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1. 发明专利

TW201921506A 防止重分佈層蝕刻的重分佈層製作用系統和方法审中-公开
简体标题：防止重分布层蚀刻的重分布层制作用系统和方法
公开(公告)号：TW201921506A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107132749
申请日：2018-09-18
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 班尼克二世史帝芬 J , BANIK II, STEPHEN J. , 理察森喬瑟夫 , RICHARDSON, JOSEPH , 波努斯瓦彌湯瑪斯 A , PONNUSWAMY, THOMAS A.
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/60 , H01L23/48
摘要：本文敘述重分佈層製作用系統及方法。在基板上沒有由銅製成之晶種層的沉積。缺少晶種層防止對於蝕刻晶種層的需求。當晶種層不受蝕刻，亦由銅製成的重分佈層便不受蝕刻。
简体摘要：本文叙述重分布层制作用系统及方法。在基板上没有由铜制成之晶种层的沉积。缺少晶种层防止对于蚀刻晶种层的需求。当晶种层不受蚀刻，亦由铜制成的重分布层便不受蚀刻。

2. 发明专利

TW201920778A 電鍍期間用於流動隔離與集中的方法及設備审中-公开
简体标题：电镀期间用于流动隔离与集中的方法及设备
公开(公告)号：TW201920778A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128924
申请日：2018-08-20
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：尼克二世史帝芬 J , BANIK II, STEPHEN J. , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 伯克亞倫 , BERKE, AARON , 福特納詹姆士艾薩克 , FORTNER, JAMES ISAAC , 奥伯斯特賈斯汀 , OBERST, JUSTIN , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT
IPC分类号： C25D17/06 , C25D17/12 , C25D21/14
摘要：此處所述各種實施例關於方法和設備，用於將材料電鍍至半導體基板上。在一些實例中，可設置一或多個隔膜與一離子電阻元件接觸，以在電鍍期間將電解液從一橫向流歧管向後通過該離子電阻元件而進入一離子電阻元件歧管的程度最小化。該隔膜可加以設計以在一些實施例中使電解液以所欲方式擇路。在這些或其他實例中，在該離子電阻元件歧管中可設置一或多個擋板，以將電解液藉由向後流動通過離子電阻元件且在離子電阻元件歧管內橫跨電鍍槽而能夠繞過橫向流歧管的程度降低。這些技術可用以改善電鍍結果的均勻性。
简体摘要：此处所述各种实施例关于方法和设备，用于将材料电镀至半导体基板上。在一些实例中，可设置一或多个隔膜与一离子电阻组件接触，以在电镀期间将电解液从一横向流歧管向后通过该离子电阻组件而进入一离子电阻组件歧管的程度最小化。该隔膜可加以设计以在一些实施例中使电解液以所欲方式择路。在这些或其他实例中，在该离子电阻组件歧管中可设置一或多个挡板，以将电解液借由向后流动通过离子电阻组件且在离子电阻组件歧管内横跨电镀槽而能够绕过横向流歧管的程度降低。这些技术可用以改善电镀结果的均匀性。

3. 发明专利

TW201843358A 利用衝擊電解液之獨立控制的電鍍設備及方法审中-公开
简体标题：利用冲击电解液之独立控制的电镀设备及方法
公开(公告)号：TW201843358A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107107847
申请日：2018-03-08
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：格雷厄姆加百利孩 , GRAHAM, GABRIEL HAY , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 福特納詹姆士艾薩克 , FORTNER, JAMES ISAAC , 伯克亞倫 , BERKE, AARON
IPC分类号： C25D17/02 , C25D17/06 , C25D5/08 , C25D7/12
摘要：文中揭露電鍍基板用的方法及設備。在某些情況中，離子阻抗元件係設置於基板附近，在離子阻抗元件與基板之間產生橫流歧管。在電鍍期間，流體可上向經由離子阻抗元件及(選擇性地)橫向經由橫流側入口而進入橫流歧管。液體路徑在橫流歧管中結合並在橫流出口處離開，橫流出口之設置可與橫流入口相對。在某些實施例中，離子阻抗元件可包含兩或更多個流動區域，可獨立控制流經每一流動區域的液流。在此些或其他實施例中，可包含電解液噴射件以在電鍍期間使額外的電解液朝向特定徑向位置或複數徑向位置處的基板。在某些實施例中，可省略離子阻抗元件。
简体摘要：文中揭露电镀基板用的方法及设备。在某些情况中，离子阻抗组件系设置于基板附近，在离子阻抗组件与基板之间产生横流歧管。在电镀期间，流体可上向经由离子阻抗组件及(选择性地)横向经由横流侧入口而进入横流歧管。液体路径在横流歧管中结合并在横流出口处离开，横流出口之设置可与横流入口相对。在某些实施例中，离子阻抗组件可包含两或更多个流动区域，可独立控制流经每一流动区域的液流。在此些或其他实施例中，可包含电解液喷射件以在电镀期间使额外的电解液朝向特定径向位置或复数径向位置处的基板。在某些实施例中，可省略离子阻抗组件。

