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1. 发明专利

TWI700399B 電解液輸送及產生設備有权
简体标题：电解液输送及产生设备
公开(公告)号：TWI700399B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105116202
申请日：2016-05-25
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 卡恩斯貴格瑞 , KEARNS, GREGORY , 亞伯拉罕理查 G , ABRAHAM, RICHARD G. , 奧索夫斯基勞倫斯 , OSSOWSKI, LAWRENCE
IPC分类号： C25D3/02

2. 发明专利

TW201920778A 電鍍期間用於流動隔離與集中的方法及設備审中-公开
简体标题：电镀期间用于流动隔离与集中的方法及设备
公开(公告)号：TW201920778A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128924
申请日：2018-08-20
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：尼克二世史帝芬 J , BANIK II, STEPHEN J. , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 伯克亞倫 , BERKE, AARON , 福特納詹姆士艾薩克 , FORTNER, JAMES ISAAC , 奥伯斯特賈斯汀 , OBERST, JUSTIN , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT
IPC分类号： C25D17/06 , C25D17/12 , C25D21/14
摘要：此處所述各種實施例關於方法和設備，用於將材料電鍍至半導體基板上。在一些實例中，可設置一或多個隔膜與一離子電阻元件接觸，以在電鍍期間將電解液從一橫向流歧管向後通過該離子電阻元件而進入一離子電阻元件歧管的程度最小化。該隔膜可加以設計以在一些實施例中使電解液以所欲方式擇路。在這些或其他實例中，在該離子電阻元件歧管中可設置一或多個擋板，以將電解液藉由向後流動通過離子電阻元件且在離子電阻元件歧管內橫跨電鍍槽而能夠繞過橫向流歧管的程度降低。這些技術可用以改善電鍍結果的均勻性。
简体摘要：此处所述各种实施例关于方法和设备，用于将材料电镀至半导体基板上。在一些实例中，可设置一或多个隔膜与一离子电阻组件接触，以在电镀期间将电解液从一横向流歧管向后通过该离子电阻组件而进入一离子电阻组件歧管的程度最小化。该隔膜可加以设计以在一些实施例中使电解液以所欲方式择路。在这些或其他实例中，在该离子电阻组件歧管中可设置一或多个挡板，以将电解液借由向后流动通过离子电阻组件且在离子电阻组件歧管内横跨电镀槽而能够绕过横向流歧管的程度降低。这些技术可用以改善电镀结果的均匀性。

3. 发明专利

TW201710568A 藉由使用具有隨空間而設計的電阻之離子電阻性離子可滲透性元件的金屬之電沉積設備及方法审中-公开
简体标题：借由使用具有随空间而设计的电阻之离子电阻性离子可渗透性组件的金属之电沉积设备及方法
公开(公告)号：TW201710568A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105114493
申请日：2016-05-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡嘎吉瓦拉布爾漢丁 , KAGAJWALA, BURHANUDDIN , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG , 伯克亞倫 , BERKE, AARON , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T.
IPC分类号： C25D17/00 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02002 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/007 , C25D17/008 , H01L21/2885
摘要：在一態樣中，用以將金屬電鍍在半導體基板上同時改善鍍覆均勻性的設備包括:一鍍覆腔室，配置以容納電解液及陽極；一基板固持器，配置以固持半導體基板；以及一離子電阻性離子可通透性元件，其包含實質上平面的面基板表面及對側表面；其中該元件允許離子電流在電鍍期間朝該基板流動；且其中該元件包含具有變化局部電阻的區域。在一範例中，透過改變該元件之厚度來改變該元件之電阻。在一些範例中，該元件的厚度在徑向方向上從該元件的邊緣到該元件的中央逐漸地減小。所提供之設備與方法尤其有用於將金屬電鍍在WLP之凹陷特徵部中。
简体摘要：在一态样中，用以将金属电镀在半导体基板上同时改善镀覆均匀性的设备包括:一镀覆腔室，配置以容纳电解液及阳极；一基板固持器，配置以固持半导体基板；以及一离子电阻性离子可通透性组件，其包含实质上平面的面基板表面及对侧表面；其中该组件允许离子电流在电镀期间朝该基板流动；且其中该组件包含具有变化局部电阻的区域。在一范例中，透过改变该组件之厚度来改变该组件之电阻。在一些范例中，该组件的厚度在径向方向上从该组件的边缘到该组件的中央逐渐地减小。所提供之设备与方法尤其有用于将金属电镀在WLP之凹陷特征部中。

