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1. 发明专利

TW201303953A 帶電粒子束繪圖設備及物品製造方法审中-公开
简体标题：带电粒子束绘图设备及物品制造方法
公开(公告)号：TW201303953A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101123886
申请日：2012-07-03
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：石川智規 , ISHIKAWA, TOMONORI , 是永伸茂 , KORENAGA, NOBUSHIGE
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/20 , H01J37/09
CPC分类号： H01J37/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/3177 , H01J2237/0264 , H01J2237/20221
摘要：本發明之繪圖設備包含：光學系統殼體，係配置成朝基板發射帶電粒子束；載台，係配置來保持基板並至少沿垂直於光學系統殼體之軸線的方向移動；偵測裝置，係包含偵測器及支撐件，該支撐件用以支撐偵測器，使偵測器面對載台之側表面，並配置來測量載台之位置；以及磁屏蔽構件，係設置至載台，並配置來屏蔽面對載台頂部表面之光學系統殼體之開口，以免磁場干擾。在此，該磁屏蔽構件沿軸線方向設置於載台之偵測區域，該區域異於偵測裝置設置區域。
简体摘要：本发明之绘图设备包含：光学系统壳体，系配置成朝基板发射带电粒子束；载台，系配置来保持基板并至少沿垂直于光学系统壳体之轴线的方向移动；侦测设备，系包含侦测器及支撑件，该支撑件用以支撑侦测器，使侦测器面对载台之侧表面，并配置来测量载台之位置；以及磁屏蔽构件，系设置至载台，并配置来屏蔽面对载台顶部表面之光学系统壳体之开口，以免磁场干扰。在此，该磁屏蔽构件沿轴线方向设置于载台之侦测区域，该区域异于侦测设备设置区域。

2. 发明专利

TW200411709A 掃描式電子顯微鏡組件及其使用方法 Scanning electron microscope assembly and method for using same 审中-公开
简体标题：扫描式电子显微镜组件及其使用方法 Scanning electron microscope assembly and method for using same
公开(公告)号：TW200411709A
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：TW091136797
申请日：2002-12-20
申请人： FEI公司 FEI COMPANY
发明人：瑪利紐斯約瑟芬斯賈寇巴斯多納 MARINUS JOSEPHUS JAKOBUS DONA , 貞瑪特貞克朗斯 JAN MARTIJN KRANS , 史傑洛安東紐斯瑪利亞曼堤克 SJOERD ANTONIUS MARIA MENTINK , 鮑伯索米仁 BOB SOMEREN , 湯瑪斯史戴芬 THOMAS STEFFEN , 尼爾斯迪瓊吉 NIELS DE JONGE , 巴特布傑希 BART BUIJSSE
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/18 , F16C32/06 , F16C32/0603 , F16C2300/62 , H01J2237/162 , H01J2237/2005 , H01J2237/20221
摘要：本發明提供一種掃描式電子顯微鏡與氣式承載8的組件，其包括一配備具有彈性連接線10之操控臂9的小型掃描式電子顯微鏡及該氣式承載。該氣式承載配備真空抽吸導管13，用以維持該氣式承載與欲被檢查或欲被處理的樣本7間的真空狀態。該組件可配合電子束記錄器、樣本製備機台、或研磨機等來使用，用以進行金屬表面完整性檢查、塗佈中之小裂痕檢查以及類似的檢查；同時亦可用於供作生物樣品研究使用。
简体摘要：本发明提供一种扫描式电子显微镜与气式承载8的组件，其包括一配备具有弹性连接线10之操控臂9的小型扫描式电子显微镜及该气式承载。该气式承载配备真空抽吸导管13，用以维持该气式承载与欲被检查或欲被处理的样本7间的真空状态。该组件可配合电子束记录器、样本制备机台、或研磨机等来使用，用以进行金属表面完整性检查、涂布中之小裂痕检查以及类似的检查；同时亦可用于供作生物样品研究使用。

