专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201801184A 蝕刻介電層中之特徵部的方法审中-公开
简体标题：蚀刻介电层中之特征部的方法
公开(公告)号：TW201801184A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106108091
申请日：2017-03-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：布立格茲史考特 , BRIGGS, SCOTT , 哈得森艾瑞克 , HUDSON, ERIC , 貝勞列昂尼德 , BELAU, LEONID , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN , 威爾克遜馬克 , WILCOXSON, MARK
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：提供一種在腔室中蝕刻含有矽氧化物之蝕刻層中之特徵部的方法，該含有矽氧化物之蝕刻層係設置於圖案化遮罩下方。使包括含鎢氣體的蝕刻氣體流至腔室中。使包括含鎢氣體的蝕刻氣體形成為電漿。將矽氧化物蝕刻層曝露於由包括含鎢氣體的蝕刻氣體所形成的電漿。當曝露於由包括含鎢氣體之該蝕刻氣體所形成的該電漿時，在該矽氧化物蝕刻層中蝕刻特徵部。
简体摘要：提供一种在腔室中蚀刻含有硅氧化物之蚀刻层中之特征部的方法，该含有硅氧化物之蚀刻层系设置于图案化遮罩下方。使包括含钨气体的蚀刻气体流至腔室中。使包括含钨气体的蚀刻气体形成为等离子。将硅氧化物蚀刻层曝露于由包括含钨气体的蚀刻气体所形成的等离子。当曝露于由包括含钨气体之该蚀刻气体所形成的该等离子时，在该硅氧化物蚀刻层中蚀刻特征部。

2. 发明专利

TWI576905B 利用低表面張力液體防止圖案崩塌之系統與方法有权
简体标题：利用低表面张力液体防止图案崩塌之系统与方法
公开(公告)号：TWI576905B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW099143487
申请日：2010-12-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：米凱俐茜可卡翠那 , MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 西歐米丹尼斯 , SYOMIN, DENIS , 威爾克遜馬克 , WILCOXSON, MARK
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/02057

3. 发明专利

TWI537064B 顆粒污染物之移除方法有权
简体标题：颗粒污染物之移除方法
公开(公告)号：TWI537064B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW099107008
申请日：2010-03-10
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：薩巴依哈克T , SABBA, YIZHAK T. , 允錫民 , YUN, SEOKMIN , 川口晴司 , KAWAGUCHI, MARK , 威爾克遜馬克 , WILCOXSON, MARK , 帕拉斯尼克豆格瑪 , PODLESNIK, DAGMAR
IPC分类号： B08B3/04 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/67051

4. 发明专利

TWI405252B 介電膜處理方法失效
简体标题：介电膜处理方法
公开(公告)号：TWI405252B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW098108248
申请日：2009-03-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：允錫民 , YUN, SEOKMIN , 朱濟 , ZHU, JI , 德賴瑞厄斯約翰M , DELARIOS, JOHN M. , 威爾克遜馬克 , WILCOXSON, MARK
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/02063 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31138

5. 发明专利

TWI506669B 顆粒污染物之移除方法有权
简体标题：颗粒污染物之移除方法
公开(公告)号：TWI506669B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW099119545
申请日：2010-06-15
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：川口直志 , KAWAGUCHI, MARK NAOSHI , 梅世禮 , MUI, DAVID , 威爾克遜馬克 , WILCOXSON, MARK
IPC分类号： H01L21/02 , C11D17/00 , B08B3/00
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/10 , B08B7/0014 , C11D11/0047 , C11D11/0058 , C11D17/049 , H01L21/02052 , H01L21/02057

6. 发明专利

TWI524401B 利用黏彈性清理物質移除基板上之粒子的設備與方法有权
简体标题：利用黏弹性清理物质移除基板上之粒子的设备与方法
公开(公告)号：TWI524401B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW099111642
申请日：2010-04-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：川口直志 , KAWAGUCHI, MARK NAOSHI , 梅世禮 , MUI, DAVID , 威爾克遜馬克 , WILCOXSON, MARK
IPC分类号： H01L21/302 , B08B3/08 , C11D10/00
CPC分类号： B08B3/08 , B08B3/12 , B08B5/04 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67051

7. 发明专利

TWI501298B 多階段基板清理方法與設備有权
简体标题：多阶段基板清理方法与设备
公开(公告)号：TWI501298B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099115327
申请日：2010-05-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：科洛丹可阿諾德 , KHOLODENKO, ARNOLD , 米凱俐茜可卡翠那 , MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 林政宇 , LIN, CHENG YU , 威爾克遜馬克 , WILCOXSON, MARK , 金茲伯里歐 , GINZBURG, LEON , 川口直志 , KAWAGUCHI, MARK
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： B08B3/041 , H01L21/02057 , H01L21/67051

