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1. 发明专利

TWI607118B 用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極、電鍍槽及處理基板表面的方法有权
简体标题：用于电镀槽的高电阻虚拟阳极、电镀槽及处理基板表面的方法
公开(公告)号：TWI607118B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105126124
申请日：2016-08-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王柏偉 , WANG, PO WEI , 張鈞琳 , CHANG, CHUN LIN
IPC分类号： C25D17/12 , H01L21/445
CPC分类号： C25D17/12 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008

2. 发明专利

TW201718956A 用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極、電鍍槽及處理基板表面的方法审中-公开
简体标题：用于电镀槽的高电阻虚拟阳极、电镀槽及处理基板表面的方法
公开(公告)号：TW201718956A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105126124
申请日：2016-08-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王柏偉 , WANG, PO WEI , 張鈞琳 , CHANG, CHUN LIN
IPC分类号： C25D17/12 , H01L21/445
CPC分类号： C25D17/12 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/008
摘要：一種用於電鍍槽的高電阻虛擬陽極，包含第一層及第二層。第一層包含多個第一孔洞穿透第一層。第二層位於第一層上，並且包含多個第二孔洞穿透第二層。
简体摘要：一种用于电镀槽的高电阻虚拟阳极，包含第一层及第二层。第一层包含多个第一孔洞穿透第一层。第二层位于第一层上，并且包含多个第二孔洞穿透第二层。

3. 发明专利

TW201716642A 用於半導體電鍍裝置之唇形密封件與接觸元件审中-公开
简体标题：用于半导体电镀设备之唇形密封件与接触组件
公开(公告)号：TW201716642A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW106105154
申请日：2012-08-15
申请人：諾菲勒斯系統公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：風景賓 , FENG,JINGBIN , 史托維爾馬修 R , STOWELL,MARSHALL R. , 威蒙特法德瑞克 D , WILMOT,FREDERICK D.
IPC分类号： C25D7/12
CPC分类号： C25D17/005 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D17/007 , C25D17/06 , C25D17/08 , Y10T29/49778
摘要：本發明揭示用於在電鍍抓斗中使用之唇形密封件總成，該等唇形密封件總成可包括用於拒絕電鍍溶液進入半導體基板之周邊區之彈性體唇形密封件及一或多個電接觸元件。該等接觸元件可在結構上與該彈性體唇形密封件整合。該等唇形密封件總成可包括一或多個可撓性接觸元件，該一或多個可撓性接觸元件之至少一部分可保形地位於該彈性體唇形密封件之上表面上，且可經組態以撓曲並形成與該基板介接之保形接觸表面。本文中所揭示之一些彈性體唇形密封件可將基板支撐、對準並密封於抓斗中，且可包括定位於可撓性彈性體支撐邊緣上方之可撓性彈性體上部部分，該上部部分具有頂表面及內側表面，該內側表面經組態以在該頂表面被壓縮時向內移動並對準該基板。
简体摘要：本发明揭示用于在电镀抓斗中使用之唇形密封件总成，该等唇形密封件总成可包括用于拒绝电镀溶液进入半导体基板之周边区之弹性体唇形密封件及一或多个电接触组件。该等接触组件可在结构上与该弹性体唇形密封件集成。该等唇形密封件总成可包括一或多个可挠性接触组件，该一或多个可挠性接触组件之至少一部分可保形地位于该弹性体唇形密封件之上表面上，且可经组态以挠曲并形成与该基板介接之保形接触表面。本文中所揭示之一些弹性体唇形密封件可将基板支撑、对准并密封于抓斗中，且可包括定位于可挠性弹性体支撑边缘上方之可挠性弹性体上部部分，该上部部分具有顶表面及内侧表面，该内侧表面经组态以在该顶表面被压缩时向内移动并对准该基板。

4. 发明专利

TW201636458A 具有膜管屏蔽的電鍍裝置审中-公开
简体标题：具有膜管屏蔽的电镀设备
公开(公告)号：TW201636458A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105101901
申请日：2016-01-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：麥克修保羅R , MCHUGH, PAUL R. , 威爾森葛瑞格里J , WILSON, GREGORY J. , 夏維羅伊 , SHAVIV, ROEY
IPC分类号： C25D5/00
CPC分类号： C25D17/008 , C25D5/00 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/12
摘要：一電鍍裝置具有一或更多個膜管環，該一或更多個膜管環作用為電場之屏蔽，以在一工件的周圍處提供有利的鍍覆特性。該等膜管環可用具有不同的傳導性之流體充填，以如所欲地改變屏蔽效應而用於電鍍不同類型的基板。可選地，該等膜管環可提供於該裝置之容器中的一擴散體板材之中或之上。
简体摘要：一电镀设备具有一或更多个膜管环，该一或更多个膜管环作用为电场之屏蔽，以在一工件的周围处提供有利的镀覆特性。该等膜管环可用具有不同的传导性之流体充填，以如所欲地改变屏蔽效应而用于电镀不同类型的基板。可选地，该等膜管环可提供于该设备之容器中的一扩散体板材之中或之上。

