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1. 发明专利

TWI423376B 由近接頭供應之泡沫的外罩有权
简体标题：由近接头供应之泡沫的外罩
公开(公告)号：TWI423376B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW098139927
申请日：2009-11-24
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：科洛丹可阿諾德 , KHOLODENKO, ARNOLD , 林政宇 , LIN, CHENG YU , 金茲伯里歐 , GINZBURG, LEON , 曼戴柏馬克 , MANDELBOYM, MARK , 湯瑪士葛瑞格里A , TOMASCH, GREGORY A. , 哈辛安渥爾 , HUSAIN, ANWAR
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6704 , B08B3/003 , C11D11/0047 , C11D11/0058 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6719 , H01L21/6776

2. 发明专利

TWI423366B 藉由低粘度流體移除顆粒用之單基板處理頭有权
简体标题：借由低粘度流体移除颗粒用之单基板处理头
公开(公告)号：TWI423366B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW098122048
申请日：2009-06-30
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：科洛丹可阿諾德 , KHOLODENKO, ARNOLD , 林政宇 , LIN, CHENG YU , 金茲伯里歐 , GINZBURG, LEON , 曼戴柏馬克 , MANDELBOYM, MARK , 湯瑪士葛瑞格里A , TOMASCH, GREGORY A. , 哈辛安渥爾 , HUSAIN, ANWAR
IPC分类号： H01L21/67 , B05C1/02 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67023 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/67748 , Y10T137/85938

3. 发明专利

TWI501298B 多階段基板清理方法與設備有权
简体标题：多阶段基板清理方法与设备
公开(公告)号：TWI501298B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099115327
申请日：2010-05-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：科洛丹可阿諾德 , KHOLODENKO, ARNOLD , 米凱俐茜可卡翠那 , MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 林政宇 , LIN, CHENG YU , 威爾克遜馬克 , WILCOXSON, MARK , 金茲伯里歐 , GINZBURG, LEON , 川口直志 , KAWAGUCHI, MARK
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： B08B3/041 , H01L21/02057 , H01L21/67051

4. 发明专利

TW201101406A 清理基板用之設備與系統 APPARATUS AND SYSTEM FOR CLEANING SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：清理基板用之设备与系统 APPARATUS AND SYSTEM FOR CLEANING SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201101406A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099113315
申请日：2010-04-27
申请人：蘭姆研究公司
发明人：林政宇 , 川口直志 , 威爾克遜馬克 , 馬汀羅素 , 金茲伯里歐
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要：一上層處理頭包含第一頂側模組,其被訂定來塗覆清理材料至該基板的頂部表面,然後暴露該基板至一頂側沖洗彎液面。第一頂側模組被訂定以朝向清理材料而與該基板移動的方向相反之實質上單一方向性的方式,使沖洗材料流過頂側沖洗彎液面。一下層處理頭包含第一底側模組,其被訂定來塗覆底側沖洗彎液面至該基板上,以平衡由該頂側沖洗彎液面施加於該基板上的力。第一底側模組被訂定為提供一排放通道,用以在該基板載具不存在於該上層與下層處理頭之間時,收集與排放由上層處理頭所發放的清理材料。該上層與下層處理頭能各自包含多種頂側與底側模組的具體實例。
简体摘要：一上层处理头包含第一顶侧模块,其被订定来涂覆清理材料至该基板的顶部表面,然后暴露该基板至一顶侧冲洗弯液面。第一顶侧模块被订定以朝向清理材料而与该基板移动的方向相反之实质上单一方向性的方式,使冲洗材料流过顶侧冲洗弯液面。一下层处理头包含第一底侧模块,其被订定来涂覆底侧冲洗弯液面至该基板上,以平衡由该顶侧冲洗弯液面施加于该基板上的力。第一底侧模块被订定为提供一排放信道,用以在该基板载具不存在于该上层与下层处理头之间时,收集与排放由上层处理头所发放的清理材料。该上层与下层处理头能各自包含多种顶侧与底侧模块的具体实例。

5. 发明专利

TW201104730A 多階段基板清理方法與設備 MULTI-STAGE SUBSTRATE CLEANING METHOD AND APPARATUS 审中-公开
简体标题：多阶段基板清理方法与设备 MULTI-STAGE SUBSTRATE CLEANING METHOD AND APPARATUS
公开(公告)号：TW201104730A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099115327
申请日：2010-05-13
申请人：蘭姆研究公司
发明人：科洛丹可阿諾德 , 米凱俐茜可卡翠那 , 林政宇 , 威爾克遜馬克 , 金茲伯里歐 , 川口直志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B3/041 , H01L21/02057 , H01L21/67051
摘要：對基板之表面進行清理材料之第一施加。此清理材料包含用以捕獲存在於基板之表面上之污染物的一或多種黏彈性材料。對基板之表面進行沖洗流體之第一施加，俾能從基板的表面沖洗掉清理材料。亦執行沖洗流體的第一施加，以在基板的表面上留下沖洗流體的殘留薄膜。對於其上具有沖洗流體之殘留薄膜的基板之表面進行清理材料之第二施加。然後，對基板之表面進行沖洗流體之第二施加，俾能從基板的表面沖洗掉清理材料。
简体摘要：对基板之表面进行清理材料之第一施加。此清理材料包含用以捕获存在于基板之表面上之污染物的一或多种黏弹性材料。对基板之表面进行冲洗流体之第一施加，俾能从基板的表面冲洗掉清理材料。亦运行冲洗流体的第一施加，以在基板的表面上留下冲洗流体的残留薄膜。对于其上具有冲洗流体之残留薄膜的基板之表面进行清理材料之第二施加。然后，对基板之表面进行冲洗流体之第二施加，俾能从基板的表面冲洗掉清理材料。