4. 发明专利

TWI697587B 藉由使用遠程電流之電鍍均勻性的動態控制設備及方法有权
简体标题：借由使用远程电流之电镀均匀性的动态控制设备及方法
公开(公告)号：TWI697587B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105101791
申请日：2016-01-21
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡嘎吉瓦拉布爾漢丁 , KAGAJWALA, BURHANUDDIN , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG , 伯克亞倫 , BERKE, AARON , 福特納詹姆士艾薩克 , FORTNER, JAMES ISAAC , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT
IPC分类号： C25D17/10 , C25D5/04

5. 发明专利

TW201809370A 電鍍期間橫流岐管之動態調制审中-公开
简体标题：电镀期间横流岐管之动态调制
公开(公告)号：TW201809370A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106116801
申请日：2017-05-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：索爾克森卡里 , THORKELSSON, KARI , 伯克亞倫 , BERKE, AARON , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T.
IPC分类号： C25D17/06 , C25D21/10 , C25D21/12 , C25D5/04 , C25D5/10
CPC分类号： C25D5/08 , C25D5/04 , C25D5/10 , C25D5/18 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D17/008 , C25D17/06 , C25D21/10 , C25D21/12
摘要：文中實施例係關於將一或多種材料電鍍至基板上的方法及設備。一般而言，文中所述的實施例使用位於基板附近之具有通道的板，產生在具有通道的板與基板之間且在側藉由流動限制環定義的橫流歧管。可在基板支撐件之下表面與基板支撐件下方之元件(如流動限制環)的上表面之間提供一密封件。在電鍍期間，流體經由具有通道之板中的通道及橫流入口進入橫流歧管，接著在位置與橫流入口相對的橫流出口處離開。在電鍍期間該設備例如可藉著適當地降低與舉升基板與基板支撐件而銜合與去銜合密封件，以在密封狀態與非密封狀態之間切換。
简体摘要：文中实施例系关于将一或多种材料电镀至基板上的方法及设备。一般而言，文中所述的实施例使用位于基板附近之具有信道的板，产生在具有信道的板与基板之间且在侧借由流动限制环定义的横流歧管。可在基板支撑件之下表面与基板支撑件下方之组件(如流动限制环)的上表面之间提供一密封件。在电镀期间，流体经由具有信道之板中的信道及横流入口进入横流歧管，接着在位置与横流入口相对的横流出口处离开。在电镀期间该设备例如可借着适当地降低与举升基板与基板支撑件而衔合与去衔合密封件，以在密封状态与非密封状态之间切换。