5. 发明专利

TW201510292A 陽極及具備此之高速電鍍裝置审中-公开
简体标题：阳极及具备此之高速电镀设备
公开(公告)号：TW201510292A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103120484
申请日：2014-06-13
申请人：萱場工業股份有限公司 , KAYABA INDUSTRY CO., LTD. , 中央製作所股份有限公司 , CHUO SEISAKUSHO, LTD.
发明人：望月嘉隆 , MOCHIZUKI, YOSHITAKA , 宮崎稔久 , MIYAZAKI, TOSHIHISA , 高松輝 , TAKAMATSU, AKIRA
IPC分类号： C25D17/10 , C25D17/12 , C25D17/00 , C25D5/08
CPC分类号： C25D17/12 , C25D5/08 , C25D7/00 , C25D17/005 , C25D17/007 , C25D17/06 , C25D17/10 , C25D21/10
摘要：本發明係提供一種能夠以長期且良好之方式進行電鍍之陽極。陽極(10)係為筒狀，而在與配置在內部之被電鍍物(1)之間，形成有電鍍液產生流動之空間，且被施加有正電壓。陽極(10)係具備有：外筒部(11)，其具有導電性；及內筒部(12)，其包含有鉑製之板材(12A)，而該鉑製之板材係以與該外筒部(11)之內表面產生接觸之方式加以焊接。
简体摘要：本发明系提供一种能够以长期且良好之方式进行电镀之阳极。阳极(10)系为筒状，而在与配置在内部之被电镀物(1)之间，形成有电镀液产生流动之空间，且被施加有正电压。阳极(10)系具备有：外筒部(11)，其具有导电性；及内筒部(12)，其包含有铂制之板材(12A)，而该铂制之板材系以与该外筒部(11)之内表面产生接触之方式加以焊接。

6. 发明专利

TW201510233A 表面處理鋁材及其製造方法审中-公开
简体标题：表面处理铝材及其制造方法
公开(公告)号：TW201510233A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125145
申请日：2014-07-22
申请人： UACJ股份有限公司 , UACJ CORPORATION
发明人：三村達矢 , MIMURA, TATSUYA , 長谷川真一 , HASEGAWA, SHINICHI , 本川幸翁 , HONKAWA, YUKIO
IPC分类号： C22C21/00 , C25D11/04 , C23C22/66 , H05K1/05 , H05K3/44
CPC分类号： C25D11/04 , C25D11/005 , C25D11/024 , C25D17/007 , H05K1/053
摘要：提供一種表面處理鋁材，係於表面的一部分形成有耐蝕性氧化皮膜層，且於表面之其他部位形成有接著性及密著性優異的多孔性氧化皮膜層。一種表面處理鋁材及其製造方法，該表面處理鋁材含有：鋁材；形成於其表面的一部分之單層結構的耐蝕性氧化皮膜；及形成於表面之其他部位的多孔性氧化皮膜；耐蝕性氧化皮膜具有10~100nm之厚度，更具有預定的FT-IR分析特性；多孔性氧化皮膜係由形成於表面側且厚度20~500nm之多孔型鋁氧化皮膜層、及形成於基質側且厚度3~30nm肢障蔽型鋁氧化皮膜層所構成；多孔型鋁氧化皮膜層形成有直徑5~30nm之小孔；又，形成於鋁材表面的多孔性氧化皮膜整體的厚度變動幅度在其算術平均值之±50%以內。
简体摘要：提供一种表面处理铝材，系于表面的一部分形成有耐蚀性氧化皮膜层，且于表面之其他部位形成有接着性及密着性优异的多孔性氧化皮膜层。一种表面处理铝材及其制造方法，该表面处理铝材含有：铝材；形成于其表面的一部分之单层结构的耐蚀性氧化皮膜；及形成于表面之其他部位的多孔性氧化皮膜；耐蚀性氧化皮膜具有10~100nm之厚度，更具有预定的FT-IR分析特性；多孔性氧化皮膜系由形成于表面侧且厚度20~500nm之多孔型铝氧化皮膜层、及形成于基质侧且厚度3~30nm肢障蔽型铝氧化皮膜层所构成；多孔型铝氧化皮膜层形成有直径5~30nm之小孔；又，形成于铝材表面的多孔性氧化皮膜整体的厚度变动幅度在其算术平均值之±50%以内。

