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1. 发明专利

TWI536479B 對於半導體晶圓上之液體彎液面施以物理限制的方法與設備有权
简体标题：对于半导体晶圆上之液体弯液面施以物理限制的方法与设备
公开(公告)号：TWI536479B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW099116869
申请日：2010-05-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馬格尼艾瑞可 , MAGNI, ENRICO , 蘭茲艾瑞克 , LENZ, ERIC
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： B23P17/04 , B08B3/08 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , Y10T29/494

2. 发明专利

TWI394228B 減少處理基板之彎液面所留下入口及／或出口痕跡的載具失效
简体标题：减少处理基板之弯液面所留下入口及／或出口痕迹的载具
公开(公告)号：TWI394228B
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW096136599
申请日：2007-09-29
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅伯特歐唐尼爾 , O,DONNELL, ROBERT , 艾瑞克蘭茲 , LENZ, ERIC , 馬克威爾克遜 , WILCOXSON, MARK , 麥可瑞夫肯 , RAVKIN, MIKE , 亞歷山大A 亞特士革 , YATSKAR, ALEXANDER A.
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708 , Y10S134/902 , Y10S269/90 , Y10S269/902 , Y10T29/49826

3. 发明专利

TW201308476A 用以在乾燥作業中減少基板圖案崩塌之設備與方法审中-公开
简体标题：用以在干燥作业中减少基板图案崩塌之设备与方法
公开(公告)号：TW201308476A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101113651
申请日：2012-04-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：蘭茲艾瑞克 , LENZ, ERIC , 瑞夫肯麥可 , RAVKIN, MIKE , 米凱俐茜可卡翠那 , MIKHAYLICHENKO, KATRINA
IPC分类号： H01L21/67 , F26B15/04
CPC分类号： F26B3/04 , F26B21/145 , H01L21/02057 , H01L21/67034
摘要：乾燥基板表面用之設備與方法，包含一近接乾燥頭。此乾燥頭包含：頭體，包含一處理表面，當基板之一表面存在時該處理表面係相對該基板表面放置。該處理表面包含第一區域、第二區域與第三區域。該第一區域係形成於該頭體的前緣處且包含陷入該頭體中的一空腔區域。該空腔區域包含複數進入接口，該複數進入接口係用以將氣態流體導入該空腔區域。當該基板表面存在時，該第二區域係置於該基板表面附近並位於該第一區域外。當該基板表面存在時，該第三區域係置於該基板表面附近且位於該第二區域外。複數真空接口係形成於該第二區域與該第三區域的交界處。該第三區域包含指向該第二區域的複數斜角進入接口。一種進行乾燥作業之方法，包含：施加加熱過的氣態異丙醇至該第一區域中的一晶圓表面及加熱該晶圓對應至該第一區域的背面。將加熱過的氮氣注射至該第三區域中的該晶圓表面。經由真空接口以及氮氣自該晶圓表面移除去離子水與異丙醇以留下實質上乾燥的晶圓表面。
简体摘要：干燥基板表面用之设备与方法，包含一近接干燥头。此干燥头包含：头体，包含一处理表面，当基板之一表面存在时该处理表面系相对该基板表面放置。该处理表面包含第一区域、第二区域与第三区域。该第一区域系形成于该头体的前缘处且包含陷入该头体中的一空腔区域。该空腔区域包含复数进入接口，该复数进入接口系用以将气态流体导入该空腔区域。当该基板表面存在时，该第二区域系置于该基板表面附近并位于该第一区域外。当该基板表面存在时，该第三区域系置于该基板表面附近且位于该第二区域外。复数真空接口系形成于该第二区域与该第三区域的交界处。该第三区域包含指向该第二区域的复数斜角进入接口。一种进行干燥作业之方法，包含：施加加热过的气态异丙醇至该第一区域中的一晶圆表面及加热该晶圆对应至该第一区域的背面。将加热过的氮气注射至该第三区域中的该晶圆表面。经由真空接口以及氮气自该晶圆表面移除去离子水与异丙醇以留下实质上干燥的晶圆表面。

