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    • 1. 发明专利
    • 用以在乾燥作業中減少基板圖案崩塌之設備與方法
    • 用以在干燥作业中减少基板图案崩塌之设备与方法
    • TW201308476A
    • 2013-02-16
    • TW101113651
    • 2012-04-17
    • 蘭姆研究公司LAM RESEARCH CORPORATION
    • 蘭茲 艾瑞克LENZ, ERIC瑞夫肯 麥可RAVKIN, MIKE米凱俐茜可 卡翠那MIKHAYLICHENKO, KATRINA
    • H01L21/67F26B15/04
    • F26B3/04F26B21/145H01L21/02057H01L21/67034
    • 乾燥基板表面用之設備與方法,包含一近接乾燥頭。此乾燥頭包含:頭體,包含一處理表面,當基板之一表面存在時該處理表面係相對該基板表面放置。該處理表面包含第一區域、第二區域與第三區域。該第一區域係形成於該頭體的前緣處且包含陷入該頭體中的一空腔區域。該空腔區域包含複數進入接口,該複數進入接口係用以將氣態流體導入該空腔區域。當該基板表面存在時,該第二區域係置於該基板表面附近並位於該第一區域外。當該基板表面存在時,該第三區域係置於該基板表面附近且位於該第二區域外。複數真空接口係形成於該第二區域與該第三區域的交界處。該第三區域包含指向該第二區域的複數斜角進入接口。一種進行乾燥作業之方法,包含:施加加熱過的氣態異丙醇至該第一區域中的一晶圓表面及加熱該晶圓對應至該第一區域的背面。將加熱過的氮氣注射至該第三區域中的該晶圓表面。經由真空接口以及氮氣自該晶圓表面移除去離子水與異丙醇以留下實質上乾燥的晶圓表面。
    • 干燥基板表面用之设备与方法,包含一近接干燥头。此干燥头包含:头体,包含一处理表面,当基板之一表面存在时该处理表面系相对该基板表面放置。该处理表面包含第一区域、第二区域与第三区域。该第一区域系形成于该头体的前缘处且包含陷入该头体中的一空腔区域。该空腔区域包含复数进入接口,该复数进入接口系用以将气态流体导入该空腔区域。当该基板表面存在时,该第二区域系置于该基板表面附近并位于该第一区域外。当该基板表面存在时,该第三区域系置于该基板表面附近且位于该第二区域外。复数真空接口系形成于该第二区域与该第三区域的交界处。该第三区域包含指向该第二区域的复数斜角进入接口。一种进行干燥作业之方法,包含:施加加热过的气态异丙醇至该第一区域中的一晶圆表面及加热该晶圆对应至该第一区域的背面。将加热过的氮气注射至该第三区域中的该晶圆表面。经由真空接口以及氮气自该晶圆表面移除去离子水与异丙醇以留下实质上干燥的晶圆表面。
    • 4. 发明专利
    • 基板乾燥裝置及基板乾燥方法
    • 基板干燥设备及基板干燥方法
    • TW294823B
    • 1997-01-01
    • TW083110221
    • 1994-11-04
    • 東京電子九州股份有限公司東京電子股份有限公司
    • ���尾勝利田中裕司南輝臣橫溝賢治
    • H01L
    • H01L21/67034F26B21/145
    • 本發明有關於半導體晶片等之被處理體之洗淨後之乾燥裝置及方法。
      本發明係提供具備﹕備有收容被處理體之被處理體收容領域﹐及收容揮發性之處理液之處理液收容領域﹐以及使處理液氣化之加熱手段之處理槽﹔及配設於被處理體收容領域之下方﹐以接受使用被氣化之處理液而由被處理體所去除之水份之容器﹔及裝設於容器﹐以便將容器之水份排出於槽之外部之排液管﹔以及配設於處理槽之被處理體收容領域之上方﹐以資凝固被氣化之處理液之冷卻手段﹐及配設於上述處理槽﹐以資將上述處理液循環之處理液循環手段﹐上述排液管係備有開閉閥﹐且在較上述開閉閥更近於上述容器之位置備有由排液管所分岐之管﹐上述處理液循環手段係具有處理液循環淨化手段之基板乾燥裝置。
    • 本发明有关于半导体芯片等之被处理体之洗净后之干燥设备及方法。 本发明系提供具备﹕备有收容被处理体之被处理体收容领域﹐及收容挥发性之处理液之处理液收容领域﹐以及使处理液气化之加热手段之处理槽﹔及配设于被处理体收容领域之下方﹐以接受使用被气化之处理液而由被处理体所去除之水份之容器﹔及装设于容器﹐以便将容器之水份排出于槽之外部之排液管﹔以及配设于处理槽之被处理体收容领域之上方﹐以资凝固被气化之处理液之冷却手段﹐及配设于上述处理槽﹐以资将上述处理液循环之处理液循环手段﹐上述排液管系备有开闭阀﹐且在较上述开闭阀更近于上述容器之位置备有由排液管所分岐之管﹐上述处理液循环手段系具有处理液循环净化手段之基板干燥设备。