3. 发明专利

TWI363363B 使用條狀和點狀離子束之離子植入裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR ION BEAM IMPLANTATION USING RIBBON AND SPOT BEAMS 有权
简体标题：使用条状和点状离子束之离子植入设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR ION BEAM IMPLANTATION USING RIBBON AND SPOT BEAMS
公开(公告)号：TWI363363B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW096121211
申请日：2007-06-12
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：陳炯
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/1472 , H01J2237/04756 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/1503 , H01J2237/201 , H01J2237/20221 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
摘要：一種離子植入裝置其係揭露具有多段操作模式，離子植入裝置具有離子源及離子分析裝置以汲取出帶狀離子束。離子植入裝置包含磁體分析裝置以選擇具有特定質譜分析比的離子通過一質量狹縫以投射於基材上，多極透鏡提供控制離子束均勻度及對準性。本發明揭露兩個路徑的離子束，而其第二個路徑整合一可過濾能量的減速或加速系統。最後植入的方法係揭露對靶材的一維掃瞄轉換至二維掃瞄的植入模式。
简体摘要：一种离子植入设备其系揭露具有多段操作模式，离子植入设备具有离子源及离子分析设备以汲取出带状离子束。离子植入设备包含磁体分析设备以选择具有特定质谱分析比的离子通过一质量狭缝以投射于基材上，多极透镜提供控制离子束均匀度及对准性。本发明揭露两个路径的离子束，而其第二个路径集成一可过滤能量的减速或加速系统。最后植入的方法系揭露对靶材的一维扫瞄转换至二维扫瞄的植入模式。

4. 发明专利

TW201034101A 晶圓離子佈值機之移動模組 MOVING MODULE OF AN ION IMPLANT MACHINE FOR WAFERS 审中-公开
简体标题：晶圆离子布值机之移动模块 MOVING MODULE OF AN ION IMPLANT MACHINE FOR WAFERS
公开(公告)号：TW201034101A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098106635
申请日：2009-03-02
申请人：華亞科技股份有限公司
发明人：林廷威
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/023 , H01J37/20 , H01J2237/0216 , H01J2237/20221 , H01J2237/20257
摘要：一種晶圓離子佈值機之移動模組，包括一晶圓承載座、一移動軸體、一底座、一對第一磁鐵、一固定板體以及複數個第二磁鐵，該晶圓承載座之一端樞接有一晶圓承載盤，該晶圓承載座之另一端固定於該移動軸體之一端，該底座固定於該移動軸體之另一端，該移動軸體用以帶動該晶圓承載座以及底座作縱向移動，該對第一磁鐵固定於該底座，該固定板體位於該對第一磁鐵之間，該些第二磁鐵固定於該固定板體之表面且與該對第一磁鐵之間維持互斥的磁力；藉此，避免了第一磁鐵與固定板體的摩擦，提升了晶圓的良率。
简体摘要：一种晶圆离子布值机之移动模块，包括一晶圆承载座、一移动轴体、一底座、一对第一磁铁、一固定板体以及复数个第二磁铁，该晶圆承载座之一端枢接有一晶圆承载盘，该晶圆承载座之另一端固定于该移动轴体之一端，该底座固定于该移动轴体之另一端，该移动轴体用以带动该晶圆承载座以及底座作纵向移动，该对第一磁铁固定于该底座，该固定板体位于该对第一磁铁之间，该些第二磁铁固定于该固定板体之表面且与该对第一磁铁之间维持互斥的磁力；借此，避免了第一磁铁与固定板体的摩擦，提升了晶圆的良率。

5. 发明专利

TW200807478A 使用條狀和點狀離子束之離子植入裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR ION BEAM IMPLANTATION USING RIBBON AND SPOT BEAMS 审中-公开
简体标题：使用条状和点状离子束之离子植入设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR ION BEAM IMPLANTATION USING RIBBON AND SPOT BEAMS
公开(公告)号：TW200807478A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096121211
申请日：2007-06-12
申请人：漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：陳炯 CHEN, JIONG
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/1472 , H01J2237/04756 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/1503 , H01J2237/201 , H01J2237/20221 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
摘要：一種離子植入裝置其係揭露具有多段操作模式,離子植入裝置具有離子源及離子分析裝置以汲取出帶狀離子束。離子植入裝置包含磁體分析裝置以選擇具有特定質譜分析比的離子通過一質量狹縫以投射於基材上,多極透鏡提供控制離子束均勻度及對準性。本發明揭露兩個路徑的離子束,而其第二個路徑整合一可過濾能量的減速或加速系統。最後植入的方法係揭露對靶材的一維掃瞄轉換至二維掃瞄的植入模式。
简体摘要：一种离子植入设备其系揭露具有多段操作模式,离子植入设备具有离子源及离子分析设备以汲取出带状离子束。离子植入设备包含磁体分析设备以选择具有特定质谱分析比的离子通过一质量狭缝以投射于基材上,多极透镜提供控制离子束均匀度及对准性。本发明揭露两个路径的离子束,而其第二个路径集成一可过滤能量的减速或加速系统。最后植入的方法系揭露对靶材的一维扫瞄转换至二维扫瞄的植入模式。