6. 发明专利

TW201710568A 藉由使用具有隨空間而設計的電阻之離子電阻性離子可滲透性元件的金屬之電沉積設備及方法审中-公开
简体标题：借由使用具有随空间而设计的电阻之离子电阻性离子可渗透性组件的金属之电沉积设备及方法
公开(公告)号：TW201710568A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105114493
申请日：2016-05-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡嘎吉瓦拉布爾漢丁 , KAGAJWALA, BURHANUDDIN , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG , 伯克亞倫 , BERKE, AARON , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T.
IPC分类号： C25D17/00 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02002 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/007 , C25D17/008 , H01L21/2885
摘要：在一態樣中，用以將金屬電鍍在半導體基板上同時改善鍍覆均勻性的設備包括:一鍍覆腔室，配置以容納電解液及陽極；一基板固持器，配置以固持半導體基板；以及一離子電阻性離子可通透性元件，其包含實質上平面的面基板表面及對側表面；其中該元件允許離子電流在電鍍期間朝該基板流動；且其中該元件包含具有變化局部電阻的區域。在一範例中，透過改變該元件之厚度來改變該元件之電阻。在一些範例中，該元件的厚度在徑向方向上從該元件的邊緣到該元件的中央逐漸地減小。所提供之設備與方法尤其有用於將金屬電鍍在WLP之凹陷特徵部中。
简体摘要：在一态样中，用以将金属电镀在半导体基板上同时改善镀覆均匀性的设备包括:一镀覆腔室，配置以容纳电解液及阳极；一基板固持器，配置以固持半导体基板；以及一离子电阻性离子可通透性组件，其包含实质上平面的面基板表面及对侧表面；其中该组件允许离子电流在电镀期间朝该基板流动；且其中该组件包含具有变化局部电阻的区域。在一范例中，透过改变该组件之厚度来改变该组件之电阻。在一些范例中，该组件的厚度在径向方向上从该组件的边缘到该组件的中央逐渐地减小。所提供之设备与方法尤其有用于将金属电镀在WLP之凹陷特征部中。

7. 发明专利

TW201643279A 藉由使用遠程電流之電鍍均勻性的動態控制設備及方法审中-公开
简体标题：借由使用远程电流之电镀均匀性的动态控制设备及方法
公开(公告)号：TW201643279A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105101791
申请日：2016-01-21
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡嘎吉瓦拉布爾漢丁 , KAGAJWALA, BURHANUDDIN , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG , 伯克亞倫 , BERKE, AARON , 福特納詹姆士艾薩克 , FORTNER, JAMES ISAAC , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT
IPC分类号： C25D17/10 , C25D5/04
CPC分类号： C25D5/04 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D17/06 , C25D17/10 , C25D17/12
摘要：在一態樣中包括用以在基板上電鍍金屬同時控制鍍覆均勻性之設備，其包含: 鍍覆腔室，包含由一膜隔開的陰極液分隔室與陽極液分隔室；主陽極，位在陽極液分隔室中；離子電阻性離子可通透元件，位在膜與陰極液分隔室中的基板之間；以及輔助電極，配置以將鍍覆電流施予及/或轉向至基板，及/或將鍍覆電流轉離基板，其中輔助電極經設置使得被施予及/或轉向的鍍覆電流不通過將陽極液分隔室與陰極液分隔室隔開的膜，但通過離子電阻性離子可通透元件。在一些實施例中，輔助電極為方位角對稱性陽極(例如位在圍繞鍍覆腔室之外圍的獨立分隔室中的環)，其可在電鍍期間受動態控制。
简体摘要：在一态样中包括用以在基板上电镀金属同时控制镀覆均匀性之设备，其包含: 镀覆腔室，包含由一膜隔开的阴极液分隔室与阳极液分隔室；主阳极，位在阳极液分隔室中；离子电阻性离子可通透组件，位在膜与阴极液分隔室中的基板之间；以及辅助电极，配置以将镀复电流施予及/或转向至基板，及/或将镀复电流转离基板，其中辅助电极经设置使得被施予及/或转向的镀复电流不通过将阳极液分隔室与阴极液分隔室隔开的膜，但通过离子电阻性离子可通透组件。在一些实施例中，辅助电极为方位角对称性阳极(例如位在围绕镀覆腔室之外围的独立分隔室中的环)，其可在电镀期间受动态控制。