8. 发明专利

TW201131626A 利用低表面張力液體防止圖案崩塌之系統與方法 SYSTEM AND METHOD OF PREVENTING PATTERN COLLAPSE USING LOW SURFACE TENSION LIQUID 审中-公开
简体标题：利用低表面张力液体防止图案崩塌之系统与方法 SYSTEM AND METHOD OF PREVENTING PATTERN COLLAPSE USING LOW SURFACE TENSION LIQUID
公开(公告)号：TW201131626A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099143487
申请日：2010-12-13
申请人：蘭姆研究公司
发明人：米凱俐茜可卡翠那 , 西歐米丹尼斯 , 威爾克遜馬克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02057
摘要：一種以低表面張力液體來處理晶圓之系統,包含:低表面張力液體源,包含第一加熱源,其能夠將低表面張力液體加熱到低於低表面張力液體之沸點不超過25℃;輸送機構,用以將加熱之低表面張力液體輸送到氣/液界面區域;以及第二加熱源,朝向氣/液界面區域,此第二加熱源能夠將氣/液界面區域加熱到超過低表面張力液體之沸點至少2℃。本發明亦提供一種以低表面張力液體來處理晶圓之方法。
简体摘要：一种以低表面张力液体来处理晶圆之系统,包含:低表面张力液体源,包含第一加热源,其能够将低表面张力液体加热到低于低表面张力液体之沸点不超过25℃;输送机构,用以将加热之低表面张力液体输送到气/液界面区域;以及第二加热源,朝向气/液界面区域,此第二加热源能够将气/液界面区域加热到超过低表面张力液体之沸点至少2℃。本发明亦提供一种以低表面张力液体来处理晶圆之方法。

9. 发明专利

TW201101406A 清理基板用之設備與系統 APPARATUS AND SYSTEM FOR CLEANING SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：清理基板用之设备与系统 APPARATUS AND SYSTEM FOR CLEANING SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201101406A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099113315
申请日：2010-04-27
申请人：蘭姆研究公司
发明人：林政宇 , 川口直志 , 威爾克遜馬克 , 馬汀羅素 , 金茲伯里歐
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要：一上層處理頭包含第一頂側模組,其被訂定來塗覆清理材料至該基板的頂部表面,然後暴露該基板至一頂側沖洗彎液面。第一頂側模組被訂定以朝向清理材料而與該基板移動的方向相反之實質上單一方向性的方式,使沖洗材料流過頂側沖洗彎液面。一下層處理頭包含第一底側模組,其被訂定來塗覆底側沖洗彎液面至該基板上,以平衡由該頂側沖洗彎液面施加於該基板上的力。第一底側模組被訂定為提供一排放通道,用以在該基板載具不存在於該上層與下層處理頭之間時,收集與排放由上層處理頭所發放的清理材料。該上層與下層處理頭能各自包含多種頂側與底側模組的具體實例。
简体摘要：一上层处理头包含第一顶侧模块,其被订定来涂覆清理材料至该基板的顶部表面,然后暴露该基板至一顶侧冲洗弯液面。第一顶侧模块被订定以朝向清理材料而与该基板移动的方向相反之实质上单一方向性的方式,使冲洗材料流过顶侧冲洗弯液面。一下层处理头包含第一底侧模块,其被订定来涂覆底侧冲洗弯液面至该基板上,以平衡由该顶侧冲洗弯液面施加于该基板上的力。第一底侧模块被订定为提供一排放信道,用以在该基板载具不存在于该上层与下层处理头之间时,收集与排放由上层处理头所发放的清理材料。该上层与下层处理头能各自包含多种顶侧与底侧模块的具体实例。

10. 发明专利

TW201039934A 顆粒污染物之移除方法 METHOD OF PARTICLE CONTAMINANT REMOVAL 审中-公开
简体标题：颗粒污染物之移除方法 METHOD OF PARTICLE CONTAMINANT REMOVAL
公开(公告)号：TW201039934A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099107008
申请日：2010-03-10
申请人：蘭姆研究公司
发明人：薩巴依哈克T , 允錫民 , 川口晴司 , 威爾克遜馬克 , 帕拉斯尼克豆格瑪
IPC分类号： B08B , H01L
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/67051
摘要：本發明係關於從一基板之表面移除顆粒污染物的設備與方法，其包含將一層黏彈性材料塗佈在該表面上。該黏彈性材料係以薄膜形式加以塗佈並且表現出實質上似液體(liquid-like)特性。施加一外力至塗佈有該黏彈性材料之該表面的一第一區域，以使塗佈有該黏彈性材料之該表面的一第二區域實質上不遭受到該施加力。以短於該黏彈性材料之內在時間(intrinsic time)的持續時間來施加該力，俾能取得該黏彈性材料的似固體(solid-like)特性。表現出似固體特性的該黏彈性材料可與存在於該表面上之至少其中一些顆粒污染物至少部分交互作用。在該黏彈性材料表現出似固體特性時，從該表面之該第一區域將該黏彈性材料與至少其中一些該顆粒污染物一起移除。
简体摘要：本发明系关于从一基板之表面移除颗粒污染物的设备与方法，其包含将一层黏弹性材料涂布在该表面上。该黏弹性材料系以薄膜形式加以涂布并且表现出实质上似液体(liquid-like)特性。施加一外力至涂布有该黏弹性材料之该表面的一第一区域，以使涂布有该黏弹性材料之该表面的一第二区域实质上不遭受到该施加力。以短于该黏弹性材料之内在时间(intrinsic time)的持续时间来施加该力，俾能取得该黏弹性材料的似固体(solid-like)特性。表现出似固体特性的该黏弹性材料可与存在于该表面上之至少其中一些颗粒污染物至少部分交互作用。在该黏弹性材料表现出似固体特性时，从该表面之该第一区域将该黏弹性材料与至少其中一些该颗粒污染物一起移除。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式