6. 发明专利

TW201030885A 由近接頭供應之泡沫的外罩 CONFINEMENT OF FOAM DELIVERED BY A PROXIMITY HEAD 审中-公开
简体标题：由近接头供应之泡沫的外罩 CONFINEMENT OF FOAM DELIVERED BY A PROXIMITY HEAD
公开(公告)号：TW201030885A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098139927
申请日：2009-11-24
申请人：蘭姆研究公司
发明人：科洛丹可阿諾德 , 林政宇 , 金茲伯里歐 , 曼戴柏馬克 , 湯瑪士葛瑞格里A , 哈辛安渥爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6704 , B08B3/003 , C11D11/0047 , C11D11/0058 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6719 , H01L21/6776
摘要：在示範實施例中,線性濕式系統包含腔室中之載具及近接頭。近接頭包含以直線方式排列之三部分。當半導體晶圓於近接頭下方由載具運送時,第一部分由晶圓之上表面抽吸液體。第二部分係用以造成非牛頓流體之清潔泡沫的薄膜(或彎液面)流動至晶圓之上表面上。第三部分係用以在晶圓於近接頭下方被載運時,造成沖洗液之薄膜流動至晶圓之上表面上。將第三部分部分地定義成圍繞第二部分並上達第一部分,使得第三部分及第一部分關於該腔室產生清潔泡沫之外罩。
简体摘要：在示范实施例中,线性湿式系统包含腔室中之载具及近接头。近接头包含以直线方式排列之三部分。当半导体晶圆于近接头下方由载具运送时,第一部分由晶圆之上表面抽吸液体。第二部分系用以造成非牛顿流体之清洁泡沫的薄膜(或弯液面)流动至晶圆之上表面上。第三部分系用以在晶圆于近接头下方被载运时,造成冲洗液之薄膜流动至晶圆之上表面上。将第三部分部分地定义成围绕第二部分并上达第一部分,使得第三部分及第一部分关于该腔室产生清洁泡沫之外罩。

7. 发明专利

TW201009981A 藉由低粘度流體移除顆粒用之單基板處理頭 SINGLE SUBSTRATE PROCESSING HEAD FOR PARTICLE REMOVAL USING LOW VISCOSITY FLUID 审中-公开
简体标题：借由低粘度流体移除颗粒用之单基板处理头 SINGLE SUBSTRATE PROCESSING HEAD FOR PARTICLE REMOVAL USING LOW VISCOSITY FLUID
公开(公告)号：TW201009981A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098122048
申请日：2009-06-30
申请人：蘭姆研究公司
发明人：科洛丹可阿諾德 , 林政宇 , 金茲伯里歐 , 曼戴柏馬克 , 湯瑪士葛瑞格里A , 哈辛安渥爾
IPC分类号： H01L , B05C
CPC分类号： H01L21/67023 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/67748 , Y10T137/85938
摘要：茲揭露一種在基板上分配薄膜的分配頭。該分配頭包含主體組件，其延伸在至少為基板的寬度的第一及第二末端之間。主體包含主孔，其定義在第一及第二末端之間，主孔經由複數個饋入器而連接至儲槽的上側，該複數個饋入器係定義在主孔及儲槽之間。主體亦包含複數個出口，其連接至儲槽的下側並延伸至出口槽。複數個饋入器具有大於複數個出口的橫剖面積，且複數個饋入器之數目少於複數個出口。其中在流體均勻地由出口槽輸出到基板上成為薄膜之前，流體用以流經主孔、沿該主孔經過複數個饋入器，而填充儲槽高達至少閾值高度。
简体摘要：兹揭露一种在基板上分配薄膜的分配头。该分配头包含主体组件，其延伸在至少为基板的宽度的第一及第二末端之间。主体包含主孔，其定义在第一及第二末端之间，主孔经由复数个馈入器而连接至储槽的上侧，该复数个馈入器系定义在主孔及储槽之间。主体亦包含复数个出口，其连接至储槽的下侧并延伸至出口槽。复数个馈入器具有大于复数个出口的横剖面积，且复数个馈入器之数目少于复数个出口。其中在流体均匀地由出口槽输出到基板上成为薄膜之前，流体用以流经主孔、沿该主孔经过复数个馈入器，而填充储槽高达至少阈值高度。

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