4. 发明专利

TWI412076B 用於在介電質蝕刻中之減少的微粒污染的密封彈性體結合矽電極及其相同物有权
简体标题：用于在介电质蚀刻中之减少的微粒污染的密封弹性体结合硅电极及其相同物
公开(公告)号：TWI412076B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW096105331
申请日：2007-02-13
申请人：藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：任大星 , REN, DAXING , 安瑞可梅格尼 , MAGNI, ENRICO , 艾瑞克藍茲 , LENZ, ERIC , 周仁 , ZHOU, REN
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/509 , C23C16/505
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32009 , Y10T156/10

5. 发明专利

TWI473197B 具有介電材料及／或具有可變厚度，剖面圖及／或形狀之腔室之靜電夾頭組件，使用方法及具有靜電夾頭組件之裝置有权
简体标题：具有介电材料及／或具有可变厚度，剖面图及／或形状之腔室之静电夹头组件，使用方法及具有静电夹头组件之设备
公开(公告)号：TWI473197B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW095136347
申请日：2006-09-29
申请人：藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅傑德德西德薩 , DHINDSA, RAJINDER , 艾瑞克藍茲 , LENZ, ERIC , 蘆民李 , LI, LUMIN , 費力斯科薩維克 , KOZAKEVICH, FELIX
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H02N13/00

6. 发明专利

TWI390584B 真空電漿處理器失效
简体标题：真空等离子处理器
公开(公告)号：TWI390584B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW094146126
申请日：2005-12-23
申请人：蘭研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：庫斯安德拉斯 , KUTHI, ANDRAS , 金濟守 , KIM, JISOO , 蘭茲艾利克 , LENZ, ERIC , 德辛德莎拉金達 , DHINDSA, RAJINDAR , 李魯明 , LI, LUMIN , 薩德傑迪雷札 , SADJADI, REZA
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32623 , Y10S156/915

7. 发明专利

TWI390583B 用以處理工作件之方法及真空電漿處理器有权
简体标题：用以处理工作件之方法及真空等离子处理器
公开(公告)号：TWI390583B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW093125178
申请日：2004-08-20
申请人：蘭研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：丁德沙賴金德 , DHINDSA, RAJINDER , 特拉塞爾大衛 , TRUSSEL, DAVE , 魯素凱梅利亞 , RUSU, CAMELIA , 泰茲吉姆 , TIETZ, JIM , S M 瑞薩塞德傑地 , S.M. REZA, SADJADI , 李魯明 , LI, LUMIN , 斯里尼瓦山木坤 , SRINIVASAN, MUKUND , 馬克斯傑佛瑞 , MARKS, JEFFREY , 科薩凱維希菲力克斯 , KOZAKEVICH, FELIX , 雷恩茲艾利克 , LENZ, ERIC , 艾普勒阿隆 , EPPLER, AARON
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32082 , H01J37/32165

8. 发明专利

TWI414211B 用於電漿製程之包含噴頭電極及加熱器之裝置有权
简体标题：用于等离子制程之包含喷头电极及加热器之设备
公开(公告)号：TWI414211B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW094113756
申请日：2005-04-28
申请人：藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅傑德德西德薩 , DHINDSA, RAJINDER , 艾瑞克藍茲 , LENZ, ERIC
IPC分类号： H05H1/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32724

9. 发明专利

TWI406599B 用於電漿製程之包含供應製程氣體及射頻（ＲＦ）功率之氣體分布構件之裝置有权
简体标题：用于等离子制程之包含供应制程气体及射频（ＲＦ）功率之气体分布构件之设备
公开(公告)号：TWI406599B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW094113774
申请日：2005-04-28
申请人：藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅傑德德西德薩 , DHINDSA, RAJINDER , 艾瑞克藍茲 , LENZ, ERIC
IPC分类号： H05H1/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J21/36 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01L21/306

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