7. 发明专利

TW201337045A 對特定位置進行電鍍之電鍍治具、配合此電鍍治具之電鍍方法及由此電鍍方法所製出之不具防鍍層之被電鍍物產品审中-公开
简体标题：对特定位置进行电镀之电镀治具、配合此电镀治具之电镀方法及由此电镀方法所制出之不具防镀层之被电镀物产品
公开(公告)号：TW201337045A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101108105
申请日：2012-03-09
申请人：啟碁科技股份有限公司 , WISTRON NEWEB CORPORATION
发明人：王子軒 , WANG, TZUHSUAN , 邱明吉 , CHIU, MINGCHI , 蘇育德 , SU, YUTE , 辜明漳 , KU, MINGCHANG
IPC分类号： C25D5/02 , C25D17/06
CPC分类号： C25D5/022 , C25D5/10 , C25D17/007 , C25D17/008 , Y10T428/12396
摘要：本發明揭露一種對特定位置進行電鍍之電鍍治具、配合電鍍治具之電鍍方法及由此電鍍方法所製出之不具防鍍層之被電鍍物產品。此電鍍治具包含一底座與一軟性導電墊。底座之一面凹設有一用以容納一被電鍍物之容置槽。另面開設有一開口，此開口小於容置槽，且接通容置槽，此開口用以露出被電鍍物之一金屬圖案。軟性導電墊可配合被電鍍物之外型，披覆於被電鍍物另面之一第二金屬圖案上，藉此電性連接第一金屬圖案與第二金屬圖案。
简体摘要：本发明揭露一种对特定位置进行电镀之电镀治具、配合电镀治具之电镀方法及由此电镀方法所制出之不具防镀层之被电镀物产品。此电镀治具包含一底座与一软性导电垫。底座之一面凹设有一用以容纳一被电镀物之容置槽。另面开设有一开口，此开口小于容置槽，且接通容置槽，此开口用以露出被电镀物之一金属图案。软性导电垫可配合被电镀物之外型，披覆于被电镀物另面之一第二金属图案上，借此电性连接第一金属图案与第二金属图案。

8. 发明专利

TW201313968A 用於半導體電鍍裝置之唇形密封件與接觸元件审中-公开
简体标题：用于半导体电镀设备之唇形密封件与接触组件
公开(公告)号：TW201313968A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101129602
申请日：2012-08-15
申请人：諾菲勒斯系統公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：風景賓 , FENG, JINGBIN , 史托維爾馬修R , STOWELL, MARSHALL R. , 威蒙特法德瑞克D , WILMOT, FREDERICK D.
IPC分类号： C25D7/12
CPC分类号： C25D17/005 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D17/007 , C25D17/06 , C25D17/08 , Y10T29/49778
摘要：本發明揭示用於在電鍍抓鬥中使用之唇形密封件總成，該等唇形密封件總成可包括用於拒絕電鍍溶液進入半導體基板之周邊區之彈性體唇形密封件及一或多個電接觸元件。該等接觸元件可在結構上與該彈性體唇形密封件整合。該等唇形密封件總成可包括一或多個可撓性接觸元件，該一或多個可撓性接觸元件之至少一部分可保形地位於該彈性體唇形密封件之上表面上，且可經組態以撓曲並形成與該基板介接之保形接觸表面。本文中所揭示之一些彈性體唇形密封件可將基板支撐、對準並密封於抓鬥中，且可包括定位於可撓性彈性體支撐邊緣上方之可撓性彈性體上部部分，該上部部分具有頂表面及內側表面，該內側表面經組態以在該頂表面被壓縮時向內移動並對準該基板。
简体摘要：本发明揭示用于在电镀抓斗中使用之唇形密封件总成，该等唇形密封件总成可包括用于拒绝电镀溶液进入半导体基板之周边区之弹性体唇形密封件及一或多个电接触组件。该等接触组件可在结构上与该弹性体唇形密封件集成。该等唇形密封件总成可包括一或多个可挠性接触组件，该一或多个可挠性接触组件之至少一部分可保形地位于该弹性体唇形密封件之上表面上，且可经组态以挠曲并形成与该基板介接之保形接触表面。本文中所揭示之一些弹性体唇形密封件可将基板支撑、对准并密封于抓斗中，且可包括定位于可挠性弹性体支撑边缘上方之可挠性弹性体上部部分，该上部部分具有顶表面及内侧表面，该内侧表面经组态以在该顶表面被压缩时向内移动并对准该基板。