4. 发明专利

TW201710563A 電解液輸送及產生設備审中-公开
简体标题：电解液输送及产生设备
公开(公告)号：TW201710563A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105116202
申请日：2016-05-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 卡恩斯貴格瑞 , KEARNS, GREGORY , 亞伯拉罕理查 G , ABRAHAM, RICHARD G. , 奧索夫斯基勞倫斯 , OSSOWSKI, LAWRENCE
IPC分类号： C25D3/02
CPC分类号： C25D21/18 , C25B1/00 , C25B15/02 , C25B15/08 , C25D3/30
摘要：用以自動產生含金屬電解液(例如含Sn2+ 離子與酸的電解液)的設備包括:陽極液腔室，配置以容納活性陽極(例如金屬錫陽極)、陽極液、及量測陽極液中錫離子濃度的感測器(一或多個感測器)；陰極液腔室，配置以容納氫產生陰極及陰極液；以及控制器，具有程式指令，用以處理來自感測器的資料並在該陽極液腔室中自動產生金屬離子在目標濃度範圍內的電解液。在一些實施例中，設備與電鍍設備交流，且能夠應需求將產生的電解液輸送到電鍍設備。在一些實施例中，密度計與導電度計一起用作為感測器，且該設備配置以產生含酸的少量α錫電解液。
简体摘要：用以自动产生含金属电解液(例如含Sn2+ 离子与酸的电解液)的设备包括:阳极液腔室，配置以容纳活性阳极(例如金属锡阳极)、阳极液、及量测阳极液中锡离子浓度的传感器(一或多个传感器)；阴极液腔室，配置以容纳氢产生阴极及阴极液；以及控制器，具有进程指令，用以处理来自传感器的数据并在该阳极液腔室中自动产生金属离子在目标浓度范围内的电解液。在一些实施例中，设备与电镀设备交流，且能够应需求将产生的电解液输送到电镀设备。在一些实施例中，密度计与导电度计一起用作为传感器，且该设备配置以产生含酸的少量α锡电解液。

5. 发明专利

TWI606151B 使用完全浸入的無空氣回授流控制閥之水泡與泡沫溶液有权
简体标题：使用完全浸入的无空气回授流控制阀之水泡与泡沫溶液
公开(公告)号：TWI606151B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW102145643
申请日：2013-12-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：亞伯拉罕理查 , ABRAHAM, RICHARD , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 波特大衛 , PORTER, DAVID , 邁爾史蒂芬T , MAYER, STEVEN T. , 奧斯多斯基約翰 , OSTROWSKI, JOHN
IPC分类号： C25D21/12
CPC分类号： C25D21/04 , C25D5/08 , C25D17/00 , C25D17/001 , C25D17/008 , C25D21/12 , G01F23/14 , G01F23/263 , G01F23/296