8. 发明专利

TW201806037A 達成整個重分佈層之均勻性的系統及方法审中-公开
简体标题：达成整个重分布层之均匀性的系统及方法
公开(公告)号：TW201806037A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106116033
申请日：2017-05-16
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 波努斯瓦彌湯瑪斯 A , PONNUSWAMY, THOMAS A. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 班尼克二世史帝芬 J , BANIK II, STEPHEN J. , 奥伯斯特賈斯汀 , OBERST, JUSTIN
IPC分类号： H01L21/4763 , H01L21/469 , H01L21/60 , H01L23/52
摘要：描述用於在整個重分佈層達成均勻性的系統及方法。方法之一包含在基板上方圖案化一光阻層。該圖案化的步驟針對一導線界定一區域，及在該導線區域下方加以配置的一貫孔。該方法進一步包含在該圖案化的光阻層之間沉積一導電材料，使得該導電材料填充該貫孔及該導線的區域。該沉積步驟造成該導線的導電材料過生長，以在該貫孔上方形成導電材料的凸塊。該方法亦包含平坦化該導線的頂部表面且同時維持存在該基板之上的該圖案化光阻層。該平坦化的步驟係藉由在該導線及該凸塊上施加水平剪力而加以協助。該平坦化步驟係加以執行以修平凸塊。
简体摘要：描述用于在整个重分布层达成均匀性的系统及方法。方法之一包含在基板上方图案化一光阻层。该图案化的步骤针对一导线界定一区域，及在该导线区域下方加以配置的一贯孔。该方法进一步包含在该图案化的光阻层之间沉积一导电材料，使得该导电材料填充该贯孔及该导线的区域。该沉积步骤造成该导线的导电材料过生长，以在该贯孔上方形成导电材料的凸块。该方法亦包含平坦化该导线的顶部表面且同时维持存在该基板之上的该图案化光阻层。该平坦化的步骤系借由在该导线及该凸块上施加水平剪力而加以协助。该平坦化步骤系加以运行以修平凸块。

9. 发明专利

TW201718954A 電鍍設備用邊緣流元件审中-公开
简体标题：电镀设备用边缘流组件
公开(公告)号：TW201718954A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105126685
申请日：2016-08-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：格雷厄姆加百利孩 , GRAHAM, GABRIEL HAY , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 福特納詹姆士艾薩克 , FORTNER, JAMES ISAAC , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG
IPC分类号： C25D17/00 , C25D5/08
CPC分类号： C25D5/08 , C25D17/001 , C25D17/008
摘要：文中實施例係關於將一或多種材料電鍍至基板上的方法及設備。在許多情況中，該材料為金屬而該基板為半導體晶圓，但實施例不限於此。一般而言，文中所述的實施例使用位於基板附近之具有通道的離子阻抗板(CIRP)，產生在底部上藉由具有通道的離子阻抗板定義、在上藉由基板定義、且在側藉由橫向流動限制環定義的橫流歧管。通常亦存在的是邊緣流元件，其係用以將電解液引導至形成在基板與基板支撐件之間的角落中。在電鍍期間，流體進入橫流歧管經由具有通道的離子阻抗板中的通道向上流動並經由位於橫流限制環之一側的橫流側入口橫向流動。複數流動路徑在橫流歧管中結合並在橫流出口處離開，橫流出口係與橫流入口相對。此些複數流動路徑與邊緣流元件的組合造成較佳的電鍍均勻度，尤其是在基板外圍處造成較佳的電鍍均勻度。
简体摘要：文中实施例系关于将一或多种材料电镀至基板上的方法及设备。在许多情况中，该材料为金属而该基板为半导体晶圆，但实施例不限于此。一般而言，文中所述的实施例使用位于基板附近之具有信道的离子阻抗板(CIRP)，产生在底部上借由具有信道的离子阻抗板定义、在上借由基板定义、且在侧借由横向流动限制环定义的横流歧管。通常亦存在的是边缘流组件，其系用以将电解液引导至形成在基板与基板支撑件之间的角落中。在电镀期间，流体进入横流歧管经由具有信道的离子阻抗板中的信道向上流动并经由位于横流限制环之一侧的横流侧入口横向流动。复数流动路径在横流歧管中结合并在横流出口处离开，横流出口系与横流入口相对。此些复数流动路径与边缘流组件的组合造成较佳的电镀均匀度，尤其是在基板外围处造成较佳的电镀均匀度。

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