mm。
简体摘要：一种气体喷洒头，包括一喷洒头主体，其特征在于：喷洒头主体具有气体作用表面与位于气体作用表面上的多个进气孔，其中各进气孔包括一第一进气道与开设于第一进气道周围的至少一第二进气道，且第一进气道的进气面积与第二进气道的进气面积之比例在1:1.5～1:2.5之间。在进气孔的进气方向上，第一进气道的长度比第二进气道的长度多0.5 mm～1.5 mm。

7. 发明专利

TW201026161A 大氣電漿大幅寬處理裝置 WIDE AREA ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA JET APPARATUS 审中-公开
简体标题：大气等离子大幅宽处理设备 WIDE AREA ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA JET APPARATUS
公开(公告)号：TW201026161A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW097151854
申请日：2008-12-31
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：蔡陳德 , 許文通 , 吳清吉 , 陳志瑋
IPC分类号： B08B , H05H
CPC分类号： H05H1/44
摘要：一種大氣電漿大幅寬處理裝置,包括一傳動機構、一電漿源外罩與二個電漿產生器。傳動機構包括一旋轉輸出端,其中,此旋轉輸出端具有一中心軸。電漿源外罩具有一開口,其中,旋轉輸出端相對該開口設置。電漿源外罩更具有一進氣孔,進氣孔係鄰近旋轉輸出端,並從該電漿源外罩之一外壁面貫穿至電漿源外罩之內部,氣體係藉由進氣孔與開口以於電漿源外罩之內外循環流動,藉此可將電漿源外罩之熱量散逸到外部。電漿產生器設置在電漿源外罩中,並連接旋轉輸出端。電漿產生器具有一電漿噴嘴係位在開口處,此外,電漿產生器相對中心軸係向外傾斜一角度。當旋轉輸出端帶動電漿產生器轉動時,電漿產生器之電漿噴束係斜向從電漿噴嘴離開,進而加大電漿處理之面積。
简体摘要：一种大气等离子大幅宽处理设备,包括一传动机构、一等离子源外罩与二个等离子产生器。传动机构包括一旋转输出端,其中,此旋转输出端具有一中心轴。等离子源外罩具有一开口,其中,旋转输出端相对该开口设置。等离子源外罩更具有一进气孔,进气孔系邻近旋转输出端,并从该等离子源外罩之一外壁面贯穿至等离子源外罩之内部,气体系借由进气孔与开口以于等离子源外罩之内外循环流动,借此可将等离子源外罩之热量散逸到外部。等离子产生器设置在等离子源外罩中,并连接旋转输出端。等离子产生器具有一等离子喷嘴系位在开口处,此外,等离子产生器相对中心轴系向外倾斜一角度。当旋转输出端带动等离子产生器转动时,等离子产生器之等离子喷束系斜向从等离子喷嘴离开,进而加大等离子处理之面积。

8. 发明专利

TW201018322A 電漿系統 PLASMA SYSTEM 审中-公开
简体标题：等离子系统 PLASMA SYSTEM
公开(公告)号：TW201018322A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW097140202
申请日：2008-10-20
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：劉志宏 , 蔡陳德 , 蘇濬賢 , 許文通 , 蔡禎輝 , 黃駿
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H05H1/2406 , H05H2001/2456
摘要：一種電漿系統，用以產生一電漿。電漿系統包括一管體、一正電極及一負電極。管體具有一電漿噴口、一第一端面及一第二端面。電漿噴口係貫穿管體之管壁，用以讓電漿通過以噴出至管體外。正電極具有一正電極側面，正電極側面係面對且鄰近於管體。負電極係與正電極相距一第一預設距離。負電極具有一負電極側面。負電極側面係面對且鄰近於管體。其中，第一正電極及第一負電極係位於第一端面與第二端面之間，而部份之電漿噴口係位於正電極與負電極之間。
简体摘要：一种等离子系统，用以产生一等离子。等离子系统包括一管体、一正电极及一负电极。管体具有一等离子喷口、一第一端面及一第二端面。等离子喷口系贯穿管体之管壁，用以让等离子通过以喷出至管体外。正电极具有一正电极侧面，正电极侧面系面对且邻近于管体。负电极系与正电极相距一第一默认距离。负电极具有一负电极侧面。负电极侧面系面对且邻近于管体。其中，第一正电极及第一负电极系位于第一端面与第二端面之间，而部份之等离子喷口系位于正电极与负电极之间。

9. 发明专利

TW201815232A 電漿系統审中-公开
简体标题：等离子系统
公开(公告)号：TW201815232A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105132096
申请日：2016-10-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：徐瑞美 , HSU, JUI MEI , 蔡陳德 , TSAI, CHEN DER , 翁志強 , WENG, CHIH CHIANG
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3277 , H01J37/3244 , H01J37/32541 , H01J2237/20221 , H01J2237/332
摘要：一種電漿系統，包括相對配置之第一電極結構與第二電極結構，且第一電極結構與第二電極結構間相隔一間距；傳輸裝置用以傳輸一基材進入並通過間距，且基材不接觸第一電極結構或第二電極結構；第一氣體導入裝置鄰近於第一電極結構，第一氣體導入裝置係由複數個氣體導入區所組成，每一氣體導入區包含一氣體入口部與一氣體出口部，氣體出口部係面對並連通於第一電極結構；第二氣體導入裝置鄰近於第二電極結構；基材為非導體，第一電極結構係連接於一電源產生裝置，第二電極結構接地，電源產生裝置激發導入間距內之工作氣體而在基材的兩面同步產生電漿。
简体摘要：一种等离子系统，包括相对配置之第一电极结构与第二电极结构，且第一电极结构与第二电极结构间相隔一间距；传输设备用以传输一基材进入并通过间距，且基材不接触第一电极结构或第二电极结构；第一气体导入设备邻近于第一电极结构，第一气体导入设备系由复数个气体导入区所组成，每一气体导入区包含一气体入口部与一气体出口部，气体出口部系面对并连通于第一电极结构；第二气体导入设备邻近于第二电极结构；基材为非导体，第一电极结构系连接于一电源产生设备，第二电极结构接地，电源产生设备激发导入间距内之工作气体而在基材的两面同步产生等离子。

10. 发明专利

TWI572831B 靜電式氣體清淨機有权
简体标题：静电式气体清净机
公开(公告)号：TWI572831B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104111497
申请日：2015-04-09
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳建志 , CHEN, CHIEN CHIH , 張志振 , CHANG, CHIH CHEN , 蔡陳德 , TSAI, CHEN DER , 黃智勇 , HUANG, CHIH YUNG
IPC分类号： F24F3/16 , B03C3/40
CPC分类号： B03C3/47 , B03C3/12 , B03C3/366 , B03C3/368 , B03C3/41 , B03C3/49 , B03C2201/06 , B03C2201/10

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式