6. 发明专利

TWI524461B 離子束照射裝置有权
简体标题：离子束照射设备
公开(公告)号：TWI524461B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102104738
申请日：2013-02-07
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：山本良明 , YAMAMOTO, YOSHIAKI , 金永杜 , KIM, YOUNG-DOO , 帯施與司德 , OBISE, YOSHINORI , 岡山智彥 , OKAYAMA, SATOHIRO
IPC分类号： H01L21/68 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01J2237/20221 , H01J2237/20292 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67259 , H01L21/67712 , H01L21/6776

7. 发明专利

TW201336013A 離子束照射裝置审中-公开
简体标题：离子束照射设备
公开(公告)号：TW201336013A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102104738
申请日：2013-02-07
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：山本良明 , YAMAMOTO, YOSHIAKI , 金永杜 , KIM, YOUNG-DOO , 帯施與司德 , OBISE, YOSHINORI , 岡山智彥 , OKAYAMA, SATOHIRO
IPC分类号： H01L21/68 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01J2237/20221 , H01J2237/20292 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67259 , H01L21/67712 , H01L21/6776
摘要：本發明之離子束照射裝置(10)具備：真空槽(14)，其係收容保持基板(S)之搬運托盤(T)；搬運部，其係於真空槽(14)內，在搬運方向搬運搬運托盤(T)；離子束照射部(21L,21U)，其係在真空槽(14)內之指定的照射位置照射離子束；及位置檢測部(23A~23D)，其係檢測搬運托盤(T)之位置。位置檢測部(23A~23D)通過搬運托盤(T)之搬運，在指定之拍攝位置拍攝顯示搬運托盤(T)中之部位，並排列於搬運方向之相互不同的各個複數個指標，依據該拍攝之指標，檢測搬運托盤(T)對拍攝位置之位置。
简体摘要：本发明之离子束照射设备(10)具备：真空槽(14)，其系收容保持基板(S)之搬运托盘(T)；搬运部，其系于真空槽(14)内，在搬运方向搬运搬运托盘(T)；离子束照射部(21L,21U)，其系在真空槽(14)内之指定的照射位置照射离子束；及位置检测部(23A~23D)，其系检测搬运托盘(T)之位置。位置检测部(23A~23D)通过搬运托盘(T)之搬运，在指定之拍摄位置拍摄显示搬运托盘(T)中之部位，并排列于搬运方向之相互不同的各个复数个指针，依据该拍摄之指针，检测搬运托盘(T)对拍摄位置之位置。

8. 发明专利

TWI295829B 可移動元件之多向性掃描及其離子束監測配置 MULTI-DIRECTIONAL SCANNING OF MOVABLE MEMBER AND ION BEAM MONITORING ARRANGEMENT THEREFOR 失效
简体标题：可移动组件之多向性扫描及其离子束监测配置 MULTI-DIRECTIONAL SCANNING OF MOVABLE MEMBER AND ION BEAM MONITORING ARRANGEMENT THEREFOR
公开(公告)号：TWI295829B
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：TW092108270
申请日：2003-04-10
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薩咯德H. 史密克 THEODORE H. SMICK , 阪瀨隆夫 TAKAO SAKASE , 法蘭克D. 羅伯茲 FRANK D. ROBERTS , 傑佛瑞萊汀 GEOFFREY RYDING , 馬閔法雷 MARVIN FARLEY , 愛德利恩繆瑞爾 ADRIAN MURRELL , 彼得愛德華 PETER EDWARDS , 伯納德哈里遜 BERNARD HARRISON
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J2237/20 , H01J2237/2006 , H01J2237/2007 , H01J2237/20221 , H01J2237/20228 , H01J2237/20278 , H01L21/682 , H01L21/6835
摘要：本發明所揭露之半導體製程設備，係於至少兩大致垂直方向(稱為X-Y掃描)提供一基板或基板支撐件180之一掃描手臂60的移動。在一第一方向內之掃描係縱向地通經一真空處理室牆內之一孔55。手臂60係藉由一或多者線性馬達90A與90B加以往復運動。該手臂60相對於一滑座100使用平衡環空氣軸承加以支撐，以相對於滑座100為手臂提供懸樑臂支撐。一彈性進料通道130進入用於手臂60之真空處理室，而後係可作為一真空密封與導引件，但其自身不需提供軸承支撐。一法拉第450貼附至鄰近於該基板支撐件180之手臂60，以在離子植入之前與期間執行離子束分佈模式測定(beam profiling)。法拉第450以基板支撐件背向地或水平地遠離離子束，替代地或額外地於鄰近基板支撐件之後表面或與其呈90°之角度加以架設，以在離子植入之前與期間完成離子束成形。
简体摘要：本发明所揭露之半导体制程设备，系于至少两大致垂直方向(称为X-Y扫描)提供一基板或基板支撑件180之一扫描手臂60的移动。在一第一方向内之扫描系纵向地通经一真空处理室墙内之一孔55。手臂60系借由一或多者线性马达90A与90B加以往复运动。该手臂60相对于一滑座100使用平衡环空气轴承加以支撑，以相对于滑座100为手臂提供悬梁臂支撑。一弹性进料信道130进入用于手臂60之真空处理室，而后系可作为一真空密封与导引件，但其自身不需提供轴承支撑。一法拉第450贴附至邻近于该基板支撑件180之手臂60，以在离子植入之前与期间运行离子束分布模式测定(beam profiling)。法拉第450以基板支撑件背向地或水平地远离离子束，替代地或额外地于邻近基板支撑件之后表面或与其呈90°之角度加以架设，以在离子植入之前与期间完成离子束成形。