6. 发明专利

TW201715094A 電鍍中之方位角均勻性的調變設備及方法审中-公开
简体标题：电镀中之方位角均匀性的调制设备及方法
公开(公告)号：TW201715094A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105117111
申请日：2016-06-01
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：格雷厄姆加百利孩 , GRAHAM, GABRIEL HAY , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 伯克亞倫 , BERKE, AARON
IPC分类号： C25D17/00 , C25D5/02 , C25D7/12 , C25D21/12
CPC分类号： C25D17/001 , C25D17/008
摘要：在一態樣中，用以在半導體基板上電鍍金屬同時改善方位角均勻性的設備包括:鍍覆腔室，配置以容納電解液及陽極；基板固持器，配置以固持半導體基板；以及離子電阻性離子可通透性元件(「元件」)，經配置成鄰近基板而設置；及屏蔽件，配置以提供方位角非對稱性屏蔽，並設置在基板固持器與元件之間，使得屏蔽件的面基板表面與基板的工作表面之間的最短距離小於2mm。在一些實施例中，在電鍍期間，元件的面基板表面與屏蔽件之間存在被填充電解液的間隙。屏蔽件的面基板表面可形成輪廓，使得從屏蔽件的不同位置到基板的距離有變化。
简体摘要：在一态样中，用以在半导体基板上电镀金属同时改善方位角均匀性的设备包括:镀覆腔室，配置以容纳电解液及阳极；基板固持器，配置以固持半导体基板；以及离子电阻性离子可通透性组件(“组件”)，经配置成邻近基板而设置；及屏蔽件，配置以提供方位角非对称性屏蔽，并设置在基板固持器与组件之间，使得屏蔽件的面基板表面与基板的工作表面之间的最短距离小于2mm。在一些实施例中，在电镀期间，组件的面基板表面与屏蔽件之间存在被填充电解液的间隙。屏蔽件的面基板表面可形成轮廓，使得从屏蔽件的不同位置到基板的距离有变化。

7. 发明专利

TW201700971A 電鍍期間中監視電解液审中-公开
简体标题：电镀期间中监视电解液
公开(公告)号：TW201700971A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105111169
申请日：2016-04-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：索倫麥修謝爾曼 , THORUM, MATTHEW SHERMAN , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T.
IPC分类号： G01N27/42 , C23C18/31
CPC分类号： C25D21/12 , C25D17/001
摘要：本文中描述一種使用電壓讀值以監視在電鍍槽中之電鍍浴品質之方法及設備。該方法涉及在電鍍處理期間中獲得即時電壓讀值、及判定電壓讀值是否在特定時間之預期電壓讀值之閾限偏差內。
简体摘要：本文中描述一种使用电压读值以监视在电镀槽中之电镀浴品质之方法及设备。该方法涉及在电镀处理期间中获得实时电压读值、及判定电压读值是否在特定时间之预期电压读值之阈限偏差内。

8. 发明专利

TW201920946A 晶圓固持設備上電鍍之遠程偵測审中-公开
简体标题：晶圆固持设备上电镀之远程侦测
公开(公告)号：TW201920946A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107122044
申请日：2018-06-27
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：阿羅拉拉揚 , ARORA, RAJAN , 赫爾賈里德 , HERR, JARED , 馬爾凱蒂傑生丹尼爾 , MARCHETTI, JASON DANIEL , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 基布里達詹姆斯 R , ZIBRIDA, JAMES R.
IPC分类号： G01N21/95 , C25D21/12 , C25D17/00 , C25D17/06
摘要：本文說明偵測電鍍設備之基板固持件上存在或不存在不樂見之金屬沉積物的方法及設備。在許多實施例中，電鍍感測器係用以偵測不樂見之金屬沉積物。可將電鍍感測器裝設相對遠離其量測的區域(例如，感測器目標區域)。例如，電鍍感測器可在電鍍設備的一側上(在一些情況下裝設於滴液屏蔽件上)，且感測器目標區域可在電鍍設備的相對側上。以此方式，電鍍感測器可量測橫跨電鍍設備。此設置提供電鍍感測器之相對深的聚焦深度，且提供電鍍感測器與電鍍化學物之間的一些實體分離。以上兩因素皆引致較可靠的偵測結果。
简体摘要：本文说明侦测电镀设备之基板固持件上存在或不存在不乐见之金属沉积物的方法及设备。在许多实施例中，电镀传感器系用以侦测不乐见之金属沉积物。可将电镀传感器装设相对远离其量测的区域(例如，传感器目标区域)。例如，电镀传感器可在电镀设备的一侧上(在一些情况下装设于滴液屏蔽件上)，且传感器目标区域可在电镀设备的相对侧上。以此方式，电镀传感器可量测横跨电镀设备。此设置提供电镀传感器之相对深的聚焦深度，且提供电镀传感器与电镀化学物之间的一些实体分离。以上两因素皆引致较可靠的侦测结果。