9. 发明专利

TWI367963B 化學電鍍沉積裝置、於半導體晶圓上的導電層結構及其形成方法 APPARATUSES FOR ELECTROCHEMICAL DEPOSITION, CONDUCTIVE LAYERS ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND FABRICATION METHODS THEREOF 有权
简体标题：化学电镀沉积设备、于半导体晶圆上的导电层结构及其形成方法 APPARATUSES FOR ELECTROCHEMICAL DEPOSITION, CONDUCTIVE LAYERS ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND FABRICATION METHODS THEREOF
公开(公告)号：TWI367963B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：TW096124278
申请日：2007-07-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳科維 , 鄭穆韓 , 蔡建欣 , 王英郎
IPC分类号： C25D
CPC分类号： C25D17/001 , C25D17/007 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76877 , Y10T428/16
摘要：本發明提供一種化學電鍍沉積裝置、於半導體晶圓上的導電層結構及其形成方法。上述化學電鍍沉積裝置，包括一化學電鍍槽，其具有一電鍍液池用以沉積一金屬層於基底上。一主要陰極與一陽極設置於電鍍液池中，以提供一主要電場。一基底固定裝置固定一半導體晶圓，且連接該主要陰極。以及一輔助陰極設置於該化學電鍍槽外側，以提供一輔電場致使位於該基底固定裝置中央位置的電力線密度，和位於其外圍週邊位置的電力線密度，實質上相同。
简体摘要：本发明提供一种化学电镀沉积设备、于半导体晶圆上的导电层结构及其形成方法。上述化学电镀沉积设备，包括一化学电镀槽，其具有一电镀液池用以沉积一金属层于基底上。一主要阴极与一阳极设置于电镀液池中，以提供一主要电场。一基底固定设备固定一半导体晶圆，且连接该主要阴极。以及一辅助阴极设置于该化学电镀槽外侧，以提供一辅电场致使位于该基底固定设备中央位置的电力线密度，和位于其外围周边位置的电力线密度，实质上相同。

10. 发明专利

TW201739972A 電解處理裝置及電解處理方法审中-公开
简体标题：电解处理设备及电解处理方法
公开(公告)号：TW201739972A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105138227
申请日：2016-11-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：星野智久 , HOSHINO, TOMOHISA , 濱田正人 , HAMADA, MASATO
IPC分类号： C25D17/00 , C25D17/10 , C25D21/12 , C25D5/18
CPC分类号： C25D17/007 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D17/00 , C25D17/10 , C25D21/12 , H02J7/0063 , H02J7/345 , H02J2007/0067
摘要：本發明之課題在於使用處理液中之被處理離子，高效率地且適當地對被處理體進行特定之處理。鍍覆處理裝置1具有以隔著鍍覆液M之方式配置之共通電極20及對向電極21。於共通電極20連接第1配線31及第2配線32，且於第1配線31設置電容器33。藉由不將第1配線31與第2配線32連接而進行電容器33之充電，共通電極20於鍍覆液M形成電場，使鍍覆液M中之銅離子朝對向電極21側移動；藉由將第1配線31與第2配線32連接而進行電容器33之放電，共通電極20於對向電極21之間施加電壓，使朝對向電極21側移動之銅離子還原。
简体摘要：本发明之课题在于使用处理液中之被处理离子，高效率地且适当地对被处理体进行特定之处理。镀覆处理设备1具有以隔着镀覆液M之方式配置之共通电极20及对向电极21。于共通电极20连接第1配线31及第2配线32，且于第1配线31设置电容器33。借由不将第1配线31与第2配线32连接而进行电容器33之充电，共通电极20于镀覆液M形成电场，使镀覆液M中之铜离子朝对向电极21侧移动；借由将第1配线31与第2配线32连接而进行电容器33之放电，共通电极20于对向电极21之间施加电压，使朝对向电极21侧移动之铜离子还原。

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