9. 发明专利

TW200705507A 離子束照射裝置 ION BEAM IRRADIATION APPARATUS 失效
简体标题：离子束照射设备 ION BEAM IRRADIATION APPARATUS
公开(公告)号：TW200705507A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW095116679
申请日：2006-05-11
申请人：日新意旺機器股份有限公司 NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD.
发明人：中矢良 MAKOTO NAKAYA
IPC分类号： H01J , H01L
CPC分类号： H01L21/68764 , H01J2237/20207 , H01J2237/20221 , H01J2237/31701 , H01L21/265 , H01L21/67005 , H01L21/68
摘要：彼此正交於一點的三軸,分別取作為X軸、Y軸及Z軸。照射角設定馬達固定固定架,經由以平行於X軸之中軸為中心,旋轉該固定架來設定離子束的照射角��。Y軸線性馬達使固定架和照射角設定馬達於Y軸方向升降。Z軸線性馬達於Z軸方向移動固定架、照射角設定馬達及Y軸線性馬達。控制單元工作同步控制Y軸線性馬達和Z軸線性馬達,讓固定架的基板固定面沿平行於基板固定面而正交於X軸的S軸往復且線性掃描。
简体摘要：彼此正交于一点的三轴,分别取作为X轴、Y轴及Z轴。照射角设置马达固定固定架,经由以平行于X轴之中轴为中心,旋转该固定架来设置离子束的照射角��。Y轴线性马达使固定架和照射角设置马达于Y轴方向升降。Z轴线性马达于Z轴方向移动固定架、照射角设置马达及Y轴线性马达。控制单元工作同步控制Y轴线性马达和Z轴线性马达,让固定架的基板固定面沿平行于基板固定面而正交于X轴的S轴往复且线性扫描。

10. 发明专利

TW201815232A 電漿系統审中-公开
简体标题：等离子系统
公开(公告)号：TW201815232A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105132096
申请日：2016-10-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：徐瑞美 , HSU, JUI MEI , 蔡陳德 , TSAI, CHEN DER , 翁志強 , WENG, CHIH CHIANG
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3277 , H01J37/3244 , H01J37/32541 , H01J2237/20221 , H01J2237/332
摘要：一種電漿系統，包括相對配置之第一電極結構與第二電極結構，且第一電極結構與第二電極結構間相隔一間距；傳輸裝置用以傳輸一基材進入並通過間距，且基材不接觸第一電極結構或第二電極結構；第一氣體導入裝置鄰近於第一電極結構，第一氣體導入裝置係由複數個氣體導入區所組成，每一氣體導入區包含一氣體入口部與一氣體出口部，氣體出口部係面對並連通於第一電極結構；第二氣體導入裝置鄰近於第二電極結構；基材為非導體，第一電極結構係連接於一電源產生裝置，第二電極結構接地，電源產生裝置激發導入間距內之工作氣體而在基材的兩面同步產生電漿。
简体摘要：一种等离子系统，包括相对配置之第一电极结构与第二电极结构，且第一电极结构与第二电极结构间相隔一间距；传输设备用以传输一基材进入并通过间距，且基材不接触第一电极结构或第二电极结构；第一气体导入设备邻近于第一电极结构，第一气体导入设备系由复数个气体导入区所组成，每一气体导入区包含一气体入口部与一气体出口部，气体出口部系面对并连通于第一电极结构；第二气体导入设备邻近于第二电极结构；基材为非导体，第一电极结构系连接于一电源产生设备，第二电极结构接地，电源产生设备激发导入间距内之工作气体而在基材的两面同步产生等离子。

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