9. 发明专利

TW201919150A 通遮罩互連線製造中的電氧化金屬移除审中-公开
简体标题：通遮罩互连接制造中的电氧化金属移除
公开(公告)号：TW201919150A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107125404
申请日：2018-07-24
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：索爾克森卡里 , THORKELSSON, KARI , 亞伯拉罕理查 G , ABRAHAM, RICHARD G. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T.
IPC分类号： H01L21/768 , C25D17/00 , C25D7/12
摘要：在一實施例中，一種晶圓處理方法包含將一金屬填充至複數通遮罩凹陷特徵部中俾使一第一通遮罩特徵部之一填充速率與一第二通遮罩特徵部之一填充速率之間的一比值為R1；接著藉由電化學移除金屬俾使該第一通遮罩特徵部之金屬移除速率與該第二通遮罩特徵部之金屬移除速率的一比值係大於R1，以改善填充均勻度。在某些實施例中，該方法包含以一電解液接觸一受到陽極化偏壓的基板俾使該電解液具有沿著實質上平行於該基板之工作表面之方向的橫流分量。該方法可在用以在基板表面處產生橫流的設備中進行。在某些實施例中，該方法使用不同的電化學狀態以達到均勻度的改善。
简体摘要：在一实施例中，一种晶圆处理方法包含将一金属填充至复数通遮罩凹陷特征部中俾使一第一通遮罩特征部之一填充速率与一第二通遮罩特征部之一填充速率之间的一比值为R1；接着借由电化学移除金属俾使该第一通遮罩特征部之金属移除速率与该第二通遮罩特征部之金属移除速率的一比值系大于R1，以改善填充均匀度。在某些实施例中，该方法包含以一电解液接触一受到阳极化偏压的基板俾使该电解液具有沿着实质上平行于该基板之工作表面之方向的横流分量。该方法可在用以在基板表面处产生横流的设备中进行。在某些实施例中，该方法使用不同的电化学状态以达到均匀度的改善。

10. 发明专利

TW201802468A 量測電鍍槽元件之狀態的設備與相關方法审中-公开
简体标题：量测电镀槽组件之状态的设备与相关方法
公开(公告)号：TW201802468A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106112701
申请日：2017-04-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾默生馬克 E , EMERSON, MARK E. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 奧索夫斯基勞倫斯 , OSSOWSKI, LAWRENCE
IPC分类号： G01N27/04
CPC分类号： G01R31/00 , C25D17/00 , G01R31/44 , H01L22/14
摘要：一種測量在一電鍍設備內之電接觸件之電特性的裝置，其具有類似晶圓的一盤狀結構。多個導電的墊係加以形成，以共同界定該盤狀結構的外周緣。導電的墊之相鄰配置者係彼此電隔離。該裝置包含一電流源，該電流源在一第一端子供應電流且在一第二端子汲取電流。該裝置包含測量電路，該測量電路具有第一及第二輸入端子，該測量電路基於在該第一及第二輸入端子存在的訊號判定一電參數的值。該裝置包含開關電路，該開關電路用於在一給定時間，將該等導電的墊之其中被選擇者連接至該電流源的該第一及第二端子，及連接至該測量電路的該第一及第二輸入端子。該裝置亦包含一電源供應器。
简体摘要：一种测量在一电镀设备内之电接触件之电特性的设备，其具有类似晶圆的一盘状结构。多个导电的垫系加以形成，以共同界定该盘状结构的外周缘。导电的垫之相邻配置者系彼此电隔离。该设备包含一电流源，该电流源在一第一端子供应电流且在一第二端子汲取电流。该设备包含测量电路，该测量电路具有第一及第二输入端子，该测量电路基于在该第一及第二输入端子存在的信号判定一电参数的值。该设备包含开关电路，该开关电路用于在一给定时间，将该等导电的垫之其中被选择者连接至该电流源的该第一及第二端子，及连接至该测量电路的该第一及第二输入端子。该设备亦包含一电源供应器。

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